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公开(公告)号：CN102456799B
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：CN201110301262.8
申请日：2011-09-28
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L33/005 , H01L33/32 , H01L33/38 , H01L33/405 , H01L33/42 , H01L2933/0016 , H01L2933/0058
Abstract: 本发明公开了一种半导体发光器件及其制造方法，该半导体发光器件包括：光发射结构，其中依次地层叠有第一导电半导体层、有源层和第二导电半导体层；第一电极，形成在第一导电半导体层上；绝缘层，形成在第二导电半导体层上并由透明材料制成；反射单元，形成在绝缘层上并反射从有源层发射的光；第二电极，形成在反射单元上；以及透明电极，形成在第二导电半导体层上，透明电极与绝缘层和第二电极接触。
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公开(公告)号：CN103797592A
公开(公告)日：2014-05-14
申请号：CN201180073515.9
申请日：2011-08-17
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明涉及一种半导体发光器件，在本发明的一个实施例中，该半导体发光器件包括：n型半导体层；有源层和p型半导体层，其形成在与n型半导体层的上表面的一部分相对应的第一区域中；n型电极，其形成在n型半导体层上表面上的与第一区域不同的第二区域上，n型电极与n型半导体层电连接并且配备有n型电极焊盘、第一n型电极指和第二n型电极指；以及p型电极，其形成在p型半导体层上，p型电极与p型半导体层电连接并且配备有p型电极焊盘和p型电极指。当使用本发明所述的半导体发光器件时，n型电极与p型电极之间的距离是恒定的并且可以最大程度地减小集中在电极的特定区域处的电流。
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公开(公告)号：CN103782399B
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：CN201180073264.4
申请日：2011-08-09
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明涉及一种由于织构效应而具有改进的光提取效率的氮化物半导体发光元件，其包括：形成在衬底上的发光结构，其包括第一导电氮化物半导体层、第二导电氮化物半导体层以及插入在它们之间的有源层；电连接至第一导电氮化物半导体层的第一电极；电连接至第二导电氮化物半导体层的第二电极；以及具有多个通孔的光提取图案，其位于第一电极与第二电极之间并且形成为穿透发光结构的上表面和下表面。
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公开(公告)号：CN102456794B
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201110350751.2
申请日：2011-11-01
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L33/38
CPC classification number: H01L33/38 , H01L33/42 , H01L2933/0016
Abstract: 本发明提供了一种半导体发光器件。半导体发光器件包括：第一导电类型半导体层和第二导电类型半导体层；活性层，设置在第一导电类型半导体层和第二导电类型半导体层之间；第一电极和第二电极，第一电极设置在第一导电类型半导体层的一个表面上，第二电极设置在第二导电类型半导体层的一个表面上，其中，第一电极和第二电极中的至少一个包括焊盘部和形成为从焊盘部延伸的指状部，指状部的端部具有环形形状。因为使电流集中在指状部的局部区域的现象最小化，所以可以加强对静电放电(ESD)的耐受性并且可以提高光提取效率。
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公开(公告)号：CN105591016B
公开(公告)日：2018-05-08
申请号：CN201510760915.7
申请日：2015-11-10
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 黄硕珉
IPC: H01L33/62
CPC classification number: H01L33/62 , F21K9/232 , F21K9/275 , G02B6/0073 , G02F1/133603 , H01L24/05 , H01L24/13 , H01L33/06 , H01L33/32 , H01L33/382 , H01L33/385 , H01L33/44 , H01L33/486 , H01L33/502 , H01L33/54 , H01L33/60 , H01L2224/0401 , H01L2224/05082 , H01L2224/05147 , H01L2224/05155 , H01L2224/05166 , H01L2224/05171 , H01L2224/05565 , H01L2224/05573 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/16245 , H01L2924/12041 , H01L2924/181 , H01L2933/0083 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明公开了一种半导体器件的互连凸块、半导体器件、半导体器件封装件和照明设备。所述半导体器件包括发光结构和互连凸块，所述互连凸块包括：凸块下冶金层，其位于第一导电类型的半导体层和第二导电类型的半导体层中的至少一个的电极上，并且具有与电极的表面相对的第一表面，以及从第一表面的边缘延伸以连接至电极的第二表面；金属间化合物，其位于凸块下冶金层的第一表面上；焊料凸块，其键合至凸块下冶金层，并使金属间化合物介于焊料凸块与凸块下冶金之间；以及阻挡层，其位于凸块下冶金层的第二表面上，并且实质上防止焊料凸块扩散至凸块下冶金层的第二表面。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105591016A
公开(公告)日：2016-05-18
申请号：CN201510760915.7
申请日：2015-11-10
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 黄硕珉
IPC: H01L33/62
CPC classification number: H01L33/62 , F21K9/232 , F21K9/275 , G02B6/0073 , G02F1/133603 , H01L24/05 , H01L24/13 , H01L33/06 , H01L33/32 , H01L33/382 , H01L33/385 , H01L33/44 , H01L33/486 , H01L33/502 , H01L33/54 , H01L33/60 , H01L2224/0401 , H01L2224/05082 , H01L2224/05147 , H01L2224/05155 , H01L2224/05166 , H01L2224/05171 , H01L2224/05565 , H01L2224/05573 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/16245 , H01L2924/12041 , H01L2924/181 , H01L2933/0083 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明公开了一种半导体器件的互连凸块、半导体器件、半导体器件封装件和照明设备。所述半导体器件包括发光结构和互连凸块，所述互连凸块包括：凸块下冶金层，其位于第一导电类型的半导体层和第二导电类型的半导体层中的至少一个的电极上，并且具有与电极的表面相对的第一表面，以及从第一表面的边缘延伸以连接至电极的第二表面；金属间化合物，其位于凸块下冶金层的第一表面上；焊料凸块，其键合至凸块下冶金层，并使金属间化合物介于焊料凸块与凸块下冶金之间；以及阻挡层，其位于凸块下冶金层的第二表面上，并且实质上防止焊料凸块扩散至凸块下冶金层的第二表面。
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公开(公告)号：CN103797591A
公开(公告)日：2014-05-14
申请号：CN201180073488.5
申请日：2011-08-17
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L33/405 , H01L33/44 , H01L2933/0016
Abstract: 根据本发明的一个方面，提供了用于制造氮化物半导体发光器件的方法和通过该方法制造的氮化物半导体发光器件。所述用于制造氮化物半导体发光器件的方法包括步骤：在衬底上形成第一和第二导电类型氮化物半导体层以形成在第一与第二导电类型氮化物半导体层之间包括有源层的发光结构；顺序地形成第一导电类型氮化物半导体层、有源层和第二导电类型氮化物半导体层；形成连接到第一导电类型氮化物半导体层的第一电极；在第二导电类型氮化物半导体层上形成光致抗蚀剂膜以暴露第二导电类型氮化物半导体层的一部分；以及在被光致抗蚀剂膜暴露的第二导电类型氮化物半导体层上顺序地形成用作第二电极的反射金属层和阻挡层之后去除光致抗蚀剂膜。
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公开(公告)号：CN103782399A
公开(公告)日：2014-05-07
申请号：CN201180073264.4
申请日：2011-08-09
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明涉及一种由于织构效应而具有改进的光提取效率的氮化物半导体发光元件，其包括：形成在衬底上的发光结构，其包括第一导电氮化物半导体层、第二导电氮化物半导体层以及插入在它们之间的有源层；电连接至第一导电氮化物半导体层的第一电极；电连接至第二导电氮化物半导体层的第二电极；以及具有多个通孔的光提取图案，其位于第一电极与第二电极之间并且形成为穿透发光结构的上表面和下表面。
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公开(公告)号：CN103765614A
公开(公告)日：2014-04-30
申请号：CN201180073034.8
申请日：2011-08-01
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L33/387 , H01L33/20 , H01L33/32 , H01L33/38 , H01L33/62 , H01L2924/0002 , H01L2933/0016 , H01L2924/00
Abstract: 根据本发明的一个方面的半导体发光元件包括：发光结构，其配备有n型半导体层、p型半导体层和布置在它们之间的有源层；第一电极，其连接至n型半导体层和p型半导体层中的一个；以及第二电极，其连接至n型半导体层和p型半导体层中没有连接第一电极的一个。第一电极配备有第一电极焊盘以及连接至第一电极焊盘的第一至第三分支电极，从而具有叉子形状，第一电极焊盘布置在所述发光结构的顶面的一侧的中央。第二电极配备有第二电极焊盘和第三电极焊盘以及连接至第二电极焊盘和第三电极焊盘的第四至第七分支电极，第二电极焊盘和第三电极焊盘彼此分开布置在与所述一侧相对的另一侧的两个角上，其中第四至第七分支电极延伸以便布置在第一至第三分支电极之间。
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公开(公告)号：CN103650178A
公开(公告)日：2014-03-19
申请号：CN201180072220.X
申请日：2011-07-29
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L33/387 , H01L33/20 , H01L33/382 , H01L2933/0016
Abstract: 本发明涉及半导体发光元件，本发明的一个实施例提供了一种半导体发光元件，包括：n型半导体层；有源层和p型半导体层，其形成在与n型半导体层的顶部表面的一部分相对应的第一区域上；n型电极，其形成在n型半导体层的顶部表面的不同于第一区域的第二区域上并与n型半导体层电连接，并且具有n型焊盘以及第一和第二n型指状电极；以及p型电极，其形成在p型半导体层上并与p型半导体层电连接，并且具有p型焊盘和p型指状电极。n型半导体层、有源层、p型半导体层形成发光结构，当从发光结构的上部观看时，半导体发光元件具有n型指状电极和p型指状电极重叠以彼此交叉的区域。
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