公开(公告)号：CN112446167A

公开(公告)日：2021-03-05

申请号：CN202010876227.8

申请日：2020-08-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金宰浩 ,  白康铉 ,  李光熙 ,  全镕宇 ,  权义熙 ,  金润硕

IPC: G06F30/27 ,  G06F119/18 ,  G06K9/62 ,  G06N3/02 ,  G06N20/00

Abstract: 一种指导半导体制造过程的方法包括：接收与目标半导体产品对应的半导体制造过程数据；通过使用技术计算机辅助设计(TCAD)模型来生成与半导体制造过程数据对应的第一半导体特性数据，该TCAD模型是基于包括TCAD模拟数据的训练数据通过机器学习进行训练的；通过使用紧凑模型来生成与半导体制造过程数据对应的第二半导体特性数据，该紧凑模型是基于第一半导体产品的至少一个半导体特性的测量信息来生成的；基于第一半导体特性数据和第二半导体特性数据，通过使用多个对策模型生成分别与多个对策参考对应的多个过程策略；以及基于多个过程策略提供与目标半导体产品对应的最终过程策略。

公开(公告)号：CN106847876A

公开(公告)日：2017-06-13

申请号：CN201611087672.6

申请日：2016-11-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 宋升炫 ,  金润硕 ,  张圭伯 ,  权义熙 ,  金曜澖 ,  金宗哲 ,  郑椙旭

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/423 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L27/0886 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823437 ,  H01L21/823481 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/823828 ,  H01L21/823878 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/0924 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/785 ,  H01L29/7854 ,  H01L29/7855 ,  H01L29/42356

Abstract: 提供了一种半导体器件，所述半导体器件包括：鳍型图案，沿第一方向延伸；器件隔离膜，围绕鳍型图案的同时暴露鳍型图案的上部；栅电极，在器件隔离膜和鳍型图案上沿与第一方向相交的第二方向延伸；栅极隔离膜，将栅电极沿第二方向隔离开，并包括第一材料；层间绝缘膜，在所述器件隔离膜上，填充鳍型图案的侧表面并包括不同于第一材料的第二材料。

公开(公告)号：CN116207071A

公开(公告)日：2023-06-02

申请号：CN202211483155.6

申请日：2022-11-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李东翼 ,  罗相喆 ,  朴基澈 ,  朴斗焕 ,  李敬雨 ,  金洛焕 ,  金润硕 ,  金镇南 ,  罗勋奏 ,  郑恩志 ,  丁柱荣

IPC: H01L23/522 ,  H01L23/528

Abstract: 本公开提供了包括通路结构的半导体器件。一种半导体器件包括基板。布线层在基板之上。第一通路结构直接接触布线层的下部。第二通路结构直接接触布线层的上部。第一通路结构在布线层中产生第一应力。第二通路结构在布线层中产生第二应力。第二应力是与第一应力相反的类型。第一应力和第二应力在布线层中彼此补偿。

公开(公告)号：CN106847876B

公开(公告)日：2021-07-30

申请号：CN201611087672.6

申请日：2016-11-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 宋升炫 ,  金润硕 ,  张圭伯 ,  权义熙 ,  金曜澖 ,  金宗哲 ,  郑椙旭

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/423 ,  H01L29/78

Abstract: 提供了一种半导体器件，所述半导体器件包括：鳍型图案，沿第一方向延伸；器件隔离膜，围绕鳍型图案的同时暴露鳍型图案的上部；栅电极，在器件隔离膜和鳍型图案上沿与第一方向相交的第二方向延伸；栅极隔离膜，将栅电极沿第二方向隔离开，并包括第一材料；层间绝缘膜，在所述器件隔离膜上，填充鳍型图案的侧表面并包括不同于第一材料的第二材料。