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公开(公告)号：CN110852983B
公开(公告)日：2024-03-08
申请号：CN201910501571.6
申请日：2019-06-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06T7/00 , G06N3/0464 , G06V10/762 , G06V10/82
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公开(公告)号：CN114254579A
公开(公告)日：2022-03-29
申请号：CN202110702101.3
申请日：2021-06-24
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了用于对半导体制造工艺进行建模的系统和方法。用于对半导体制造工艺进行建模的系统包括至少一个第一处理器以及至少一个第二处理器。所述至少一个第一处理器被配置为提供通过使用设计图案样本和物理图案样本的多个图像对而训练的至少一个机器学习(ML)模型。物理图案样本是通过使用半导体制造工艺根据设计图案样本而形成的。所述至少一个第二处理器被配置为：将表示设计图案的形状和/或物理图案的形状的输入图像提供给所述至少一个第一处理器，并且基于从所述至少一个第一处理器接收的输出图像来生成定义物理图案和/或设计图案的输出数据。
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公开(公告)号：CN112926743A
公开(公告)日：2021-06-08
申请号：CN202011251713.7
申请日：2020-11-11
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种计算设备，包括：存储计算机可执行指令的存储器；以及处理电路，其被配置为执行计算机可执行指令，使得处理电路被配置为作为机器学习生成器操作，该机器学习生成器被配置为接收半导体工艺参数、根据半导体工艺参数生成半导体工艺结果信息并输出所生成的半导体处理结果信息；并且作为机器学习鉴别器操作，该机器学习鉴别器被配置为从机器学习生成器接收所生成的半导体工艺结果信息并鉴别所生成的半导体工艺结果信息是否为真。
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公开(公告)号：CN101354915A
公开(公告)日：2009-01-28
申请号：CN200810094944.4
申请日：2008-04-30
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本公开提供了相变存储器件、使用该存储器件的存储系统和读取该存储器件的方法。其中，存储器件包括：多个存储单元，每个存储单元包括存储单元材料，所述存储单元具有响应于在编程操作中施加的编程电流而确定的初始电阻，所述存储单元的电阻在所述编程操作后的时段上从所述初始电阻变化，并且每个存储单元连接到存储器件的导通线，所述导通线用于在编程操作中施加编程电流以编程对应的存储单元的电阻，并且用于在读取操作中施加读取电流以读取对应的存储单元的电阻。修改电路修改用于读取操作而选择的多个存储单元的存储单元的电阻，以在所述存储单元的读取操作之前将其电阻返回到接近初始电阻。
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公开(公告)号：CN116136962A
公开(公告)日：2023-05-19
申请号：CN202211433459.1
申请日：2022-11-16
Applicant: 三星电子株式会社 , 首尔大学校产学协力团
IPC: G06N3/045 , G06N3/0464 , G06N3/084 , G06N3/082 , G06T7/20
Abstract: 公开了基于混合神经网络的用于对象跟踪的学习方法和系统。对象跟踪学习系统包括：第一神经网络模块，将针对输入图像的第一参数从第一类型表示并学习为第二类型，并且将学习的结果输出为第一学习结果；第二神经网络模块，移除并学习针对输入图像的第二参数中的一部分的连接，并且将学习的结果输出为第二学习结果；预测模块，根据通过对第一学习结果和第二学习结果进行求和而获得的求和结果来生成输入图像的对象的预测值；以及优化模块，基于所述预测值更新第一参数和第二参数。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116071516A
公开(公告)日：2023-05-05
申请号：CN202211357538.9
申请日：2022-11-01
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06T17/20 , G06N3/0464 , G06N20/00 , G06F30/23
Abstract: 一种三维(3D)建模方法，包括：获得表示3D结构的几何数据和包括确定3D结构的属性的因素的输入参数；根据几何数据来生成网格数据；根据网格数据来顺序地生成至少一条经下采样的数据；对输入参数进行预处理来生成3D特征图；以及基于分别与至少一个级相对应的至少一个机器学习模型，根据至少一条经下采样的网格数据和3D特征图来生成属性简档数据，该属性简档数据表示3D结构中的属性的简档。
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公开(公告)号：CN106847876B
公开(公告)日：2021-07-30
申请号：CN201611087672.6
申请日：2016-11-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/06 , H01L29/423 , H01L29/78
Abstract: 提供了一种半导体器件，所述半导体器件包括：鳍型图案，沿第一方向延伸；器件隔离膜，围绕鳍型图案的同时暴露鳍型图案的上部；栅电极，在器件隔离膜和鳍型图案上沿与第一方向相交的第二方向延伸；栅极隔离膜，将栅电极沿第二方向隔离开，并包括第一材料；层间绝缘膜，在所述器件隔离膜上，填充鳍型图案的侧表面并包括不同于第一材料的第二材料。
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公开(公告)号：CN101354915B
公开(公告)日：2013-09-18
申请号：CN200810094944.4
申请日：2008-04-30
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本公开提供了相变存储器件、使用该存储器件的存储系统和读取该存储器件的方法。其中，存储器件包括：多个存储单元，每个存储单元包括存储单元材料，所述存储单元具有响应于在编程操作中施加的编程电流而确定的初始电阻，所述存储单元的电阻在所述编程操作后的时段上从所述初始电阻变化，并且每个存储单元连接到存储器件的导通线，所述导通线用于在编程操作中施加编程电流以编程对应的存储单元的电阻，并且用于在读取操作中施加读取电流以读取对应的存储单元的电阻。修改电路修改用于读取操作而选择的多个存储单元的存储单元的电阻，以在所述存储单元的读取操作之前将其电阻返回到接近初始电阻。
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公开(公告)号：CN100456512C
公开(公告)日：2009-01-28
申请号：CN200410095711.8
申请日：2004-11-24
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L45/06 , H01L45/122 , H01L45/126 , H01L45/143 , H01L45/144 , H01L45/1666
Abstract: 提供了相变存储器件和制造相变存储器件的方法，相变存储器件包括布置在衬底上的加热电极。加热电极包括加热电极中的电极孔。相变材料图形设置在电极孔中并接触电极孔的侧壁。在某些实施例中，电极孔贯穿加热电极。在某些实施例中，相可变材料图形仅仅在电极孔的侧壁处接触电极。
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