公开(公告)号：CN103797592A

公开(公告)日：2014-05-14

申请号：CN201180073515.9

申请日：2011-08-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 黄硕珉 ,  河海秀 ,  金载润 ,  韩在镐

IPC: H01L33/36 ,  H01L33/38

CPC classification number: H01L33/38 ,  H01L33/20

Abstract: 本发明涉及一种半导体发光器件，在本发明的一个实施例中，该半导体发光器件包括：n型半导体层；有源层和p型半导体层，其形成在与n型半导体层的上表面的一部分相对应的第一区域中；n型电极，其形成在n型半导体层上表面上的与第一区域不同的第二区域上，n型电极与n型半导体层电连接并且配备有n型电极焊盘、第一n型电极指和第二n型电极指；以及p型电极，其形成在p型半导体层上，p型电极与p型半导体层电连接并且配备有p型电极焊盘和p型电极指。当使用本发明所述的半导体发光器件时，n型电极与p型电极之间的距离是恒定的并且可以最大程度地减小集中在电极的特定区域处的电流。

公开(公告)号：CN109427944A

公开(公告)日：2019-03-05

申请号：CN201810971336.0

申请日：2018-08-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李政昱 ,  高建宇 ,  崔繁在 ,  韩在镐

IPC: H01L33/48 ,  H01L33/60 ,  H01L33/62

Abstract: 本发明构思涉及一种发光封装及包括其的发光模块。一种发光封装包括具有第一表面和与第一表面相反的第二表面的发光结构。该发光封装还包括设置在第一表面上的电极层以及设置在发光结构和电极层上的绝缘层。该发光封装还包括穿透绝缘层并连接到电极层的互连导电层以及设置在绝缘层与互连导电层之间的反射层。反射层在朝向第二表面的方向上反射从发光结构产生的光。

公开(公告)号：CN103782399B

公开(公告)日：2016-11-09

申请号：CN201180073264.4

申请日：2011-08-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 黄硕珉 ,  韩在镐 ,  金载润 ,  河海秀 ,  李守烈 ,  金制远

IPC: H01L33/08 ,  H01L33/20

CPC classification number: H01L33/20 ,  H01L33/14

Abstract: 本发明涉及一种由于织构效应而具有改进的光提取效率的氮化物半导体发光元件，其包括：形成在衬底上的发光结构，其包括第一导电氮化物半导体层、第二导电氮化物半导体层以及插入在它们之间的有源层；电连接至第一导电氮化物半导体层的第一电极；电连接至第二导电氮化物半导体层的第二电极；以及具有多个通孔的光提取图案，其位于第一电极与第二电极之间并且形成为穿透发光结构的上表面和下表面。

公开(公告)号：CN103782399A

公开(公告)日：2014-05-07

申请号：CN201180073264.4

申请日：2011-08-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 黄硕珉 ,  韩在镐 ,  金载润 ,  河海秀 ,  李守烈 ,  金制远

IPC: H01L33/08 ,  H01L33/20

CPC classification number: H01L33/20 ,  H01L33/14

Abstract: 本发明涉及一种由于织构效应而具有改进的光提取效率的氮化物半导体发光元件，其包括：形成在衬底上的发光结构，其包括第一导电氮化物半导体层、第二导电氮化物半导体层以及插入在它们之间的有源层；电连接至第一导电氮化物半导体层的第一电极；电连接至第二导电氮化物半导体层的第二电极；以及具有多个通孔的光提取图案，其位于第一电极与第二电极之间并且形成为穿透发光结构的上表面和下表面。

公开(公告)号：CN103765614A

公开(公告)日：2014-04-30

申请号：CN201180073034.8

申请日：2011-08-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金载润 ,  黄硕珉 ,  李守烈 ,  蔡昇完 ,  韩在镐 ,  李进馥

IPC: H01L33/36 ,  H01L33/38

CPC classification number: H01L33/387 ,  H01L33/20 ,  H01L33/32 ,  H01L33/38 ,  H01L33/62 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2933/0016 ,  H01L2924/00

Abstract: 根据本发明的一个方面的半导体发光元件包括：发光结构，其配备有n型半导体层、p型半导体层和布置在它们之间的有源层；第一电极，其连接至n型半导体层和p型半导体层中的一个；以及第二电极，其连接至n型半导体层和p型半导体层中没有连接第一电极的一个。第一电极配备有第一电极焊盘以及连接至第一电极焊盘的第一至第三分支电极，从而具有叉子形状，第一电极焊盘布置在所述发光结构的顶面的一侧的中央。第二电极配备有第二电极焊盘和第三电极焊盘以及连接至第二电极焊盘和第三电极焊盘的第四至第七分支电极，第二电极焊盘和第三电极焊盘彼此分开布置在与所述一侧相对的另一侧的两个角上，其中第四至第七分支电极延伸以便布置在第一至第三分支电极之间。

公开(公告)号：CN103733359A

公开(公告)日：2014-04-16

申请号：CN201180072761.2

申请日：2011-08-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 韩在镐 ,  金晟泰 ,  蔡昇完 ,  李钟昊 ,  金制远

IPC: H01L33/02 ,  H01L33/10

CPC classification number: H01L33/005 ,  B23K26/364 ,  B23K26/40 ,  B23K2103/172 ,  B23K2103/50 ,  H01L33/0095 ,  H01L33/46 ,  H01L33/60

Abstract: 本发明涉及一种半导体发光器件的制造方法以及通过该方法制造的半导体发光器件。根据本发明的一方面的半导体发光器件的制造方法包括：通过在衬底的第一主表面上顺序地生长第一导电类型半导体层、有源层和第二导电类型半导体层而形成发光结构，所述衬底具有彼此相对的第一主表面和第二主表面；在所述衬底的第二主表面上形成反射膜，所述反射膜包括至少一个激光吸收区；以及进行划线处理，通过从所述发光结构顶部与所述激光吸收区相对应的部分将激光照射到所述发光结构和所述衬底来使所述发光结构和所述衬底分成器件单元。