存储器设备和操作该存储器设备的方法

    公开(公告)号:CN114627943A

    公开(公告)日:2022-06-14

    申请号:CN202110869887.8

    申请日:2021-07-30

    Inventor: 李宗勋 朴世泉

    Abstract: 本公开涉及存储器设备和操作该存储器设备的方法。存储器设备可以包括多个存储器单元、外围电路和控制逻辑。外围电路可以对多个存储器单元执行编程操作,并且可以执行编程验证操作,编程验证操作对应于在编程操作中编程的多个编程状态,每个编程验证操作包括至少一个验证循环。控制逻辑可以控制外围电路以执行验证脉冲施加操作,并且在目标验证循环计数超过对应于目标编程状态的基准计数时,可以控制外围电路以执行附加验证脉冲施加操作,并且控制逻辑可以基于验证脉冲施加操作的结果和附加验证脉冲施加操作的结果,确定对应于目标编程状态的编程验证操作的失败。附加验证脉冲施加操作的验证电压高于验证脉冲施加操作的验证电压。

    存储器系统、存储器控制器及其操作方法

    公开(公告)号:CN114121106A

    公开(公告)日:2022-03-01

    申请号:CN202110419026.X

    申请日:2021-04-19

    Inventor: 崔元载 朴世泉

    Abstract: 本公开涉及一种存储器系统、存储器控制器及其操作方法。本技术涉及一种电子装置。一种用于提高数据可靠性的存储器系统包括:存储器装置,其包括多个页;以及存储器控制器,其被配置成纠正通过读取多个页当中的选定页而获得的读取数据中的错误,并且基于读取数据中包括的错误位的数量来确定是否对选定页执行刷新操作。存储器控制器包括:正常读取操作控制器,其被配置成控制对选定页的读取操作并且确定读取数据中的错误位的数量;纠错执行组件,其被配置成纠正读取数据;以及数据恢复控制器,其被配置成当读取数据中的错误被纠正时,基于读取数据中的错误位的数量来控制对选定页的刷新操作。

    存储器装置及操作存储器装置的方法

    公开(公告)号:CN119181407A

    公开(公告)日:2024-12-24

    申请号:CN202311725276.1

    申请日:2023-12-15

    Abstract: 本发明涉及一种存储器装置及操作存储器装置的方法。该存储器装置包括:存储器单元阵列,包括多个存储器单元串并且联接在多个位线和多个字线之间,多个位线共同联接到公共源极线;以及控制部,适于:在针对联接到多个字线中的所选择字线的所选择存储器单元的读取操作期间将位线预充电至第一电平,并且在针对所选择存储器单元的编程操作的验证操作期间将位线预充电至第二电平,其中第二电平比第一电平低设定电平。

    存储器装置及其操作方法
    5.
    发明公开

    公开(公告)号:CN118629476A

    公开(公告)日:2024-09-10

    申请号:CN202311054601.6

    申请日:2023-08-21

    Abstract: 本申请涉及存储器装置及其操作方法。一种存储器装置可包括:存储器单元,其连接到所选字线;以及外围电路,其被配置为在对所选字线的模糊编程操作期间存储关于目标编程状态被确定为模糊编程通过的模糊编程通过循环的信息,基于模糊编程通过循环来计算精细编程通过循环,并且在对所选字线的精细编程操作的精细编程通过循环中将目标编程状态确定为精细编程通过。

    存储器装置及其操作方法
    6.
    发明公开

    公开(公告)号:CN117437962A

    公开(公告)日:2024-01-23

    申请号:CN202310188313.3

    申请日:2023-02-27

    Abstract: 本公开涉及一种存储器装置及其操作方法。一种存储器装置包括连接到多条字线的存储器单元。存储器装置还包括读取操作执行器,其被配置为执行将均衡电压施加到多条字线并且将读取电压施加到选定字线的读取操作。存储器装置还包括失败单元计数器,其被配置为在每个时间点对连接到选定字线的选定存储器单元中的导通单元的数量进行计数。存储器装置还包括读取操作控制器,其被配置为控制读取操作执行器基于比较在每个时间点处的导通单元的数量的结果来确定评估时段的长度,并且被配置为在从选定字线的电压达到读取电压时的时间起经过评估时段之后感测分别连接到选定存储器单元的位线的电压。

    存储器装置及其操作方法
    7.
    发明公开

    公开(公告)号:CN117174150A

    公开(公告)日:2023-12-05

    申请号:CN202310008594.X

    申请日:2023-01-04

    Inventor: 李宗勋 朴世泉

    Abstract: 本文可提供一种存储器装置及其操作方法。该存储器装置可包括:多个存储器单元;外围电路,其被配置为执行使用第一验证电压和第二验证电压识别多个存储器单元的阈值电压的验证操作;以及编程操作控制器,其被配置为控制外围电路在验证操作终止之后并且在编程电压被施加到多个存储器单元的时段期间,将第一控制信号施加到与具有高于第一验证电压且低于第二验证电压的阈值电压的第一存储器单元联接的页缓冲器,并且将具有低于第一控制信号的电平电压的第二控制信号施加到页缓冲器。

    存储器系统、存储器控制器及其操作方法

    公开(公告)号:CN114121106B

    公开(公告)日:2024-12-06

    申请号:CN202110419026.X

    申请日:2021-04-19

    Inventor: 崔元载 朴世泉

    Abstract: 本公开涉及一种存储器系统、存储器控制器及其操作方法。本技术涉及一种电子装置。一种用于提高数据可靠性的存储器系统包括:存储器装置,其包括多个页;以及存储器控制器,其被配置成纠正通过读取多个页当中的选定页而获得的读取数据中的错误,并且基于读取数据中包括的错误位的数量来确定是否对选定页执行刷新操作。存储器控制器包括:正常读取操作控制器,其被配置成控制对选定页的读取操作并且确定读取数据中的错误位的数量;纠错执行组件,其被配置成纠正读取数据;以及数据恢复控制器,其被配置成当读取数据中的错误被纠正时,基于读取数据中的错误位的数量来控制对选定页的刷新操作。

    执行编程操作的存储器装置及其操作方法

    公开(公告)号:CN118447903A

    公开(公告)日:2024-08-06

    申请号:CN202311132266.7

    申请日:2023-09-04

    Abstract: 本申请涉及执行编程操作的存储器装置及其操作方法。一种存储器装置包括:存储块,其包括多个存储器单元;外围电路,其用于对多个存储器单元当中的所选存储器单元执行编程操作;以及控制逻辑,其用于控制外围电路的编程操作。控制逻辑控制外围电路对多个存储器单元当中的连接到第一字线的第一存储器单元执行模糊编程操作,对多个存储器单元当中的连接到与第一字线相邻的第二字线的第二存储器单元执行模糊编程操作,并且基于第二存储器单元的目标编程状态对第一存储器单元执行精细编程操作。

    与验证操作有关的存储器装置和操作该存储器装置的方法

    公开(公告)号:CN118057539A

    公开(公告)日:2024-05-21

    申请号:CN202310692585.7

    申请日:2023-06-12

    Inventor: 李宗勋 朴世泉

    Abstract: 本申请涉及与验证操作有关的存储器装置和操作该存储器装置的方法。一种存储器装置包括:多个存储器单元,其通过多个编程循环被编程为第一编程状态;页缓冲器,其被配置为在所述多个编程循环中的每一个中执行验证第一编程状态的验证操作;以及控制逻辑,其被配置为随着所述多个编程循环依次执行,调节第一评估操作的第一评估时间以减小第二评估操作的第二评估时间与第一评估时间之间的差。

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