-
公开(公告)号：CN101751997B
公开(公告)日：2014-06-11
申请号：CN200910226570.1
申请日：2009-11-25
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C16/16 , G11C16/0483 , G11C16/10
Abstract: 一种快闪存储器件，包括：本体区域；第一到第n存储单元晶体管，在所述本体区域上被排列成行；第一到第n字线，分别与所述第一到第n存储单元晶体管的栅极连接；第一虚拟单元晶体管，与所述第一存储单元晶体管连接；第一虚拟字线，与所述第一虚拟单元晶体管的栅极连接；第一选择晶体管，与所述第一虚拟晶体管连接，第一选择线，与所述第一选择晶体管的栅极连接；电压控制单元，与所述第一选择线连接，所述电压控制单元被适配成在用于擦除所述第一到第n存储单元晶体管的擦除模式中向所述第一选择线输出一低于施加到所述本体区域的电压的电压。
-
公开(公告)号：CN101442054A
公开(公告)日：2009-05-27
申请号：CN200810178254.7
申请日：2008-11-17
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/115 , H01L23/522 , H01L21/8247 , H01L21/768 , G06F13/40 , G06F3/06
CPC classification number: H01L23/485 , H01L21/76804 , H01L21/76816 , H01L27/11519 , H01L27/11521 , H01L27/11524 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供非易失性存储器件及其形成方法。在一个实施例中，半导体存储器件包括具有第一有源区和第二有源区的衬底。第一有源区包括第一源区和第一漏区，第二有源区包括第二源区和第二漏区。第一层间电介质位于衬底的上方。第一导电结构延伸穿过第一层间电介质。第一位线位于第一层间电介质上。第二层间电介质位于第一层间电介质上。接触孔延伸穿过第二层间电介质和第一层间电介质。该器件包括在接触孔内的第二导电结构，该第二导电结构延伸穿过第一层间电介质和第二层间电介质。第二位线位于第二层间电介质上。在第二层间电介质的底部处的接触孔的宽度小于或基本上等于在第二层间电介质的顶部处的宽度。
-
公开(公告)号：CN1913172A
公开(公告)日：2007-02-14
申请号：CN200610106894.8
申请日：2006-08-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/772 , H01L29/78
CPC classification number: H01L29/785 , H01L29/42392 , H01L29/7851 , H01L29/78612
Abstract: 本发明的某些实施例提供用于操作晶体管的方法和设备，该晶体管包括在衬底中和/或衬底上的至少一个完全耗尽的沟道区。该方法包括当导通晶体管时，施加反向体偏压到衬底。该衬底可以是体晶片衬底。该反向体偏压可以允许晶体管导通，同时防止衬底内的寄生晶体管导通。
-
公开(公告)号：CN101751997A
公开(公告)日：2010-06-23
申请号：CN200910226570.1
申请日：2009-11-25
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C16/16 , G11C16/0483 , G11C16/10
Abstract: 一种快闪存储器件，包括：本体区域；第一到第n存储单元晶体管，在所述本体区域上被排列成行；第一到第n字线，分别与所述第一到第n存储单元晶体管的栅极连接；第一虚拟单元晶体管，与所述第一存储单元晶体管连接；第一虚拟字线，与所述第一虚拟单元晶体管的栅极连接；第一选择晶体管，与所述第一虚拟晶体管连接，第一选择线，与所述第一选择晶体管的栅极连接；电压控制单元，与所述第一选择线连接，所述电压控制单元被适配成在用于擦除所述第一到第n存储单元晶体管的擦除模式中向所述第一选择线输出一低于施加到所述本体区域的电压的电压。
-
-
-
Search Results
4
records
(took 0.019 seconds)
