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公开(公告)号：CN102456794B
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201110350751.2
申请日：2011-11-01
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L33/38
CPC classification number: H01L33/38 , H01L33/42 , H01L2933/0016
Abstract: 本发明提供了一种半导体发光器件。半导体发光器件包括：第一导电类型半导体层和第二导电类型半导体层；活性层，设置在第一导电类型半导体层和第二导电类型半导体层之间；第一电极和第二电极，第一电极设置在第一导电类型半导体层的一个表面上，第二电极设置在第二导电类型半导体层的一个表面上，其中，第一电极和第二电极中的至少一个包括焊盘部和形成为从焊盘部延伸的指状部，指状部的端部具有环形形状。因为使电流集中在指状部的局部区域的现象最小化，所以可以加强对静电放电(ESD)的耐受性并且可以提高光提取效率。
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公开(公告)号：CN102217105B
公开(公告)日：2015-04-22
申请号：CN200980142209.9
申请日：2009-10-22
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L33/0075 , H01L33/0079 , H01L33/08 , H01L33/20 , H01L33/22 , H01L33/38 , H01L33/382 , H01L33/40 , H01L33/405 , H01L33/42 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2924/00014 , H01L2933/0016
Abstract: 提供了一种半导体发光器件，所述半导体发光器件包括顺序地堆叠的导电基底、第一电极层、绝缘层、第二电极层、第二半导体层、活性层和第一半导体层。第一电极层和第一半导体层之间的接触面积为半导体发光器件的总面积的3％至13％，因此实现了高发光效率。
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公开(公告)号：CN102456799B
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：CN201110301262.8
申请日：2011-09-28
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L33/005 , H01L33/32 , H01L33/38 , H01L33/405 , H01L33/42 , H01L2933/0016 , H01L2933/0058
Abstract: 本发明公开了一种半导体发光器件及其制造方法，该半导体发光器件包括：光发射结构，其中依次地层叠有第一导电半导体层、有源层和第二导电半导体层；第一电极，形成在第一导电半导体层上；绝缘层，形成在第二导电半导体层上并由透明材料制成；反射单元，形成在绝缘层上并反射从有源层发射的光；第二电极，形成在反射单元上；以及透明电极，形成在第二导电半导体层上，透明电极与绝缘层和第二电极接触。
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公开(公告)号：CN103180975A
公开(公告)日：2013-06-26
申请号：CN201180051281.8
申请日：2011-09-01
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L33/46 , H01L24/32 , H01L2224/48091 , H01L2224/49107 , H01L2224/73265 , H01L2924/01322 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2924/15788 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的一个方面提供了一种半导体发光二极管芯片和一种半导体发光器件。所述半导体发光二极管芯片包括：透光衬底；以及在所述透光衬底的上表面上顺序地形成的第一导电类型半导体层、有源层和第二导电类型半导体层。所述半导体发光器件包括：后反射型叠层，其形成在透光衬底的下表面上并且具有辅助光学层和金属反射层，所述辅助光学层由具有预定折射率的材料制成，所述金属反射层形成在所述辅助光学层的下表面上；接合金属层，其设置在所述后反射型叠层的下表面上并且由共晶金属制成；以及接合叠层，其具有被形成为防止所述接合金属层与所述金属反射层之间的元素扩散的扩散屏障。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107527976A
公开(公告)日：2017-12-29
申请号：CN201710478075.4
申请日：2017-06-21
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L33/44 , H01L33/36 , H01L33/38 , H01L33/46 , H01L33/405 , H01L2933/0016 , H01L2933/0025
Abstract: 本发明提供了一种半导体发光装置和制造半导体发光装置的方法。该半导体发光装置可包括发射结构、发射结构的限定区上的保护图案层和发射结构上的绝缘图案层。保护图案层可暴露出发射结构的分离的其余区，并且绝缘图案层可至少覆盖发射结构的所述其余区。绝缘图案层可包括开口，其暴露出保护图案层的表面的至少一部分，使得发射结构保持被绝缘图案层和保护图案层中的至少一个覆盖。
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公开(公告)号：CN102169941B
公开(公告)日：2015-09-02
申请号：CN201110053375.0
申请日：2011-02-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L33/36 , H01L33/48 , H01L33/62 , H01L25/075 , F21S2/00 , F21Y101/02
CPC classification number: H01L27/156 , H01L24/24 , H01L27/153 , H01L33/30 , H01L33/62 , H01L2224/48091 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了一种具有多单元阵列的半导体发光器件、发光模块和照明设备。半导体发光器件包括：基底；多个发光单元，设置在基底的顶表面上，发光单元均具有有源层；多个连接部分，形成在其上形成有发光单元的基底上，以将发光单元以并联或串并联构造连接；绝缘层，形成在发光单元的表面上，以防止连接部分和发光单元之间的不期望的连接。发光单元包括至少一个有缺陷的发光单元，与所述有缺陷的发光单元相关的至少一个连接部分被断开。
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公开(公告)号：CN101997076B
公开(公告)日：2013-10-30
申请号：CN201010256092.1
申请日：2010-08-17
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L33/483 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L33/60 , H01L33/62 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01074 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/10329 , H01L2924/12041 , H01L2924/15153 , H01L2924/15165 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/45099 , H01L2224/05599
Abstract: 本发明提供了一种发光二极管封装体，所述发光二极管封装体包括：封装体模具，具有第一腔体和第二腔体，第二腔体的尺寸小于第一腔体的尺寸；第一电极焊盘和第二电极焊盘，分别设置在第一腔体和第二腔体的底表面上；LED芯片，安装在第一电极焊盘上；引线，用于提供LED芯片和第二电极焊盘之间的电连接；模制材料，填充在第一腔体和第二腔体内。
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公开(公告)号：CN106449936A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201610635483.1
申请日：2016-08-05
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L33/62 , H01L33/20 , H01L33/32 , H01L33/38 , H01L33/382 , H01L33/42 , H01L33/44 , H01L33/502 , H01L33/54 , H01L2224/16245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48237 , H01L2924/181 , H01L2933/0016 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L33/48 , H01L33/005
Abstract: 本发明提供了一种半导体发光器件和一种制造半导体发光器件的方法。所述半导体发光器件包括半导体堆叠、绝缘层、电流扩散层以及第一指形电极和第二指形电极。半导体堆叠包括：第一导电类型半导体层；第二导电类型半导体层；位于第一导电类型半导体层与第二导电类型半导体层之间的有源层；以及穿过第二导电类型半导体层和有源层以暴露第一导电类型半导体层的一部分的沟槽。第一绝缘层设置在沟槽的内侧壁上。电流扩散层设置在第二导电类型半导体层上。第一指形电极设置在第一导电类型半导体层的暴露部分上。第二绝缘层设置在第一导电类型半导体层的暴露部分上，以覆盖第一指形电极。第二指形电极设置在沟槽中并且连接至电流扩散层。
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公开(公告)号：CN102217102B
公开(公告)日：2015-07-15
申请号：CN200980145944.5
申请日：2009-11-16
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L25/13 , H01L25/0753 , H01L33/002 , H01L33/0025 , H01L33/0029 , H01L33/08 , H01L33/20 , H01L33/22 , H01L33/382 , H01L33/387 , H01L33/40 , H01L33/44 , H01L33/486 , H01L33/502 , H01L33/504 , H01L33/507 , H01L33/508 , H01L33/54 , H01L33/56 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/48465 , H01L2224/49175 , H01L2224/8592 , H01L2924/0002 , H01L2924/1461 , H01L2924/181 , H01L2924/3025 , H01L2933/0041 , H05B33/0803 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 在半导体发光器件中，发光结构包括顺序形成在导电基底上的第一导电类型半导体层、活性层和第二导电类型半导体层。第二导电类型电极包括导电通孔和电连接部分。导电通孔穿过第一导电类型半导体层和活性层，并连接到第二导电类型半导体层的内部。电连接部分从导电通孔延伸，并暴露于发光结构的外部。绝缘体使第二导电类型半导体层与导电基底、第一导电类型半导体层和活性层电分离。钝化层形成为至少覆盖发光结构中的活性层的侧表面。不平坦结构形成在从活性层发射的光的通路上。
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