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公开(公告)号：CN108305925A
公开(公告)日：2018-07-20
申请号：CN201810030167.0
申请日：2018-01-12
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本申请提供了一种包括浮置导电图案的半导体发光装置。所述半导体发光装置包括：第一半导体层，其包括凹陷区和突出区；布置在突出区上的有源层和第二半导体层；布置在第二半导体层上的接触结构；下绝缘图案，其覆盖第一半导体层和接触结构，并且具有第一开口和第二开口；第一导电图案，其布置在下绝缘图案上，并且延伸至第一开口中；第二导电图案，其布置在下绝缘图案上，并且延伸至第二开口中；以及浮置导电图案，其布置在下绝缘图案上。第一导电图案和第二导电图案以及浮置导电图案在相同的平面上具有相同的厚度。
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公开(公告)号：CN104008964A
公开(公告)日：2014-08-27
申请号：CN201410058164.X
申请日：2014-02-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/304 , H01L33/00
CPC classification number: H01L21/6836 , H01L33/0095 , H01L2221/68327 , H01L2221/68381 , H01L2221/68386 , H01L2933/0041
Abstract: 本发明提供了研磨衬底的方法和用该研磨衬底的方法制造半导体发光器件的方法。制备包括第一主表面和第二主表面的衬底，其中所述第一主表面上形成有半导体层，所述第二主表面与所述第一主表面彼此相对。使用胶合物将支撑膜贴合至所述第一主表面。所述衬底的第二主表面被研磨，使得所述衬底的厚度减少。通过在非横向方向上将力施加至所述支撑膜来从所述第一主表面去除所述支撑膜。
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公开(公告)号：CN1136680A
公开(公告)日：1996-11-27
申请号：CN95120595.1
申请日：1995-12-11
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 金载润
IPC: G06F7/54
CPC classification number: G06F7/5338
Abstract: 利用改进的布斯算法有选择地执行无符号数值乘法或有符号数值乘法来进行乘法操作的乘法器。它包括给各个输入端提供扩展位以便在用二进制补码格式表示的有符号数值乘法中执行无符号数值乘法的选择单元，还包括执行被符号位增强的符号数字操作的部分积生成器。它最好还包括产生和传送先行进位的先行进位加法器。
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公开(公告)号：CN108305925B
公开(公告)日：2023-01-03
申请号：CN201810030167.0
申请日：2018-01-12
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本申请提供了一种包括浮置导电图案的半导体发光装置。所述半导体发光装置包括：第一半导体层，其包括凹陷区和突出区；布置在突出区上的有源层和第二半导体层；布置在第二半导体层上的接触结构；下绝缘图案，其覆盖第一半导体层和接触结构，并且具有第一开口和第二开口；第一导电图案，其布置在下绝缘图案上，并且延伸至第一开口中；第二导电图案，其布置在下绝缘图案上，并且延伸至第二开口中；以及浮置导电图案，其布置在下绝缘图案上。第一导电图案和第二导电图案以及浮置导电图案在相同的平面上具有相同的厚度。
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公开(公告)号：CN108183155A
公开(公告)日：2018-06-19
申请号：CN201711274926.X
申请日：2017-12-06
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L33/62 , H01L24/04 , H01L24/13 , H01L33/46 , H01L2224/0401 , H01L2224/10126 , H01L2224/13006 , H01L2224/13082 , H01L2224/13111 , H01L2924/0132 , H01L2924/0133 , H01L2924/014 , H01L2924/12041 , H01L33/38 , H01L33/40
Abstract: 半导体发光器件包括发光结构，所述发光结构包括顺序层叠的第一半导体层、有源层和第二半导体层。连接电极位于发光结构之上。连接电极包括电连接到第一半导体层和第二半导体层中的至少一个的连接金属层。凸块下金属图案在连接电极上。连接端子位于凸块下金属图案上。连接金属层包括第一金属元素。第一金属元素的导热率高于金(Au)的导热率。连接端子包括第二金属元素。第一金属元素与第二金属元素的第一反应率低于金(Au)与第二金属元素的第二反应率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103782399B
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：CN201180073264.4
申请日：2011-08-09
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明涉及一种由于织构效应而具有改进的光提取效率的氮化物半导体发光元件，其包括：形成在衬底上的发光结构，其包括第一导电氮化物半导体层、第二导电氮化物半导体层以及插入在它们之间的有源层；电连接至第一导电氮化物半导体层的第一电极；电连接至第二导电氮化物半导体层的第二电极；以及具有多个通孔的光提取图案，其位于第一电极与第二电极之间并且形成为穿透发光结构的上表面和下表面。
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公开(公告)号：CN102456794B
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201110350751.2
申请日：2011-11-01
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L33/38
CPC classification number: H01L33/38 , H01L33/42 , H01L2933/0016
Abstract: 本发明提供了一种半导体发光器件。半导体发光器件包括：第一导电类型半导体层和第二导电类型半导体层；活性层，设置在第一导电类型半导体层和第二导电类型半导体层之间；第一电极和第二电极，第一电极设置在第一导电类型半导体层的一个表面上，第二电极设置在第二导电类型半导体层的一个表面上，其中，第一电极和第二电极中的至少一个包括焊盘部和形成为从焊盘部延伸的指状部，指状部的端部具有环形形状。因为使电流集中在指状部的局部区域的现象最小化，所以可以加强对静电放电(ESD)的耐受性并且可以提高光提取效率。
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公开(公告)号：CN117420077A
公开(公告)日：2024-01-19
申请号：CN202310826022.2
申请日：2023-07-06
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G01N21/25 , G01N21/84 , G06F30/27 , G06F18/2135 , G06F18/214 , G06N20/00
Abstract: 公开了用于基于光谱测量结构的方法和系统。所述用于基于光谱测量所述结构的方法包括：获得第一模型，第一模型包括第一子模型和在第一子模型之后的第二子模型并且基于仿真数据被训练；生成第二模型，第二模型包括与第一子模型相同的第三子模型；基于通过测量样本结构的光谱而生成的样本光谱数据，来训练第二模型；以及基于训练后的第二模型，从通过测量所述结构的光谱而生成的测量光谱数据估计所述结构。
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公开(公告)号：CN109427824B
公开(公告)日：2023-09-22
申请号：CN201811031098.1
申请日：2018-09-05
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/12
Abstract: 本申请提供一种包括分别包含多个子像素的像素的显示装置，其包括：包括多个LED单元的LED阵列，所述多个LED单元设置在所述多个子像素中，所述多个LED单元被构造为发射具有基本相同的波长的光，每个LED单元具有第一表面和第二表面；包括多个TFT单元的TFT电路，每个TFT单元布置在所述多个LED单元中的一个LED单元的第一表面上，并且包括源极区和漏极区和栅电极；布置在所述多个LED单元中的一个LED单元的第二表面上的波长转换图案，波长转换图案包括量子点的合成物和/或聚合物，量子点被构造为发射的光的颜色与从其它波长转换图案的其它量子点发射的光的颜色不同；以及光阻挡壁，其布置在所述多个子像素中的两个之间和波长转换图案之间，以将所述多个子像素分离。
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公开(公告)号：CN103797592A
公开(公告)日：2014-05-14
申请号：CN201180073515.9
申请日：2011-08-17
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明涉及一种半导体发光器件，在本发明的一个实施例中，该半导体发光器件包括：n型半导体层；有源层和p型半导体层，其形成在与n型半导体层的上表面的一部分相对应的第一区域中；n型电极，其形成在n型半导体层上表面上的与第一区域不同的第二区域上，n型电极与n型半导体层电连接并且配备有n型电极焊盘、第一n型电极指和第二n型电极指；以及p型电极，其形成在p型半导体层上，p型电极与p型半导体层电连接并且配备有p型电极焊盘和p型电极指。当使用本发明所述的半导体发光器件时，n型电极与p型电极之间的距离是恒定的并且可以最大程度地减小集中在电极的特定区域处的电流。
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