非易失性存储器操作方法及系统
摘要:
本申请提供了一种非易失性存储器的操作方法,所述方法包括:对多个存储串进行第一级预充电,其中,第一级预充电为栅致漏极漏电预充电;通过第一级编程,将经过了第一级预充电的存储串中的存储单元编程至不同的存储状态;对经过第一级编程的存储串第二级预充电,其中,所述第二级预充电为位线预充电、源极线预充电或者栅致漏极漏电预充电;以及对经过了第二级预充电的存储串中的存储单元进行第二级编程。
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