公开(公告)号：CN118401010A

公开(公告)日：2024-07-26

申请号：CN202410108648.4

申请日：2024-01-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔德铉 ,  许镇盛 ,  李泫宰 ,  南胜杰 ,  朴允相 ,  柳时正

IPC: H10B51/30 ,  H10B53/30 ,  G11C11/22

Abstract: 提供存储器器件、存储器器件的操作方法和存储器设备。存储器器件包括半导体基底、设置在半导体基底上的栅电极、以及在垂直于半导体基底的第一方向上层叠在半导体基底和栅电极之间并且包括至少一个第一铁电层和至少一个第二铁电层的多个铁电层。第一铁电层具有其中掺杂浓度在第一方向上增加的掺杂浓度梯度，并且第二铁电层具有其中掺杂浓度在第一方向上减少的掺杂浓度梯度。存储器器件配置为根据操作电压实施多位。

公开(公告)号：CN119835966A

公开(公告)日：2025-04-15

申请号：CN202411422411.X

申请日：2024-10-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 南胜杰 ,  柳时正 ,  李珉贤 ,  李泫宰 ,  崔硕训

IPC: H10D30/60 ,  H10D62/10 ,  H10B51/30

Abstract: 提供了一种半导体器件及包括该半导体器件的存储设备和电子设备。该半导体器件可以包括栅极电极、在栅极电极上的铁电层、在铁电层上的沟道层以及在铁电层中彼此间隔开的多个纳米结构。所述多个纳米结构可以与栅极电极或者沟道层相邻，或者所述多个纳米结构中的一部分可以与栅极电极相邻且所述多个纳米结构中的其余部分可以与沟道层相邻。

公开(公告)号：CN119855191A

公开(公告)日：2025-04-18

申请号：CN202411421293.0

申请日：2024-10-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 柳时正 ,  南胜杰 ,  金东勋 ,  李泫宰 ,  崔德铉 ,  崔硕训

IPC: H10D30/60 ,  H10D62/10 ,  H10D62/60 ,  H10D64/68 ,  H10B51/30 ,  G06N3/065

Abstract: 本发明涉及铁电场效应晶体管、存储器器件和神经网络器件。铁电场效应晶体管包括：沟道、设置为面向所述沟道的栅电极、设置在所述沟道和所述栅电极之间的铁电层、设置在所述沟道和所述铁电层之间的界面层、以及设置在所述铁电层和所述栅电极之间的扩散阻挡层，其中所述扩散阻挡层包括SiON，所述扩散阻挡层具有从所述扩散阻挡层的面向所述栅电极的第一表面朝向所述扩散阻挡层的面向所述铁电层的第二表面逐渐降低的氧浓度梯度，并且扩散阻挡层可具有从所述第一表面朝向所述第二表面逐渐增加的氮浓度梯度。

公开(公告)号：CN119835967A

公开(公告)日：2025-04-15

申请号：CN202411424658.5

申请日：2024-10-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李泫宰 ,  南胜杰 ,  金东勋 ,  柳时正 ,  崔德铉

IPC: H10D30/60 ,  H10D64/68 ,  H10B51/30

Abstract: 提供了一种半导体器件和包括该半导体器件的电子装置，包括包含半导体材料的沟道层、布置在沟道层上并且包括铁电材料的铁电层、布置在铁电层上的栅电极、布置在铁电层和栅电极之间并且包括第一顺电材料的第一插入层、以及布置在沟道层和铁电层之间并且包括第二顺电材料的第二插入层，第二顺电材料具有高于第一顺电材料的介电常数的介电常数。