公开(公告)号：CN106570212B

公开(公告)日：2021-11-12

申请号：CN201610887556.6

申请日：2016-10-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 全倧旭 ,  朴孝恩 ,  李根浩 ,  权义熙 ,  金宗哲

IPC: G06F30/3312 ,  G06F30/367 ,  G06F111/08 ,  G06F119/02

Abstract: 提供一种基于随机电报信号噪声的电路设计方法和仿真方法。一种仿真方法包括：接收描述多个装置的网表；通过使用分别与所述多个装置对应的随机电报信号(RTS)噪声因子的值，来执行算术运算；基于算术运算的结果，来生成与所述多个装置中的每个装置对应的RTS模型；生成反映RTS模型的网表。

公开(公告)号：CN110895650A

公开(公告)日：2020-03-20

申请号：CN201910857190.1

申请日：2019-09-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 权义熙 ,  齐伟一 ,  路阳 ,  安晨星 ,  冈垣健

IPC: G06F30/392

Abstract: 提供了一种标准单元设计系统。标准单元设计系统包括至少一个处理器，该至少一个处理器被配置为实现：控制引擎，确定目标标准单元的平面参数和垂直参数；三维结构生成引擎，基于平面参数和垂直参数生成目标标准单元的三维结构；提取引擎，从三维结构中提取目标标准单元的标准单元模型；评估引擎，基于标准单元模型执行多个评估操作；以及自动优化引擎，基于机器学习算法，基于多个评估操作的结果来调整平面参数和垂直参数。

公开(公告)号：CN110895650B

公开(公告)日：2024-05-28

申请号：CN201910857190.1

申请日：2019-09-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 权义熙 ,  齐伟一 ,  路阳 ,  安晨星 ,  冈垣健

IPC: G06F30/392

Abstract: 提供了一种标准单元设计系统。标准单元设计系统包括至少一个处理器，该至少一个处理器被配置为实现：控制引擎，确定目标标准单元的平面参数和垂直参数；三维结构生成引擎，基于平面参数和垂直参数生成目标标准单元的三维结构；提取引擎，从三维结构中提取目标标准单元的标准单元模型；评估引擎，基于标准单元模型执行多个评估操作；以及自动优化引擎，基于机器学习算法，基于多个评估操作的结果来调整平面参数和垂直参数。

公开(公告)号：CN114551443A

公开(公告)日：2022-05-27

申请号：CN202111249646.X

申请日：2021-10-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴容喜 ,  姜明吉 ,  权义熙 ,  金胜圭 ,  金雅煐 ,  宋映锡

IPC: H01L27/088 ,  H01L21/8234

Abstract: 一种集成电路器件包括：鳍型有源区，设置在衬底上并且沿第一水平方向延伸；栅极线，设置在所述鳍型有源区上并且沿与所述第一水平方向相交的第二水平方向延伸，所述栅极线包括连接突出部分和主栅极部分，所述连接突出部分包括处于距所述衬底的第一垂直高度处的突出顶表面，所述主栅极部分包括自所述连接突出部分起沿所述第二水平方向延伸的凹陷顶表面，所述凹陷顶表面处于低于所述第一垂直高度的第二垂直高度处；栅极接触，设置在所述栅极线上并且连接到所述连接突出部分；源极/漏极区，设置在所述鳍型有源区上并且与所述栅极线相邻设置；和源极/漏极接触，设置在所述源极/漏极区上。

公开(公告)号：CN105373642B

公开(公告)日：2020-04-28

申请号：CN201510490669.8

申请日：2015-08-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 全倧旭 ,  尹汝一 ,  裵相友 ,  权义熙 ,  李根浩

IPC: G06F30/20

Abstract: 本申请公开了估计电路的自发热特征的模拟系统及其设计方法。使用由计算机执行的电路模拟工具设计半导体电路的方法包括：通过使用电路模拟工具计算所述半导体电路的元件的功耗。基于每个元件的功耗和几何信息，生成关于所述半导体电路的热网表。使用电路模拟工具利用热网表执行半导体电路的模拟以便检测每个元件的温度。所述热网表包括每个元件的热容信息。

公开(公告)号：CN109429020A

公开(公告)日：2019-03-05

申请号：CN201810832477.4

申请日：2018-07-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金曜澖 ,  全倧旭 ,  权义熙

IPC: H04N5/335 ,  H04N5/225 ,  H04N5/378 ,  H01L27/146

Abstract: 一种制造包括第一半导体芯片和第二半导体芯片的图像传感器的方法，包括：接收分别与第一半导体芯片和第二半导体芯片相关联的制造数据；处理制造数据以确定由多个像素中的每个像素生成的像素信号传输到的像素信号传输线的电容和电阻，其中所述电容和电阻对应于与多个像素中的每个像素相关联的位置信息；以及在第一半导体芯片电连接到第二半导体芯片之前，基于所确定的电容和电阻确定图像传感器的预测的特性。基于确定图像传感器的预测的特性至少满足一个或多个目标值的特定集合，第一半导体芯片可以电连接到第二半导体芯片以形成图像传感器。

公开(公告)号：CN105373642A

公开(公告)日：2016-03-02

申请号：CN201510490669.8

申请日：2015-08-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 全倧旭 ,  尹汝一 ,  裵相友 ,  权义熙 ,  李根浩

IPC: G06F17/50

Abstract: 本申请公开了估计电路的自发热特征的模拟系统及其设计方法。使用由计算机执行的电路模拟工具设计半导体电路的方法包括：通过使用电路模拟工具计算所述半导体电路的元件的功耗。基于每个元件的功耗和几何信息，生成关于所述半导体电路的热网表。使用电路模拟工具利用热网表执行半导体电路的模拟以便检测每个元件的温度。所述热网表包括每个元件的热容信息。

公开(公告)号：CN108009310B

公开(公告)日：2023-08-25

申请号：CN201711033038.9

申请日：2017-10-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 乌迪德·莫卡 ,  全倧旭 ,  町田顕 ,  权义熙

IPC: G06F30/367 ,  H01L27/088 ,  H01L29/78 ,  G06F111/10

Abstract: 一种粒子撞击模拟方法，其可基于实施与半导体电路的设计相关联的模拟来预测与所述设计相关联的软错误率(SER)。所述模拟可包括：基于表示所述设计的信息来产生模拟环境；基于所述模拟环境执行粒子撞击模拟，以产生电荷沉积信息；以及从所述电荷沉积信息计算收集电荷量。可判断基于所述收集电荷量预测的软错误率是否至少满足阈值。如果所述预测软错误率值满足阈值，则可修改所述设计，且重复所述模拟。如果所述预测软错误率值小于阈值，则可基于所述设计来制造半导体电路。据此，可提高对三维半导体装置进行软错误率预测的准确性。

公开(公告)号：CN115000066A

公开(公告)日：2022-09-02

申请号：CN202210185336.4

申请日：2022-02-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴容喜 ,  金文铉 ,  权义熙 ,  柳主馨 ,  河大元

IPC: H01L27/088 ,  H01L21/8234

Abstract: 提供了一种半导体装置。所述半导体装置包括：有源区，在基底上沿第一方向延伸；栅极结构，与有源区交叉，并且在基底上沿第二方向上延伸；源区/漏区，位于其中有源区在栅极结构中的每个的两侧上凹陷的凹陷区域中；以及接触插塞，连接到源区/漏区，其中，源区/漏区中的每个源区/漏区包括第一外延层和第二外延层，第一外延层和第二外延层在与基底的上表面垂直的第三方向上在凹陷区域中顺序堆叠在有源区上，并且其中，在源区/漏区中的不同源区/漏区中，第一外延层在第三方向上的厚度与第二外延层在第三方向上的厚度的比是不同的。

公开(公告)号：CN106847876B

公开(公告)日：2021-07-30

申请号：CN201611087672.6

申请日：2016-11-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 宋升炫 ,  金润硕 ,  张圭伯 ,  权义熙 ,  金曜澖 ,  金宗哲 ,  郑椙旭

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/423 ,  H01L29/78

Abstract: 提供了一种半导体器件，所述半导体器件包括：鳍型图案，沿第一方向延伸；器件隔离膜，围绕鳍型图案的同时暴露鳍型图案的上部；栅电极，在器件隔离膜和鳍型图案上沿与第一方向相交的第二方向延伸；栅极隔离膜，将栅电极沿第二方向隔离开，并包括第一材料；层间绝缘膜，在所述器件隔离膜上，填充鳍型图案的侧表面并包括不同于第一材料的第二材料。