公开(公告)号：CN116341631A

公开(公告)日：2023-06-27

申请号：CN202211611441.6

申请日：2022-12-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 文泰欢 ,  许镇盛 ,  南胜杰 ,  裵鹤烈 ,  李泫宰

IPC: G06N3/063 ,  G11C11/22 ,  G06N3/0464

Abstract: 提供了一种神经网络设备，其包括在第一方向上延伸的多条字线、在与第一方向交叉的第二方向上延伸的多条位线、以及布置在多条字线和多条位线彼此交叉的点处的多个存储器单元。多个存储器单元中的每个存储器单元包括沿着与多个存储器单元中的每个存储器单元相对应的字线并联连接的至少两个铁电存储器。

公开(公告)号：CN115939195A

公开(公告)日：2023-04-07

申请号：CN202210916857.2

申请日：2022-08-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 许镇盛 ,  李润姓 ,  李香淑 ,  赵常玹 ,  南胜杰 ,  文泰欢 ,  裵鹤烈 ,  李银河 ,  李准浩

IPC: H01L29/51 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明公开了一种电子器件，该电子器件包括：衬底，包括源极、漏极以及在源极和漏极之间的沟道；栅电极，布置在衬底上方并面向沟道，栅电极在第一方向上与沟道隔开；以及在沟道和栅电极之间的铁电薄膜结构，该铁电薄膜结构包括在第一方向上从沟道起顺序布置的第一铁电层、包括电介质材料的结晶阻挡层、和第二铁电层。第一铁电层的晶粒的尺寸的平均值可以小于或等于第二铁电层的晶粒的尺寸的平均值，并且由于小的晶粒，可以改善性能的离散。

公开(公告)号：CN114447223A

公开(公告)日：2022-05-06

申请号：CN202111298883.5

申请日：2021-11-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 许镇盛 ,  李润姓 ,  南胜杰 ,  裵鹤烈 ,  文泰欢 ,  赵常玹

IPC: H01L49/02 ,  H01L29/78 ,  H01L27/088 ,  H01L27/11507 ,  H01L27/1159

Abstract: 提供了一种包括铁电层和两个或更多个电极层的铁电半导体器件和包括其的半导体装置。该半导体器件可以包括第一电极层和第二电极层，第一电极层和第二电极层具有比铁电层的热膨胀系数小的热膨胀系数。第二电极层的热膨胀系数和铁电层的热膨胀系数之间的差异可以大于第一电极层的热膨胀系数和铁电层的热膨胀系数之间的差异。第二电极层可以具有比第一电极层的厚度大的厚度。

公开(公告)号：CN116249353A

公开(公告)日：2023-06-09

申请号：CN202211550188.8

申请日：2022-12-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 许镇盛 ,  裵鹤烈 ,  杨承烈 ,  李珉贤 ,  文泰欢

IPC: H10B51/20 ,  H10B51/30

Abstract: 本公开提供了垂直非易失性存储器器件和包括其的电子装置。该垂直非易失性存储器器件可以包括：多个绝缘层和多个导电层，在垂直于衬底的表面的方向上交替地堆叠在衬底的表面上；在衬底上的沟道层，其中沟道层在垂直于衬底的表面的方向上延伸，沟道层可以在所述多个绝缘层的侧表面和所述多个导电层的侧表面上；以及铁电层，在沟道层与所述多个导电层的侧表面之间。

公开(公告)号：CN116137783A

公开(公告)日：2023-05-19

申请号：CN202211432876.4

申请日：2022-11-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 南胜杰 ,  裵鹤烈 ,  许镇盛

IPC: H10B51/30 ,  G11C11/54 ,  G11C11/22 ,  G06N3/063

Abstract: 本公开提供了铁电存储器件、神经网络装置以及电子装置。一种铁电存储器件可以包括：源极；漏极；沟道层，在源极和漏极之间并且连接到源极和漏极；第一栅电极和第二栅电极，位于沟道层上以彼此间隔开；以及铁电层，在沟道层和第一栅电极之间以及在沟道层和第二栅电极之间。不同的电压可以被施加到第一栅电极和第二栅电极。

公开(公告)号：CN114566466A

公开(公告)日：2022-05-31

申请号：CN202111402444.4

申请日：2021-11-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金尚昱 ,  南胜杰 ,  文泰欢 ,  李光熙 ,  许镇盛 ,  裵鹤烈 ,  李润姓

IPC: H01L21/8238

Abstract: 提供了一种半导体器件，包括具有半导体沟道层和金属氧化物半导体沟道层的第一半导体晶体管，并且具有其中第二半导体晶体管堆叠在第一半导体晶体管的顶部上的结构。第二半导体晶体管的栅极堆叠和第一半导体晶体管的栅极堆叠的顶部可以重叠大于或等于90％。第一半导体晶体管和第二半导体晶体管可以具有相似水平的操作特性。

公开(公告)号：CN116137287A

公开(公告)日：2023-05-19

申请号：CN202211433777.8

申请日：2022-11-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 裵鹤烈 ,  崔悳铉 ,  许镇盛 ,  李润姓 ,  南胜杰 ,  李泫宰

IPC: H01L29/10 ,  H01L29/51 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 提供一种半导体器件、其制造方法、半导体装置及电子装置。该半导体器件包括具有包含掺杂剂的沟道层的基板、在沟道层上的铁电层、以及在铁电层上的栅极。沟道层具有1×1015cm‑3至1×1021cm‑3的掺杂浓度。

公开(公告)号：CN115881189A

公开(公告)日：2023-03-31

申请号：CN202211184303.4

申请日：2022-09-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 许镇盛 ,  裵鹤烈 ,  南胜杰 ,  李泫宰 ,  崔悳铉

IPC: G11C15/04 ,  G11C11/56 ,  G11C8/14

Abstract: 提供了内容可寻址存储器和包括其的电子装置。该内容可寻址存储器可以包括连接到匹配线、字线和搜索线的存储器单元，存储器单元包括掺有不同掺杂剂的第一沟道层和第二沟道层。

公开(公告)号：CN114551719A

公开(公告)日：2022-05-27

申请号：CN202111419151.7

申请日：2021-11-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 许镇盛 ,  文泰欢 ,  裵鹤烈 ,  南胜杰 ,  金尚昱 ,  李光熙

IPC: H01L45/00 ,  H01L27/24

Abstract: 本发明公开了一种半导体器件、包括该半导体器件的半导体装置、以及包括该半导体器件的电子设备。该半导体装置包括多个半导体器件。半导体器件均在两个电极之间包括铁电层、导电金属氧化物层和半导体层。导电金属氧化物层可以在铁电层和半导体层之间。铁电层、导电金属氧化物层和半导体层可以都包括金属氧化物。导电金属氧化物层可以包括从由铟氧化物、锌氧化物、锡氧化物及其任意组合组成的组中选择的一种或更多种材料。