-
公开(公告)号：CN113889170B
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN202111181318.0
申请日：2021-01-06
申请人： 长江存储科技有限责任公司
摘要： 本发明公开了一种用于半导体器件的编程方法及半导体器件。所述半导体器件包括存储串，所述存储串包括依次堆叠设置的多个第一存储单元和第一虚设单元，每个所述第一存储单元与一个字线对应连接，所述第一虚设单元的栅极与第一虚设字线连接；所述方法包括：在预充电阶段，向所述多个第一存储单元中的已编程存储单元对应的字线输入预充电电压，所述已编程存储单元为所述多个第一存储单元中的待编程存储单元与所述第一虚设单元之间的存储单元；在编程阶段，向所述待编程存储单元对应的字线输入编程电压。本发明实施例能够降低编程干扰，且提高升压电势。
-
公开(公告)号：CN118016126A
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN202211610021.6
申请日：2022-12-12
申请人： 长江存储科技有限责任公司
摘要： 本公开内容公开了一种用于减少3D NAND系统中Vpass干扰的方法，其中，提供了一种三维NAND存储器设备，包括：NAND串，其包括将被禁止编程的存储单元；字线驱动器；以及控制器，其被配置为控制所述字线驱动器用于：对由多条字线中的选中字线控制的所述存储单元执行编程操作，所述多条字线包括：与所述选中字线相邻的第一未被选中字线；与所述第一未被选中字线相邻的第一多条未被选中字线；以及与所述第一多条未被选中字线相邻的第二多条未被选中字线。所述编程操作包括：将编程电压信号施加到所述选中字线；将第一通过电压施加到所述第一多条未被选中字线；以及将第二通过电压施加到所述第二多条未被选中字线，所述第一通过电压不同于所述第二通过电压。
-
公开(公告)号：CN117809713A
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN202211309597.9
申请日：2022-10-25
申请人： 长江存储科技有限责任公司
摘要： 本文公开了用于编程操作的存储器设备、方法。在一方面中，一种存储器设备包括被配置为存储程序代码的存储器和处理器。处理器被配置为利用第一阶跃电压通过递增阶跃脉冲编程(ISPP)对存储器设备的第一单元执行第一编程。处理器还被配置为利用第二阶跃电压通过ISPP对存储器设备的第二单元执行第二编程。第一阶跃电压大于第二阶跃电压。第一单元对应于第一目标电压，并且第二单元对应于第二目标电压。
-
公开(公告)号：CN116391228A
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN202180007287.9
申请日：2021-10-25
申请人： 长江存储科技有限责任公司
摘要： 本发明公开了一种用于半导体器件的编程方法及半导体器件。所述半导体器件包括存储串，所述存储串包括依次堆叠设置的多个第一存储单元和第一虚设单元，每个所述第一存储单元与一个字线对应连接，所述第一虚设单元的栅极与第一虚设字线连接；所述方法包括：在预充电阶段，向所述多个第一存储单元中的已编程存储单元对应的字线输入预充电电压，所述已编程存储单元为所述多个第一存储单元中的待编程存储单元与所述第一虚设单元之间的存储单元(501)；在编程阶段，向所述待编程存储单元对应的字线输入编程电压(502)。
-
公开(公告)号：CN115579030A
公开(公告)日：2023-01-06
申请号：CN202211336507.5
申请日：2021-01-25
申请人： 长江存储科技有限责任公司
摘要： 本发明涉及一种三维存储器的控制方法，所述三维存储器包括多个存储串，每个所述存储串包括多个存储单元，所述存储单元包括第一存储单元，所述方法包括：在执行读操作时，向选中的第一存储单元提供第一读感测电流，其中，所述第一读感测电流小于编程验证阶段时提供给所述选中的第一存储单元的验证感测电流；以及向所述选中的第一存储单元提供第一读取电压，其中，所述第一读取电压包括在所述选中的第一存储单元的第一读电压水平上施加第一偏置电压。根据本发明的三维存储器及其控制方法，可以有效地减小BPD效应引起的阈值电压分布展宽和漂移，增大读窗口，避免读干扰，提高了三维存储器的可靠性。
-
公开(公告)号：CN112700812B
公开(公告)日：2022-09-27
申请号：CN202110195004.X
申请日：2019-05-29
申请人： 长江存储科技有限责任公司
IPC分类号： G11C16/12 , G11C16/22 , H01L27/11524 , H01L27/11556 , H01L27/1157 , H01L27/11582
摘要： 公开了3D存储器件和用于操作所述3D存储器件的方法的实施例。在示例中，公开了一种用于操作3D存储器件的方法。所述3D存储器件包括存储堆栈，每个存储堆栈在竖直方向上包括多个存储层。第一存储堆栈中的每个存储层被第一编程。第一编程包括将编程电压施加至所述存储层，并且将小于所述编程电压的第一沟道通过电压施加至其余存储层中的每者。处于所述第一存储堆栈上方的第二存储堆栈中的每个存储层被第二编程，所述第二编程包括：将所述编程电压施加至所述存储层，并且将所述第一沟道通过电压施加至其余存储层中的每者。所述第二编程还包括：将小于所述第一沟道通过电压的第二沟道通过电压施加至所述第一存储堆栈中的每个存储层。
-
公开(公告)号：CN114974372A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202210600518.3
申请日：2022-05-30
申请人： 长江存储科技有限责任公司
摘要： 本申请提供了一种非易失性存储器的操作方法，所述方法包括：对多个存储串进行第一级预充电，其中，第一级预充电为栅致漏极漏电预充电；通过第一级编程，将经过了第一级预充电的存储串中的存储单元编程至不同的存储状态；对经过第一级编程的存储串第二级预充电，其中，所述第二级预充电为位线预充电、源极线预充电或者栅致漏极漏电预充电；以及对经过了第二级预充电的存储串中的存储单元进行第二级编程。
-
公开(公告)号：CN112509626B
公开(公告)日：2022-07-19
申请号：CN202011387722.9
申请日：2020-12-02
申请人： 长江存储科技有限责任公司
摘要： 本申请涉及非易失性存储器及其控制方法。该非易失性存储器，包括：存储单元阵列，电连接到多个字线，多个字线用于接收对存储单元阵列执行操作的信号，其中操作包括擦除操作、写入操作或读取操作中的任意一种；外围电路，电连接到多个字线；以及控制单元，配置为控制外围电路向多个字线中的未施加用于执行操作的所述信号的字线中的至少一部分施加预定电压，以保持存储单元阵列中的相应存储单元内的电荷。
-
公开(公告)号：CN114400035A
公开(公告)日：2022-04-26
申请号：CN202111461490.1
申请日：2021-12-02
申请人： 长江存储科技有限责任公司
IPC分类号： G11C16/34
摘要： 本申请实施例提供一种存储器的编程方法，所述方法包括：对所述存储器中的第一存储单元和第二存储单元进行第一编程；其中，所述第一存储单元用于存储第一类数据，所述第二存储单元用于存储第二类数据；所述第一类数据的预定存储时长大于所述第二类数据的预定存储时长；对所述存储器中的所述第一存储单元进行第二编程；其中，所述第二编程与所述第一编程的目标编程状态相同。
-
公开(公告)号：CN112614530B
公开(公告)日：2022-04-01
申请号：CN202110004636.3
申请日：2021-01-04
申请人： 长江存储科技有限责任公司
摘要： 一种三维存储器的控制方法，三维存储器包括多个存储串和多条字线，每个存储串包括多个存储单元，每条字线与每个存储串中位于相同高度的存储单元相连，方法包括：确定进行验证操作及读取操作的目标字线；在验证操作及读取操作时分别对目标字线施加验证电压和读取电压，对与目标字线相邻的第一字线组施加第一导通电压，以及对与目标字线相邻的第二字线组中的至少一部分字线施加小于第一导通电压的第二导通电压，目标字线连接的存储单元连接于第一字线组及第二字线组连接的存储单元之间；其中，与第一字线组中的字线相连的存储单元在所述验证操作时为未编程状态，与第二字线组中的字线相连的存储单元在所述验证操作时为已编程状态。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
142 条记录 (耗时 0.053 秒)
