-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106449631A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201610637818.3
申请日：2016-08-05
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/02 , H01L27/11575 , H01L27/11582 , H01L27/11548 , H01L27/11556
Abstract: 公开了一种半导体装置，所述半导体装置包括基底、多个存储单元阵列和气隙结构。基底包括单元区、外围电路区和边界区。边界区在单元区与外围电路区之间。多个存储单元阵列在单元区上。气隙结构包括形成在基底的边界区中的沟槽。气隙结构限定气隙。
-
公开(公告)号：CN101626021A
公开(公告)日：2010-01-13
申请号：CN200910140192.5
申请日：2009-07-10
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/105 , H01L29/78 , H01L29/417
CPC classification number: H01L27/11573 , H01L21/823425 , H01L27/0207 , H01L27/105 , H01L27/11519 , H01L27/11526 , H01L27/11531 , H01L27/11568 , H01L29/78
Abstract: 本发明提供一种包括驱动晶体管的半导体装置。一种半导体装置包括在衬底中限定的驱动有源区和在该驱动有源区处设置的至少三个驱动晶体管。所述驱动晶体管共享一个公共源极/漏极，并且每个驱动晶体管包括相互独立的单独源极/漏极。所述公共源极/漏极和单独源极/漏极被设置在驱动有源区中。
-
公开(公告)号：CN119718003A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202410970723.8
申请日：2024-07-19
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种装置和一种用于调整数据与时钟之间的偏斜的方法。由电源电压驱动的装置包括调整数据与时钟之间的偏斜的时钟电路。时钟电路基于数据与时钟之间的相位差执行经过第一环路的第一环路操作以及经过第二环路的第二环路操作。执行第一环路操作，直到数据和时钟之间没有相位差为止，并且执行第二环路操作，直到表示数据相对于电源电压电平的延迟变化的第一斜率和表示时钟延迟变化的第二斜率变得彼此相同为止。
-
公开(公告)号：CN106449631B
公开(公告)日：2020-03-13
申请号：CN201610637818.3
申请日：2016-08-05
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/02 , H01L27/11575 , H01L27/11582 , H01L27/11548 , H01L27/11556
Abstract: 公开了一种半导体装置，所述半导体装置包括基底、多个存储单元阵列和气隙结构。基底包括单元区、外围电路区和边界区。边界区在单元区与外围电路区之间。多个存储单元阵列在单元区上。气隙结构包括形成在基底的边界区中的沟槽。气隙结构限定气隙。
-
公开(公告)号：CN101626021B
公开(公告)日：2014-01-29
申请号：CN200910140192.5
申请日：2009-07-10
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/105 , H01L29/78 , H01L29/417
CPC classification number: H01L27/11573 , H01L21/823425 , H01L27/0207 , H01L27/105 , H01L27/11519 , H01L27/11526 , H01L27/11531 , H01L27/11568 , H01L29/78
Abstract: 本发明提供一种包括驱动晶体管的半导体装置。一种半导体装置包括在衬底中限定的驱动有源区和在该驱动有源区处设置的至少三个驱动晶体管。所述驱动晶体管共享一个公共源极/漏极，并且每个驱动晶体管包括相互独立的单独源极/漏极。所述公共源极/漏极和单独源极/漏极被设置在驱动有源区中。
-
-
-
-
Search Results
5
records
(took 0.027 seconds)
