发明公开
- 专利标题: 一种用于减少3D NAND系统中Vpass干扰的方法
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申请号: CN202211610021.6申请日: 2022-12-12
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公开(公告)号: CN118016126A公开(公告)日: 2024-05-10
- 发明人: 远杰 , 崔莹 , 闵园园 , 宋雅丽 , 刘红涛
- 申请人: 长江存储科技有限责任公司
- 申请人地址: 湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号
- 专利权人: 长江存储科技有限责任公司
- 当前专利权人: 长江存储科技有限责任公司
- 当前专利权人地址: 湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号
- 代理机构: 北京永新同创知识产权代理有限公司
- 代理商 王海然; 李文彪
- 优先权: 18/054,470 20221110 US
- 主分类号: G11C16/10
- IPC分类号: G11C16/10 ; G11C16/08 ; G11C16/34
摘要:
本公开内容公开了一种用于减少3D NAND系统中Vpass干扰的方法,其中,提供了一种三维NAND存储器设备,包括:NAND串,其包括将被禁止编程的存储单元;字线驱动器;以及控制器,其被配置为控制所述字线驱动器用于:对由多条字线中的选中字线控制的所述存储单元执行编程操作,所述多条字线包括:与所述选中字线相邻的第一未被选中字线;与所述第一未被选中字线相邻的第一多条未被选中字线;以及与所述第一多条未被选中字线相邻的第二多条未被选中字线。所述编程操作包括:将编程电压信号施加到所述选中字线;将第一通过电压施加到所述第一多条未被选中字线;以及将第二通过电压施加到所述第二多条未被选中字线,所述第一通过电压不同于所述第二通过电压。