发明公开
- 专利标题： 提高3D NAND系统中的编程操作速度的方法
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申请号： CN202211309597.9申请日： 2022-10-25
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公开(公告)号： CN117809713A公开(公告)日： 2024-04-02
- 发明人: 黄莹 , 刘红涛 , 闵园园 , 王均保
- 申请人： 长江存储科技有限责任公司
- 申请人地址： 湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号
- 专利权人： 长江存储科技有限责任公司
- 当前专利权人： 长江存储科技有限责任公司
- 当前专利权人地址： 湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号
- 代理机构： 北京永新同创知识产权代理有限公司
- 代理商 林锦辉; 刘景峰
- 优先权： 17/937,016 20220930 US
- 主分类号： G11C16/04
- IPC分类号： G11C16/04 ; G11C16/12
摘要：
本文公开了用于编程操作的存储器设备、方法。在一方面中，一种存储器设备包括被配置为存储程序代码的存储器和处理器。处理器被配置为利用第一阶跃电压通过递增阶跃脉冲编程(ISPP)对存储器设备的第一单元执行第一编程。处理器还被配置为利用第二阶跃电压通过ISPP对存储器设备的第二单元执行第二编程。第一阶跃电压大于第二阶跃电压。第一单元对应于第一目标电压，并且第二单元对应于第二目标电压。
