污染源判定机器人清洁器及其操作方法

    公开(公告)号:CN114641228A

    公开(公告)日:2022-06-17

    申请号:CN202080076628.3

    申请日:2020-11-17

    摘要: 提供了一种机器人清洁器。根据本公开的机器人清洁器包括:驱动器,包括被配置为使机器人清洁器移动的驱动电机;存储器,存储关于污染地图的信息和关于地图上的多个对象的位置的信息,其中,所述污染地图用于地图中与机器人清洁器位于的地点对应的每个位置的污染程度;以及处理器,其中,处理器被配置为:基于关于所述多个对象的位置的信息和所述污染地图识别所述多个对象中的污染源,以及基于识别出的污染源在所述地图上的位置控制驱动器移动机器人清洁器。

    垂直非易失性存储器件
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN112582421A

    公开(公告)日:2021-03-30

    申请号:CN202010939672.4

    申请日:2020-09-09

    摘要: 一种垂直非易失性存储器件包括:堆叠体,其包括在堆叠方向上堆叠的栅极图案和层间绝缘图案,堆叠体在栅极图案中和在层间绝缘图案中具有在堆叠方向上延伸的贯通孔;半导体柱,其在贯通孔中并在堆叠方向上延伸;数据存储结构,其在栅极图案与贯通孔中的半导体柱之间,数据存储结构包括电荷存储层;以及虚设电荷存储层,其在贯通孔中在层间绝缘图案的侧壁上朝向半导体柱。

    用于移动终端的空闲屏幕布置结构和空闲屏幕显示方法

    公开(公告)号:CN101267471A

    公开(公告)日:2008-09-17

    申请号:CN200710307191.6

    申请日:2007-11-29

    IPC分类号: H04M1/725 G06F3/048

    摘要: 提供一种用于移动终端的空闲屏幕布置结构和空闲屏幕显示方法。该空闲屏幕布置结构包括:基础空闲屏幕;以及布置在基础空闲屏幕周围四个或八个方向上的多个不同的延伸空闲屏幕。在显示单元上显示基础空闲屏幕和延伸空闲屏幕中的第一空闲屏幕。响应于屏幕切换事件的输入,显示基础空闲屏幕和延伸空闲屏幕中与第一空闲屏幕不同的第二空闲屏幕来代替第一空闲屏幕。例如,当指针被移动到显示单元上的屏幕切换区域时,将第一空闲屏幕切换到第二空闲屏幕。基础和延伸空闲屏幕可以具有指向特定功能的快捷方式,而且以循环或非循环方式在彼此间切换。

    半导体发光装置
    6.
    发明授权

    公开(公告)号:CN109585634B

    公开(公告)日:2023-11-03

    申请号:CN201810834091.7

    申请日:2018-07-26

    IPC分类号: H01L33/62

    摘要: 一种半导体发光装置包括:发光结构,其包括沿着第一方向在衬底上按次序堆叠的第一导电类型的半导体层、有源层和第二导电类型的半导体层,并且包括暴露出第一导电类型的半导体层的暴露区。第一接触电极在暴露区中,第二接触电极在第二导电类型的半导体层上,并且绝缘层覆盖发光结构。分离的电极焊盘穿过绝缘层以电连接至第一接触电极和第二接触电极。第一电极焊盘和第二电极焊盘中的至少一个的侧表面可延伸以沿着第一方向与衬底的侧表面共面。

    显示装置以及控制显示装置的方法

    公开(公告)号:CN107950030B

    公开(公告)日:2022-05-27

    申请号:CN201680052037.6

    申请日:2016-10-27

    发明人: 李承桓

    IPC分类号: H04N21/422

    摘要: 提供了一种控制显示装置的方法。根据所述方法,显示装置可以从遥控设备接收数据,基于接收到的数据来识别所述遥控设备,根据接收到的数据来实现所述显示装置的功能,并基于通过所述遥控设备输入的用户输入来显示与所识别出的遥控设备相对应的用户界面(UI)屏幕。

    存储装置
    10.
    发明公开
    存储装置 审中-实审

    公开(公告)号:CN112652628A

    公开(公告)日:2021-04-13

    申请号:CN202010802422.6

    申请日:2020-08-11

    摘要: 提供了一种存储装置。所述存储装置包括:衬底;堆叠结构,所述堆叠结构包括沿垂直方向在所述衬底上交替堆叠的多个栅极层和多个层间绝缘层,所述堆叠结构包括成行的切口,每个所述切口沿第一水平方向延伸并且被配置为分割所述多个栅极层,所述切口彼此分开并且在所述堆叠结构的单元区域中沿所述第一水平方向布置;以及成行的沟道结构,所述沟道结构在所述单元区域中沿所述第一水平方向布置,每个所述沟道结构在所述垂直方向上延伸以穿透所述多个栅极层。