公开(公告)号：CN101751997A

公开(公告)日：2010-06-23

申请号：CN200910226570.1

申请日：2009-11-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔东郁 ,  崔正达 ,  李忠浩 ,  许星会 ,  刘民胎

IPC: G11C16/02 ,  G11C16/14

CPC classification number: G11C16/16 ,  G11C16/0483 ,  G11C16/10

Abstract: 一种快闪存储器件，包括：本体区域；第一到第n存储单元晶体管，在所述本体区域上被排列成行；第一到第n字线，分别与所述第一到第n存储单元晶体管的栅极连接；第一虚拟单元晶体管，与所述第一存储单元晶体管连接；第一虚拟字线，与所述第一虚拟单元晶体管的栅极连接；第一选择晶体管，与所述第一虚拟晶体管连接，第一选择线，与所述第一选择晶体管的栅极连接；电压控制单元，与所述第一选择线连接，所述电压控制单元被适配成在用于擦除所述第一到第n存储单元晶体管的擦除模式中向所述第一选择线输出一低于施加到所述本体区域的电压的电压。

公开(公告)号：CN101626021B

公开(公告)日：2014-01-29

申请号：CN200910140192.5

申请日：2009-07-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李世薰 ,  李忠浩 ,  崔晶东 ,  金泰瑢 ,  金宇中 ,  张桐熏 ,  尹永培 ,  金基玄 ,  刘民胎

IPC: H01L27/105 ,  H01L29/78 ,  H01L29/417

CPC classification number: H01L27/11573 ,  H01L21/823425 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/105 ,  H01L27/11519 ,  H01L27/11526 ,  H01L27/11531 ,  H01L27/11568 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明提供一种包括驱动晶体管的半导体装置。一种半导体装置包括在衬底中限定的驱动有源区和在该驱动有源区处设置的至少三个驱动晶体管。所述驱动晶体管共享一个公共源极/漏极，并且每个驱动晶体管包括相互独立的单独源极/漏极。所述公共源极/漏极和单独源极/漏极被设置在驱动有源区中。

公开(公告)号：CN111081711B

公开(公告)日：2025-04-04

申请号：CN201911005796.9

申请日：2019-10-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴世准 ,  刘民胎 ,  李载德

IPC: H10B41/27

Abstract: 提供了一种可靠性得到改善的非易失性存储器装置。该非易失性存储器装置包括：模制结构，其包括顺序地堆叠在衬底上的第一绝缘图案、第一栅电极和第二绝缘图案；半导体图案，其穿透模制结构，连接到衬底，并在第一方向上延伸；第一电荷存储膜，其在第一方向上延伸，并位于第一绝缘图案与第二绝缘图案之间以及第一栅电极与半导体图案之间；以及阻挡绝缘膜，其位于第一栅电极和第一电荷存储膜之间，其中，第一电荷存储膜在第一方向上延伸的第一长度比阻挡绝缘膜在第一方向上延伸的第二长度长。

公开(公告)号：CN111081711A

公开(公告)日：2020-04-28

申请号：CN201911005796.9

申请日：2019-10-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴世准 ,  刘民胎 ,  李载德

IPC: H01L27/11556

Abstract: 提供了一种可靠性得到改善的非易失性存储器装置。该非易失性存储器装置包括：模制结构，其包括顺序地堆叠在衬底上的第一绝缘图案、第一栅电极和第二绝缘图案；半导体图案，其穿透模制结构，连接到衬底，并在第一方向上延伸；第一电荷存储膜，其在第一方向上延伸，并位于第一绝缘图案与第二绝缘图案之间以及第一栅电极与半导体图案之间；以及阻挡绝缘膜，其位于第一栅电极和第一电荷存储膜之间，其中，第一电荷存储膜在第一方向上延伸的第一长度比阻挡绝缘膜在第一方向上延伸的第二长度长。

公开(公告)号：CN101751997B

公开(公告)日：2014-06-11

申请号：CN200910226570.1

申请日：2009-11-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔东郁 ,  崔正达 ,  李忠浩 ,  许星会 ,  刘民胎

IPC: G11C16/02 ,  G11C16/14

CPC classification number: G11C16/16 ,  G11C16/0483 ,  G11C16/10

Abstract: 一种快闪存储器件，包括：本体区域；第一到第n存储单元晶体管，在所述本体区域上被排列成行；第一到第n字线，分别与所述第一到第n存储单元晶体管的栅极连接；第一虚拟单元晶体管，与所述第一存储单元晶体管连接；第一虚拟字线，与所述第一虚拟单元晶体管的栅极连接；第一选择晶体管，与所述第一虚拟晶体管连接，第一选择线，与所述第一选择晶体管的栅极连接；电压控制单元，与所述第一选择线连接，所述电压控制单元被适配成在用于擦除所述第一到第n存储单元晶体管的擦除模式中向所述第一选择线输出一低于施加到所述本体区域的电压的电压。

公开(公告)号：CN101626021A

公开(公告)日：2010-01-13

申请号：CN200910140192.5

申请日：2009-07-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李世薰 ,  李忠浩 ,  崔晶东 ,  金泰瑢 ,  金宇中 ,  张桐熏 ,  尹永培 ,  金基玄 ,  刘民胎

IPC: H01L27/105 ,  H01L29/78 ,  H01L29/417

CPC classification number: H01L27/11573 ,  H01L21/823425 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/105 ,  H01L27/11519 ,  H01L27/11526 ,  H01L27/11531 ,  H01L27/11568 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明提供一种包括驱动晶体管的半导体装置。一种半导体装置包括在衬底中限定的驱动有源区和在该驱动有源区处设置的至少三个驱动晶体管。所述驱动晶体管共享一个公共源极/漏极，并且每个驱动晶体管包括相互独立的单独源极/漏极。所述公共源极/漏极和单独源极/漏极被设置在驱动有源区中。