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公开(公告)号：CN118629475A
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202310223989.1
申请日：2023-03-08
申请人： 长江存储科技有限责任公司
摘要： 本申请实施例公开一种存储器的操作方法、存储器、存储系统及电子设备。其中，所述存储器包括多个存储串；每一个存储串包括多个存储单元；所述操作方法包括：对一个存储串中的所述多个存储单元进行编程验证操作时，对不同编程次序的存储单元采用不同的第一验证感测电流进行验证；其中，所述编程次序越靠前的存储单元，所述存储单元对应的所述第一验证感测电流越小。
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公开(公告)号：CN118629463A
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202310224095.4
申请日：2023-03-08
申请人： 长江存储科技有限责任公司
摘要： 本申请公开了一种存储器的编程方法、存储器、存储系统及电子设备，涉及存储技术领域，该方法包括：对于待编程到第一编程态的第一存储单元进行步进式脉冲电压编程ISPP；其中，在ISPP编程的第一编程脉冲周期的第一阶段，对第一存储单元进行编程抑制；在第一编程脉冲周期的第二阶段，对第一存储单元进行脉冲编程。针对会产生过度编程的第一编程态，对第一编程态对应的第一存储单元进行二阶编程，其中一个阶段对存储单元进行编程抑制，还有一个阶段对存储单元进行脉冲编程，从而减小了第一编程态对应的存储单元的编程速度，降低第一编程态对应的存储单元产生过度编程的概率。
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公开(公告)号：CN117461084A
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN202280006087.6
申请日：2022-12-22
申请人： 长江存储科技有限责任公司
IPC分类号： G11C16/04
摘要： 公开了一种存储器件、存储器系统和编程操作方法。在一个示例中，在第i个编程循环处，响应于确定索引i大于或等于第一预设值且小于与存储器件中的存储单元的目标状态相对应的初始验证循环编号，可以对目标状态的存储单元执行第i个编程禁止操作。索引i可以是正整数，并且初始验证循环编号可以指示开始与存储单元的目标状态相对应的验证操作的编程循环编号。
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公开(公告)号：CN112820329A
公开(公告)日：2021-05-18
申请号：CN202110071215.2
申请日：2021-01-19
申请人： 长江存储科技有限责任公司
摘要： 本发明涉及一种存储器的编程操作方法及装置，存储器包括第一存储串、以及位于第一存储串两端的第一输入端和第二输入端，第一存储串包括串联的多个第一存储单元，编程操作方法包括：进行第一编程操作的预充电，包括向第二输入端提供第一预设电压，并对处于已编程状态的第一存储单元的栅极层提供第二预设电压，使处于已编程状态的第一存储单元导通，以对第一存储串中的沟道进行预充电；进行第一编程操作，第一编程操作从靠近第二输入端的第一存储单元向远离第二输入端方向对多个待编程的第一存储单元进行编程，从而，在对存储串进行编程操作时，能够在该编程操作的预充电阶段有效降低沟道的电荷密度，进而减小编程干扰。
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公开(公告)号：CN112466368A
公开(公告)日：2021-03-09
申请号：CN202011345682.1
申请日：2020-11-26
申请人： 长江存储科技有限责任公司
摘要： 本发明涉及一种三维存储器及其控制方法，所述三维存储器包括多个存储串，每个所述存储串包括多个存储单元，所述多个存储单元包括第一部分和第二部分，其中所述第一部分的存储单元对应的沟道结构的直径小于所述第二部分的存储单元对应的沟道结构的直径，所述方法包括：在对选中的存储单元进行读操作时，对未选中的存储单元施加导通电压，其中，对所述第一部分中的第一未选中存储单元施加第一导通电压，对所述第二部分中的第二未选中存储单元施加第二导通电压，其中，所述第一导通电压小于所述第二导通电压。该方法降低了沟道结构直径较小的存储单元的读干扰，提高了三维存储器的可靠性。
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公开(公告)号：CN118072798A
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202211487045.7
申请日：2022-11-23
申请人： 长江存储科技有限责任公司
摘要： 本公开提供了一种用于对连接到位线并由字线控制的存储单元执行编程操作的方法。该方法包括：将第一编程电压信号施加到所述字线以将所述存储单元编程到第一状态，将第一电压施加到所述位线，当所述存储单元处于第二状态时，执行验证操作，基于所述验证操作确定所述存储单元的分类，基于所确定的分类将第二电压施加到所述位线，将第二编程电压信号施加到所述字线以将所述存储单元编程到所述第一状态，将第三电压施加到所述位线，将第三编程电压信号施加到所述字线以将所述存储单元编程到所述第一状态，以及将第四电压施加到所述位线。
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公开(公告)号：CN112771616B
公开(公告)日：2023-12-26
申请号：CN202180000115.9
申请日：2021-01-04
申请人： 长江存储科技有限责任公司
摘要： 一种三维存储器器件，包括：第一组存储器层、第二组存储器层、以及第一虚设存储器层；NAND存储器串，均延伸穿过第一组存储器层、第二组存储器层和第一虚设存储器层；外围电路，被配置为循序地对第一组存储器层中的每一个进行编程，并且然后循序地对第二组存储器层中的每一个进行编程，并包括如下配置的字线驱动电路：在对第一组存储器层中的第一存储器层进行编程时，在与第一存储器层相关联的预充电周期期间，将第一预充电电压施加到第一虚设存储器层；以及在对第一组存储器层中的位于第一存储器层上方的第二存储器层进行编程时，在与第二存储器层相关联的预充电周期期间，将第二预充电电压施加到第一虚设存储器层。
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公开(公告)号：CN112802525B
公开(公告)日：2022-10-28
申请号：CN202110118819.8
申请日：2021-01-28
申请人： 长江存储科技有限责任公司
摘要： 本发明涉及一种三维存储器的控制方法，三维存储器包括多个存储串和多条字线，每个存储串包括自上而下依次串联的多个存储单元，每条字线与每个存储串中位于相同高度的存储单元相连，方法包括：确定进行编程验证操作的选定字线；以及在编程验证操作时对位于选定字线一侧的第一字线区域施加第一导通电压，且对位于选定字线另一侧的第二字线区域施加第二导通电压；其中，与第一字线区域中的字线相连的存储单元为已编程的状态，与第二字线区域中的字线相连的存储单元为未编程的状态，第二导通电压的大小为可调。
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公开(公告)号：CN114882924A
公开(公告)日：2022-08-09
申请号：CN202210382690.6
申请日：2022-04-12
申请人： 长江存储科技有限责任公司
摘要： 本申请提供一种存储装置及其操作方法、包括存储装置的存储系统。所述存储装置包括存储单元阵列，所述存储单元阵列包括多条字线，每条所述字线对应一个存储单元集，每个所述存储单元集包括多个存储单元，所述方法包括：对所述存储装置中选定字线对应的第一存储单元集执行编程操作，使得所述第一存储单元集中的所述存储单元分别处于擦除状态和多个编程状态中的任意一种状态；在所述编程操作之后，对所述第一存储单元集中的第一存储单元子集执行擦除操作；所述第一存储单元子集为所述第一存储单元集中在编程操作后处于擦除状态的存储单元。
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公开(公告)号：CN114822653A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202210480085.2
申请日：2022-05-05
申请人： 长江存储科技有限责任公司
摘要： 本申请的实施方式提供了一种数据擦除方法、存储装置及存储系统。存储装置包括具有多个存储串的存储块，每个存储串连接于位线和源极之间，并包括串联连接的多个存储单元，同一存储层的存储单元连接于同一条字线。非易失性存储装置的数据擦除方法包括：向源极施加擦除电压，以及在施加擦除电压的时间内，向至少一个存储层的字线依次施加多个不同电压，其中，多个不同电压中至少包括第一偏置电压，以及电压值大于第一偏置电压的补偿电压。本申请的实施方式可减缓由于擦除操作导致的存储装置老化。
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