-
公开(公告)号：CN119545798A
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202411548111.6
申请日：2024-11-01
Applicant: 北京磐芯微电子科技有限公司
Abstract: 本公开提供了一种闪存单元的擦除方法。该闪存单元包括串联连接的存储晶体管和选通晶体管。根据本公开的擦除方法包括将各擦除电压施加到闪存单元的各电极以及各晶体管的栅电极，其中施加到被擦除的存储晶体管的栅电极的擦除电压低于第二电源电压，从而发生沟道热电子诱导热空穴注入物理效应，以将在沟道中的热空穴吸引到存储介质层中以实现擦除。本公开的闪存单元的擦除方法较之现有的带带隧穿热空穴(BBHH)擦除方法具有更宽的空穴分布和更高的注入效率，使得根据本公开的擦除方法具有更高的擦除速度、更大的擦除窗口、更小的热载流子损伤、更低的漏电流以及更高的耐久可靠性。
-
公开(公告)号：CN119495344A
公开(公告)日：2025-02-21
申请号：CN202311056685.7
申请日：2023-08-21
Applicant: 长江存储科技有限责任公司
Abstract: 本公开提供了一种存储器的操作方法、存储器及存储器系统，涉及半导体芯片技术领域。操作方法包括：在擦除阶段，向字线施加擦除电压，向目标选择管耦接的选择栅线施加擦除电压；在选择管编程阶段，向字线施加通过电压，向目标选择管耦接的选择栅线施加编程电压。本公开提高了底部选择管的工作稳定性，进而缩短了对存储器进行编程所需花费的时间。
-
公开(公告)号：CN119446232A
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202411535076.4
申请日：2024-10-30
Applicant: 深圳市昇维旭技术有限公司
Inventor： 郭帅
Abstract: 本公开提供了一种存储单元、存储器及数据读取方法、擦除方法、电子设备，涉及半导体技术领域。该存储单元包括：写晶体管和读晶体管和擦除单元；写晶体管和读晶体管均为垂直结构晶体管；写晶体管包括写沟道结构和写栅极结构，写沟道结构包括第一源漏区、写沟道区和第二源漏区；读晶体管包括读栅极结构和读沟道结构，读沟道结构包括第三源漏区、读沟道区和第四源漏区；第二源漏区与读栅极结构导电连接，写沟道结构在衬底上的投影与读栅极结构在衬底上的投影存在交叠；擦除单元包覆在写沟道结构的部分侧壁上，擦除单元位于写栅极结构靠近第二源漏区的一侧。本公开提供的擦除单元可以提高器件的数据擦除速度，减少浮体效应。
-
公开(公告)号：CN119380770A
公开(公告)日：2025-01-28
申请号：CN202410694135.6
申请日：2024-05-31
Applicant: 爱思开海力士有限公司
Abstract: 本公开涉及一种支持字线保持操作的存储器装置及其操作方法。该存储器装置包括：存储器单元阵列；以及控制器，被配置为：执行编程循环直到选择存储器单元的编程操作成功，每个编程循环包括电压施加操作、字线保持操作和验证操作；在字线保持操作期间，将具有高于接地电压的电平的保持通过电压施加到具有编程状态的第一字线和具有擦除状态的第二字线中的每一个，第一字线和第二字线属于多条字线之中的未选择字线；在验证操作期间，将具有高于保持通过电压的电平的验证通过电压施加到属于第一字线和第二字线的K条字线，并且将保持通过电压施加到第二字线之中除了该K条字线之外的其余字线。
-
公开(公告)号：CN111933203B
公开(公告)日：2025-01-28
申请号：CN202010674773.3
申请日：2020-07-14
Applicant: 深圳佰维存储科技股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种存储芯片物理销毁判断方法、电路、装置、介质及设备，该存储芯片物理销毁判断方法包括：接收物理销毁信号，启动销毁电源；实时检测分压电路的实时电压，销毁电源连接于分压电路的两端；判断实时电压的电压变化是否大于阈值，若是，则停止对当前存储芯片的物理销毁。本发明在进行高压物理销毁时，能智能调节销毁电压的输出时间，达到销毁完全且节省电能的目的，以高效且彻底的销毁存储芯片。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118629462B
公开(公告)日：2025-01-07
申请号：CN202410654033.1
申请日：2024-05-23
Applicant: 威顿智存科技(上海)有限公司
Abstract: 本申请提供了一种具备RAM操作和NVM特征的非易失性半导体存储装置，包括：由10个半导体元件组成的存储单元，存储单元包括一个由6个半导体元件组成的SRAM存储单元部分和一个由4个半导体元件组成的非易失性存储器部分；其中，非易失性存储器部分包括两组双元件，每组双元件包括串联连接的一个非易失性存储单元晶体管和一个N型沟道晶体管或者P型沟道晶体管，双元件的每个晶体管均与SRAM存储单元部分相连接；非易失性存储单元晶体管为P型沟道晶体管，非易失性存储单元晶体管的沟道区域上方具有包括绝缘层的电荷存储层，电荷存储层上方具有依次层叠的绝缘层和栅极；两组双元件分别与SRAM存储单元部分的正存储节点和负存储节点相连。至少有利于降低制造成本以及提高存储单元的集成密度。
-
公开(公告)号：CN119207517A
公开(公告)日：2024-12-27
申请号：CN202411508058.7
申请日：2024-10-28
Applicant: 上海朔集半导体科技有限公司
Abstract: 本申请提供了一种行地址解码电路、存储器以及芯片，该行地址解码电路包括：译码模块，用于将地址信号译码为行地址，输出译码信号；驱动模块，用于将译码模块输出的译码信号转换为行选信号；隔离模块，输入端耦接译码模块的输出端，输出端耦接驱动模块的输入端，隔离模块在驱动模块的电源电压高于第一预设阈值时断开，隔离模块在驱动模块的电源电压低于第一预设阈值时导通。本申请提供了一种对低压器件和高压器件进行有效隔离的技术方案。
-
公开(公告)号：CN118748032B
公开(公告)日：2024-12-27
申请号：CN202411141127.5
申请日：2024-08-20
Applicant: 杭州积海半导体有限公司
Abstract: 本发明提供了一种电荷泵稳压电路，包括：振荡频率提供电路，用于提供若干个振荡频率；Mux电路，用于接收若干个振荡频率和控制信号，根据控制信号的值选择对应的振荡频率作为驱动时钟频率，并输出驱动时钟频率，其中，振荡频率与控制信号的值一一对应；电荷泵，用于根据所述驱动时钟频率，将输入电压升压到对应的值，并输出电压；分压电路，用于将所述电荷泵的输出电压进行分压，以得到若干个电荷泵分压；比较电路，用于将若干个所述电荷泵分压与参考电压分别进行比较，以得到若干个比较值，并且将所述比较值作为所述Mux电路的控制信号。本发明减少了电荷泵输出电压的波纹并且提高了电荷泵输出电压的稳定精度。
-
公开(公告)号：CN118571290B
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202411062796.3
申请日：2024-08-05
Applicant: 联和存储科技(江苏)有限公司
Abstract: 本发明涉及闪存存储器技术领域，具体公开了一种非易失性存储装置及电子设备，包括：存储单元阵列和页面缓冲阵列，存储单元阵列包括多个存储单元，页面缓冲阵列包括多个页面缓冲器；每个页面缓冲器均配置多个高压开关模块，每个高压开关模块均通过连接线单元连接对应的存储单元，多个高压开关模块的连接线单元沿第二平面的第一水平方向依次间隔设置；每个页面缓冲器所配置的多个高压开关模块在第一平面的第二水平方向上呈依次错位设置以使得每个高压开关模块位于其对应的连接线单元两侧的电流区域面积差值小于预设阈值。本发明提供的非易失性存储装置能够减缓由于高压开关装置的布局排列而产生的特性差异从而提升存储装置的工作稳定性。
-
公开(公告)号：CN117524268B
公开(公告)日：2024-11-19
申请号：CN202311611922.1
申请日：2021-07-14
Applicant: 铁电存储器股份有限公司
Abstract: 存储器单元布置和操作存储器单元布置的方法。该存储器单元布置包括：存取器件集，每个存取器件配置为经由与其关联的第一和第二控制线集可单独寻址；多个存储器单元，其中的存储器单元配置为经由与其关联的第三和第四控制线集可单独寻址，存取器件集配置为基于供给到第一和第二控制线集的控制电压控制供给到存储器单元布置的第三控制线集的电压；多个存储器单元中的每个包括第一和第二电极部分；多个存储器单元中的每个的第一电极部分连接到存取器件集中对应存取器件，和/或多个存储器单元中的每一者的第一电极部分连接到第四控制线集中对应第四控制线；多个存储器单元中的每一者的第一和/或第二电极部分包括金属材料或至少不包括半导体材料。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
1958
records
(took 0.019 seconds)
