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公开(公告)号：CN118401010A
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN202410108648.4
申请日：2024-01-26
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供存储器器件、存储器器件的操作方法和存储器设备。存储器器件包括半导体基底、设置在半导体基底上的栅电极、以及在垂直于半导体基底的第一方向上层叠在半导体基底和栅电极之间并且包括至少一个第一铁电层和至少一个第二铁电层的多个铁电层。第一铁电层具有其中掺杂浓度在第一方向上增加的掺杂浓度梯度，并且第二铁电层具有其中掺杂浓度在第一方向上减少的掺杂浓度梯度。存储器器件配置为根据操作电压实施多位。
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公开(公告)号：CN106410002A
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201610601246.3
申请日：2016-07-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L33/14
Abstract: 本发明涉及包括扩散阻挡层的多层结构体、包括其的器件和电子器件。所述多层结构体包括第一材料层、第二材料层、和扩散阻挡层。所述第二材料层连接至所述第一材料层。所述第二材料层与所述第一材料层隔开。所述扩散阻挡层在所述第一材料层和所述第二材料层之间。所述扩散阻挡层可包括二维(2D)材料。所述2D材料可为非基于石墨烯的材料，如具有2D晶体结构的基于金属硫属化物的材料。所述第一材料层可为半导体或绝缘体，且所述第二材料层可为导体。所述多层结构体的至少一部分可构成用于电子器件的互连。
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公开(公告)号：CN117202666A
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202310661589.9
申请日：2023-06-06
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本公开提供了存储器件以及包括该存储器件的电子装置。一种存储器件包括：多个栅电极，在第一方向上彼此间隔开；存储层，包括在垂直于第一方向的第二方向上突出和延伸以分别面对所述多个栅电极的多个存储区域；多个第一绝缘层，在所述多个栅电极之间延伸到在所述多个存储区域之间的空间；沟道层，设置在存储层和所述多个栅电极之间，沟道层具有包括围绕所述多个存储区域的多个第一区域和在第一方向上将所述多个第一区域彼此连接的第二区域的形状；以及栅极绝缘层，布置在沟道层和所述多个栅电极之间。
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公开(公告)号：CN115939195A
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202210916857.2
申请日：2022-08-01
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明公开了一种电子器件，该电子器件包括：衬底，包括源极、漏极以及在源极和漏极之间的沟道；栅电极，布置在衬底上方并面向沟道，栅电极在第一方向上与沟道隔开；以及在沟道和栅电极之间的铁电薄膜结构，该铁电薄膜结构包括在第一方向上从沟道起顺序布置的第一铁电层、包括电介质材料的结晶阻挡层、和第二铁电层。第一铁电层的晶粒的尺寸的平均值可以小于或等于第二铁电层的晶粒的尺寸的平均值，并且由于小的晶粒，可以改善性能的离散。
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公开(公告)号：CN115799325A
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202211039284.6
申请日：2022-08-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/45 , H01L29/417 , H01L21/336 , H01L29/78
Abstract: 一种半导体器件和包括该半导体器件的电子装置，该半导体器件包括：第一源极/漏极结构，包括第一半导体区域和与第一半导体区域电接触的第一电极；第二源极/漏极结构，包括第二半导体区域和与第二半导体区域电接触的第二电极；在第一半导体区域和第二半导体区域之间的沟道；以及栅极结构，包括覆盖沟道的栅极绝缘膜和覆盖栅极绝缘膜的栅电极。第一源极/漏极结构进一步包括在第一半导体区域和第一电极之间的硅化物膜以及在硅化物膜和第一电极之间的导电阻挡物。导电阻挡物包括导电的二维材料。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114447223A
公开(公告)日：2022-05-06
申请号：CN202111298883.5
申请日：2021-11-04
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L49/02 , H01L29/78 , H01L27/088 , H01L27/11507 , H01L27/1159
Abstract: 提供了一种包括铁电层和两个或更多个电极层的铁电半导体器件和包括其的半导体装置。该半导体器件可以包括第一电极层和第二电极层，第一电极层和第二电极层具有比铁电层的热膨胀系数小的热膨胀系数。第二电极层的热膨胀系数和铁电层的热膨胀系数之间的差异可以大于第一电极层的热膨胀系数和铁电层的热膨胀系数之间的差异。第二电极层可以具有比第一电极层的厚度大的厚度。
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公开(公告)号：CN106410002B
公开(公告)日：2020-06-12
申请号：CN201610601246.3
申请日：2016-07-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L33/14
Abstract: 本发明涉及包括扩散阻挡层的多层结构体、包括其的器件和电子器件。所述多层结构体包括第一材料层、第二材料层、和扩散阻挡层。所述第二材料层连接至所述第一材料层。所述第二材料层与所述第一材料层隔开。所述扩散阻挡层在所述第一材料层和所述第二材料层之间。所述扩散阻挡层可包括二维(2D)材料。所述2D材料可为非基于石墨烯的材料，如具有2D晶体结构的基于金属硫属化物的材料。所述第一材料层可为半导体或绝缘体，且所述第二材料层可为导体。所述多层结构体的至少一部分可构成用于电子器件的互连。
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公开(公告)号：CN107768517A
公开(公告)日：2018-03-06
申请号：CN201710362544.6
申请日：2017-05-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L45/00
CPC classification number: G11C13/0004 , G11C13/0069 , G11C13/0097 , H01L27/24 , H01L45/06 , H01L45/065 , H01L45/1226 , H01L45/1233 , H01L45/1253 , H01L45/141 , H01L45/142 , H01L45/143 , H01L45/144 , H01L45/1641 , H01L45/04
Abstract: 公开包括二维材料的相变存储器件、操作其的方法和相变层。所述相变存储器件可包括包含二维(2D)材料的相变层。所述相变层可包括包含一个或多个2D材料层的层状结构。所述相变层可提供在第一电极和第二电极之间，并且所述2D材料层的一个或多个的至少一部分的相可基于通过所述第一电极和所述第二电极施加到所述相变层的电信号而改变。所述2D材料可包括基于硫属化物的材料或磷烯。所述2D材料可具有大于或等于约200℃且低于或等于约500℃的相变温度。
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公开(公告)号：CN116341631A
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202211611441.6
申请日：2022-12-14
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06N3/063 , G11C11/22 , G06N3/0464
Abstract: 提供了一种神经网络设备，其包括在第一方向上延伸的多条字线、在与第一方向交叉的第二方向上延伸的多条位线、以及布置在多条字线和多条位线彼此交叉的点处的多个存储器单元。多个存储器单元中的每个存储器单元包括沿着与多个存储器单元中的每个存储器单元相对应的字线并联连接的至少两个铁电存储器。
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