公开(公告)号：CN118250996A

公开(公告)日：2024-06-25

申请号：CN202311786037.7

申请日：2023-12-22

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 金尚昱 ,  李光熙 ,  杨智恩 ,  郑文一 ,  金恩太 ,  车映官

IPC分类号： H10B12/00 ,  H01L27/088 ,  H01L29/10

摘要： 本发明构思提供了包括垂直沟道晶体管的存储装置和包括该存储装置的电子装置，该存储装置包括：在衬底上的读取字线、沿垂直于衬底的上表面的平面延伸的第一沟道、平行地面对第一沟道的第二沟道、在第一沟道和第二沟道之间与第一沟道相邻的第一栅极绝缘层、在第一沟道和第二沟道之间与第二沟道相邻的第二栅极绝缘层、在第一栅极绝缘层和第二栅极绝缘层之间与第一栅极绝缘层相邻的栅电极、在第一栅极绝缘层和第二栅极绝缘层之间与第二栅极绝缘层相邻的写入字线、电连接到第一沟道的读取位线、以及电连接到第二沟道的写入位线。

公开(公告)号：CN117855273A

公开(公告)日：2024-04-09

申请号：CN202311289923.9

申请日：2023-09-28

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 杨智恩 ,  金尚昱 ,  金恩太 ,  李光熙 ,  郑文一

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/786 ,  H01L29/06 ,  H01L29/24 ,  H01L21/34

摘要： 提供了一种半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括提供在基板上的下电极、提供在下电极上并包含第一铟的缓冲层、提供在缓冲层上并包含第二铟的氧化物半导体层、与氧化物半导体层隔开提供的栅电极、以及提供在氧化物半导体层上的上电极，其中第一铟的含量大于第二铟的含量。

公开(公告)号：CN110120400B

公开(公告)日：2023-12-26

申请号：CN201910109754.3

申请日：2019-02-11

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 李启滉 ,  李光熙 ,  尹晟荣 ,  林东皙 ,  陈勇完

IPC分类号： H10K39/32 ,  H10K39/30

摘要： 本发明提供一种有机图像传感器，该有机图像传感器可以配置为获得与被该有机图像传感器吸收的光中的特定波长谱相关的颜色信号，并可以省略滤色器。该有机图像传感器可以包括包含第一材料和第二材料的有机光电转换层。第一材料可以吸收第一波长谱的光，第二材料可以吸收第二波长谱的光。有机光电转换层可以包括堆叠的上层和下层，下层和上层的相应材料组成可以是第一材料和第二材料的第一和第二混合物。第一混合物中第一材料与第二材料的比率可以大于1/1，第二混合物中第一材料与第二材料的比率可以小于1/1。

公开(公告)号：CN115440753A

公开(公告)日：2022-12-06

申请号：CN202210527472.7

申请日：2022-05-16

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 琴东旻 ,  金泰汉 ,  金范锡 ,  朴俊城 ,  李光熙 ,  李允基

IPC分类号： H01L27/146

摘要： 公开了图像传感器的像素阵列及其制造方法和图像传感器。所述图像传感器的像素阵列包括多个像素组。每个像素组包括：多个单位像素，彼此相邻并且分别包括设置在半导体基底中的光电转换元件；滤色器，由所述多个单位像素共用；以及多个微透镜，设置在滤色器上并且具有彼此不同的尺寸，使得所述多个微透镜将入射光分别聚焦到包括在所述多个单位像素中的光电转换元件。通过调整微透镜的尺寸，减小了单位像素的感测灵敏度的偏差并且增强了由图像传感器捕获的图像的质量。

公开(公告)号：CN114598794A

公开(公告)日：2022-06-07

申请号：CN202111464430.5

申请日：2021-12-03

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 李太星 ,  琴东旻 ,  金范锡 ,  金镇浩 ,  朴俊城 ,  李光熙 ,  李东奎 ,  李允基

IPC分类号： H04N5/225 ,  H04N5/232 ,  H04N5/357 ,  H04N5/369 ,  H01L27/146

摘要： 一种图像传感器包括普通像素、第一自动聚焦(AF)像素和第二AF像素，普通像素、第一AF像素和第二AF像素中的每个包括光电二极管。图像传感器还包括设置在普通像素上的普通微透镜以及设置在第一AF像素和第二AF像素上的第一AF微透镜。普通像素的光电二极管、第一AF像素的光电二极管和第二AF像素的光电二极管分别设置在半导体衬底的光电检测区中。第一AF微透镜从半导体衬底的顶表面起在垂直方向上的高度大于普通微透镜从半导体衬底的顶表面起在垂直方向上的高度。

公开(公告)号：CN106992252B

公开(公告)日：2021-12-07

申请号：CN201611078238.1

申请日：2016-11-29

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 林东皙 ,  林宣晶 ,  李光熙 ,  X.布利亚德 ,  陈勇完 ,  八木弹生

IPC分类号： H01L51/42 ,  H01L51/46 ,  H01L27/30

摘要： 本发明涉及有机光电器件、图像传感器和电子设备。有机光电器件包括：彼此面对的第一电极和第二电极；在所述第一电极和所述第二电极之间并且包括提供p‑n结的第一材料和第二材料的光电转换层；以及在所述第一电极和所述光电转换层之间并且包括第三材料的与所述第一电极邻近的夹层，其中所述第一材料和所述第三材料为各自具有约1.7eV‑约2.3eV的能带隙的有机材料，并且提供包括其的图像传感器。

公开(公告)号：CN107039472B

公开(公告)日：2021-12-03

申请号：CN201610948687.0

申请日：2016-10-26

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 李光熙 ,  李启滉 ,  尹晟荣 ,  林东皙 ,  X.布利亚德 ,  陈勇完

IPC分类号： H01L27/146

摘要： 本公开提供一种图像传感器以及包括该图像传感器的电子装置。电子装置可以包括至少一个图像传感器，该图像传感器包括：多个光感测器件；光电器件，在半导体基板的一侧并配置为选择性地感测第一可见光；以及多个滤色器，分别在相应的光感测器件上。该多个滤色器可以包括：第一滤色器，配置为选择性地透射不同于第一可见光的第二可见光；和第二滤色器，透射包括第二可见光的第一混合光。该电子装置可以包括多个滤色器单元阵列。该电子装置可以包括在不同的滤色器单元阵列上的不同光电器件。不同的光电器件可以配置为感测不同波长谱的光。

公开(公告)号：CN111488119A

公开(公告)日：2020-08-04

申请号：CN201911233688.7

申请日：2019-12-05

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 金哲珉 ,  李芝庸 ,  朴钟闵 ,  徐德浩 ,  李光熙

IPC分类号： G06F3/06

摘要： 提供了一种用于哈希解决方案的半导体存储器件及其驱动方法。所述半导体存储器件包括：哈希逻辑块，所述哈希逻辑块包括多个被配置为执行哈希函数的哈希逻辑；存储单元块，所述存储单元块包括多个存储单元；以及输入/输出(I/O)控制结构，所述I/O控制结构被配置为基于要执行的所述哈希函数的特性更改所述哈希逻辑块与所述存储单元块之间的数据接口。

公开(公告)号：CN110875342A

公开(公告)日：2020-03-10

申请号：CN201910831497.4

申请日：2019-09-03

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 李旭 ,  宋义永 ,  李光熙 ,  权义熙 ,  金宰浩 ,  安正言卓

IPC分类号： H01L27/146 ,  H04N5/378

摘要： 图像传感器可包括半导体衬底，该半导体衬底具有在其上的光接收表面和在其中的相邻位置处的多个间隔开的光电转换区域。光栅结构设置在光接收表面上。该光栅结构与多个间隔开的光电转换区域中的每一个相对地延伸。光学透明层设置在光栅结构上。该光栅结构包括多个间隔开的光栅图案，这些光栅图案可具有相同的高度和相同的宽度。另外，光栅图案可彼此间隔开均匀的距离。光栅结构被构造为响应于入射在其上的光而选择性地产生到光电转换区域的±1阶或更高阶衍射光。

公开(公告)号：CN105261702B

公开(公告)日：2019-04-16

申请号：CN201510122544.X

申请日：2015-03-19

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 朴敬培 ,  佐藤竜一 ,  李启滉 ,  李光熙 ,  林东晳 ,  陈勇完 ,  八木弹生 ,  许哲准

IPC分类号： H01L51/42 ,  H01L51/46 ,  H01L27/30

摘要： 实例实施方式涉及有机光电器件和包括其的图像传感器，所述有机光电器件包括第一电极、在所述第一电极上并且包括第一p型光吸收材料和第一n型光吸收材料的光吸收层、在所述光吸收层上并且包括具有比所述光吸收层的半宽度(FWHM)小的FWHM的第二p型光吸收材料或第二n型光吸收材料的光吸收辅助层、在所述光吸收辅助层上的电荷辅助层、和在所述电荷辅助层上的第二电极。