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公开(公告)号：CN106847876A
公开(公告)日：2017-06-13
申请号：CN201611087672.6
申请日：2016-11-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/06 , H01L29/423 , H01L29/78
CPC classification number: H01L27/0886 , H01L21/823431 , H01L21/823437 , H01L21/823481 , H01L21/823821 , H01L21/823828 , H01L21/823878 , H01L27/0207 , H01L27/0924 , H01L29/0649 , H01L29/785 , H01L29/7854 , H01L29/7855 , H01L29/42356
Abstract: 提供了一种半导体器件，所述半导体器件包括：鳍型图案，沿第一方向延伸；器件隔离膜，围绕鳍型图案的同时暴露鳍型图案的上部；栅电极，在器件隔离膜和鳍型图案上沿与第一方向相交的第二方向延伸；栅极隔离膜，将栅电极沿第二方向隔离开，并包括第一材料；层间绝缘膜，在所述器件隔离膜上，填充鳍型图案的侧表面并包括不同于第一材料的第二材料。
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公开(公告)号：CN118260588A
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN202311222256.2
申请日：2023-09-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F18/214 , G06F18/23 , G06N20/00 , G06N3/04
Abstract: 提供了一种提供人工智能(AI)算法的方法、AI算法的操作方法、电子设备、记录介质和计算机程序。提供AI算法的方法包括：加载关于半导体的光谱和半导体的结构的数据集；计算关于半导体的光谱的分布外(OOD)指数；通过将数据集聚类采样到关于根据半导体的OOD指数的至少一个学习数据集中来执行数据拆分；以及提供在已经学习了至少一个学习数据集的多种AI算法当中的最优AI算法。
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公开(公告)号：CN106449631A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201610637818.3
申请日：2016-08-05
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/02 , H01L27/11575 , H01L27/11582 , H01L27/11548 , H01L27/11556
Abstract: 公开了一种半导体装置，所述半导体装置包括基底、多个存储单元阵列和气隙结构。基底包括单元区、外围电路区和边界区。边界区在单元区与外围电路区之间。多个存储单元阵列在单元区上。气隙结构包括形成在基底的边界区中的沟槽。气隙结构限定气隙。
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公开(公告)号：CN115714093A
公开(公告)日：2023-02-24
申请号：CN202211011520.3
申请日：2022-08-23
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供一种晶片缺陷测试设备、晶片缺陷测试系统和制造晶片的方法。晶片缺陷测试设备包括：晶片变量生成器，其基于接收的第一晶片的第一结构测量数据和第一工艺条件数据生成第一工艺变量和第二工艺变量，基于接收的第二晶片的第二结构测量数据和第二工艺条件数据生成第三工艺变量和第四工艺变量；异常晶片指数生成电路，其生成第一晶片向量和第二晶片向量，计算第一晶片向量和第二晶片向量之间的第一欧几里德距离和第一余弦距离，基于第一欧几里德距离和第一余弦距离的乘积生成第一晶片的第一异常晶片指数；和预测模型生成电路，其接收第一特征变量，基于第一工艺变量、第二工艺变量、第一特征变量和第一异常晶片指数通过回归生成晶片缺陷预测模型。
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公开(公告)号：CN105279306A
公开(公告)日：2016-01-27
申请号：CN201510400408.2
申请日：2015-07-09
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G06F17/5081 , G06F17/5009
Abstract: 本发明提供了检测应力、训练简化模型、释放应力的方法及计算系统。一种对包括了由不同材料形成的第一图案和第二图案的集成电路的应力进行检测的方法，该方法可以包括：确定第一图案的一个或多个应力检测点；将包括了一个或多个应力检测点中的第一应力检测点的区域划分为多个分隔区；计算第二图案在各分隔区处的面积；以及/或者基于第二图案在各分隔区处的面积来检测由第二图案施加至第一图案的第一应力检测点的应力水平。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119089945A
公开(公告)日：2024-12-06
申请号：CN202410713503.7
申请日：2024-06-04
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06N3/0464 , G06N3/0442 , G06N3/0475 , G06N3/047 , G06N3/045 , G06N20/10 , G06N3/126 , G06N3/092 , G06N3/086
Abstract: 提供了生成学习模型的方法和用于预测半导体装置结构的设备。所述设备包括：存储设备，被配置为存储学习模型，学习模型被配置为预测半导体装置的结构；以及存储器，被配置为存储至少一个代码，和至少一个处理器，可操作地连接到存储器并且被配置为执行至少一个代码以：将从半导体装置测量的非破坏性计量数据输入到学习模型中，并且基于学习模型预测半导体装置的结构，其中，学习模型使用训练数据被训练，训练数据包括作为非破坏性计量数据的第一数据和作为结构计量数据的第二数据，第二数据是第一数据的参考数据，并且其中，训练数据基于具有作为参考轴的与第一数据对应的第一轴和与第二数据对应的第二轴的空间中的第一投影数据的相似性被细化。
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公开(公告)号：CN105279306B
公开(公告)日：2021-05-18
申请号：CN201510400408.2
申请日：2015-07-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F30/398 , G06F30/20
Abstract: 本发明提供了检测应力、训练简化模型、释放应力的方法及计算系统。一种对包括了由不同材料形成的第一图案和第二图案的集成电路的应力进行检测的方法，该方法可以包括：确定第一图案的一个或多个应力检测点；将包括了一个或多个应力检测点中的第一应力检测点的区域划分为多个分隔区；计算第二图案在各分隔区处的面积；以及/或者基于第二图案在各分隔区处的面积来检测由第二图案施加至第一图案的第一应力检测点的应力水平。
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公开(公告)号：CN117420077A
公开(公告)日：2024-01-19
申请号：CN202310826022.2
申请日：2023-07-06
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G01N21/25 , G01N21/84 , G06F30/27 , G06F18/2135 , G06F18/214 , G06N20/00
Abstract: 公开了用于基于光谱测量结构的方法和系统。所述用于基于光谱测量所述结构的方法包括：获得第一模型，第一模型包括第一子模型和在第一子模型之后的第二子模型并且基于仿真数据被训练；生成第二模型，第二模型包括与第一子模型相同的第三子模型；基于通过测量样本结构的光谱而生成的样本光谱数据，来训练第二模型；以及基于训练后的第二模型，从通过测量所述结构的光谱而生成的测量光谱数据估计所述结构。
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公开(公告)号：CN115729672A
公开(公告)日：2023-03-03
申请号：CN202211020165.6
申请日：2022-08-24
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种器件结构仿真设备和创建预测目标器件的结构的模型的方法。该器件结构仿真设备包括：存储器，其存储器件结构仿真程序；以及处理器，其被配置为执行存储在存储器中的器件结构仿真程序。通过执行器件结构仿真程序，器件结构仿真设备还被配置为接收目标器件的谱数据，通过对谱数据执行预处理来生成输入数据集，并且基于输入数据集来训练模型，使得模型被配置为预测目标器件的结构。预处理包括基于谱数据选择特定基函数并且将谱数据分离为特定基函数的集合，并且模型包括至少一个子模型。
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公开(公告)号：CN106847876B
公开(公告)日：2021-07-30
申请号：CN201611087672.6
申请日：2016-11-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/06 , H01L29/423 , H01L29/78
Abstract: 提供了一种半导体器件，所述半导体器件包括：鳍型图案，沿第一方向延伸；器件隔离膜，围绕鳍型图案的同时暴露鳍型图案的上部；栅电极，在器件隔离膜和鳍型图案上沿与第一方向相交的第二方向延伸；栅极隔离膜，将栅电极沿第二方向隔离开，并包括第一材料；层间绝缘膜，在所述器件隔离膜上，填充鳍型图案的侧表面并包括不同于第一材料的第二材料。
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