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公开(公告)号：CN109585634B
公开(公告)日：2023-11-03
申请号：CN201810834091.7
申请日：2018-07-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L33/62
Abstract: 一种半导体发光装置包括：发光结构，其包括沿着第一方向在衬底上按次序堆叠的第一导电类型的半导体层、有源层和第二导电类型的半导体层，并且包括暴露出第一导电类型的半导体层的暴露区。第一接触电极在暴露区中，第二接触电极在第二导电类型的半导体层上，并且绝缘层覆盖发光结构。分离的电极焊盘穿过绝缘层以电连接至第一接触电极和第二接触电极。第一电极焊盘和第二电极焊盘中的至少一个的侧表面可延伸以沿着第一方向与衬底的侧表面共面。
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公开(公告)号：CN103311420A
公开(公告)日：2013-09-18
申请号：CN201310067410.3
申请日：2013-03-04
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L27/153 , H01L33/38
Abstract: 本发明提供了一种半导体发光器件，包括：衬底；多单元阵列，其包括布置在所述衬底的上表面上的多个发光单元；多个第一电极和多个第二电极，其形成在每个发光单元中并且具有相反极性；多个互连单元，其将形成在一个发光单元中的多个第一电极串联连接到形成在相邻发光单元中的多个第二电极；以及绝缘层，其形成在各发光单元的表面上以便防止所述多个互连单元与各发光单元的不期望区域进行连接。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103426989B
公开(公告)日：2018-06-29
申请号：CN201310186277.3
申请日：2013-05-20
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L27/156 , H01L25/0753 , H01L33/62 , H01L2224/24 , H01L2224/48091 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明公开了一种半导体发光器件，其包括衬底和布置在衬底上的多个发光单元。每个发光单元包括在其间形成有有源层的第一和第二导电半导体层，以及形成在第一和第二导电半导体层上的第一和第二电极。第一绝缘层形成在发光单元的一部分上，而第二绝缘层完全覆盖至少一个发光单元。本发明还提供了一种制造半导体发光器件的方法，以及包括所述半导体发光器件的发光模块和照明设备。
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公开(公告)号：CN103180975A
公开(公告)日：2013-06-26
申请号：CN201180051281.8
申请日：2011-09-01
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L33/46 , H01L24/32 , H01L2224/48091 , H01L2224/49107 , H01L2224/73265 , H01L2924/01322 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2924/15788 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的一个方面提供了一种半导体发光二极管芯片和一种半导体发光器件。所述半导体发光二极管芯片包括：透光衬底；以及在所述透光衬底的上表面上顺序地形成的第一导电类型半导体层、有源层和第二导电类型半导体层。所述半导体发光器件包括：后反射型叠层，其形成在透光衬底的下表面上并且具有辅助光学层和金属反射层，所述辅助光学层由具有预定折射率的材料制成，所述金属反射层形成在所述辅助光学层的下表面上；接合金属层，其设置在所述后反射型叠层的下表面上并且由共晶金属制成；以及接合叠层，其具有被形成为防止所述接合金属层与所述金属反射层之间的元素扩散的扩散屏障。
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公开(公告)号：CN109585634A
公开(公告)日：2019-04-05
申请号：CN201810834091.7
申请日：2018-07-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L33/62
CPC classification number: H01L33/38 , H01L21/78 , H01L21/7806 , H01L21/782 , H01L21/784 , H01L23/544 , H01L27/156 , H01L33/0095 , H01L33/22 , H01L33/382 , H01L33/385 , H01L33/44 , H01L2223/5442 , H01L2223/54426 , H01L2223/5446 , H01L33/62
Abstract: 一种半导体发光装置包括：发光结构，其包括沿着第一方向在衬底上按次序堆叠的第一导电类型的半导体层、有源层和第二导电类型的半导体层，并且包括暴露出第一导电类型的半导体层的暴露区。第一接触电极在暴露区中，第二接触电极在第二导电类型的半导体层上，并且绝缘层覆盖发光结构。分离的电极焊盘穿过绝缘层以电连接至第一接触电极和第二接触电极。第一电极焊盘和第二电极焊盘中的至少一个的侧表面可延伸以沿着第一方向与衬底的侧表面共面。
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公开(公告)号：CN103311420B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201310067410.3
申请日：2013-03-04
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L27/153 , H01L33/38
Abstract: 本发明提供了一种半导体发光器件，包括：衬底；多单元阵列，其包括布置在所述衬底的上表面上的多个发光单元；多个第一电极和多个第二电极，其形成在每个发光单元中并且具有相反极性；多个互连单元，其将形成在一个发光单元中的多个第一电极串联连接到形成在相邻发光单元中的多个第二电极；以及绝缘层，其形成在各发光单元的表面上以便防止所述多个互连单元与各发光单元的不期望区域进行连接。
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公开(公告)号：CN103426989A
公开(公告)日：2013-12-04
申请号：CN201310186277.3
申请日：2013-05-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L33/36 , H01L33/48 , H01L33/62 , H01L33/42 , H01L25/075 , F21S2/00 , F21Y101/02
CPC classification number: H01L27/156 , H01L25/0753 , H01L33/62 , H01L2224/24 , H01L2224/48091 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明公开了一种半导体发光器件，其包括衬底和布置在衬底上的多个发光单元。每个发光单元包括在其间形成有有源层的第一和第二导电半导体层，以及形成在第一和第二导电半导体层上的第一和第二电极。第一绝缘层形成在发光单元的一部分上，而第二绝缘层完全覆盖至少一个发光单元。本发明还提供了一种制造半导体发光器件的方法，以及包括所述半导体发光器件的发光模块和照明设备。
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