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公开(公告)号：CN114641228A
公开(公告)日：2022-06-17
申请号：CN202080076628.3
申请日：2020-11-17
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种机器人清洁器。根据本公开的机器人清洁器包括：驱动器，包括被配置为使机器人清洁器移动的驱动电机；存储器，存储关于污染地图的信息和关于地图上的多个对象的位置的信息，其中，所述污染地图用于地图中与机器人清洁器位于的地点对应的每个位置的污染程度；以及处理器，其中，处理器被配置为：基于关于所述多个对象的位置的信息和所述污染地图识别所述多个对象中的污染源，以及基于识别出的污染源在所述地图上的位置控制驱动器移动机器人清洁器。
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公开(公告)号：CN112582421A
公开(公告)日：2021-03-30
申请号：CN202010939672.4
申请日：2020-09-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11563 , H01L27/11568 , H01L27/11582
Abstract: 一种垂直非易失性存储器件包括：堆叠体，其包括在堆叠方向上堆叠的栅极图案和层间绝缘图案，堆叠体在栅极图案中和在层间绝缘图案中具有在堆叠方向上延伸的贯通孔；半导体柱，其在贯通孔中并在堆叠方向上延伸；数据存储结构，其在栅极图案与贯通孔中的半导体柱之间，数据存储结构包括电荷存储层；以及虚设电荷存储层，其在贯通孔中在层间绝缘图案的侧壁上朝向半导体柱。
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公开(公告)号：CN109728135A
公开(公告)日：2019-05-07
申请号：CN201811214372.9
申请日：2013-06-13
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明涉及半导体发光元件和发光装置，所述半导体发光元件包括发光结构，所述发光结构包括第一导电类型半导体层、有源层和第二导电类型半导体层。第一电极结构包括与所述第一导电类型半导体层连接的导电通路。第二电极结构与第二导电类型半导体层连接。具有开口区域的绝缘部件在覆盖第一电极结构和第二电极结构的同时以该开口区域暴露出第一电极结构和第二电极结构的一部分。第一焊盘电极和第二焊盘电极分别形成在通过开口区域暴露出来的第一电极结构和第二电极结构的部分上并且分别与第一电极结构和第二电极结构连接。
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公开(公告)号：CN103794686A
公开(公告)日：2014-05-14
申请号：CN201310513215.9
申请日：2013-10-25
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L33/007 , H01L33/0079 , H01L33/0075 , H01L33/10 , H01L33/32
Abstract: 本发明公开了半导体发光器件及其制造方法，其中的一种制造半导体发光器件的方法包括在半导体单晶生长衬底上形成隔离图案。在半导体单晶生长衬底上由隔离图案限定的一个芯片单元区域中顺序生长第一导电型半导体层、有源层、和第二导电型半导体层，并且形成反射金属层以覆盖发光结构和隔离图案。在反射金属层上形成支撑衬底，并且从发光结构上去除半导体单晶生长衬底。然后将支撑衬底切割为单独的发光器件。
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公开(公告)号：CN101267471A
公开(公告)日：2008-09-17
申请号：CN200710307191.6
申请日：2007-11-29
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G06F3/0488 , G06F3/0481 , G06F3/04812 , G06F3/04892 , H04M1/72544 , H04M1/72583 , H04M2250/56
Abstract: 提供一种用于移动终端的空闲屏幕布置结构和空闲屏幕显示方法。该空闲屏幕布置结构包括：基础空闲屏幕；以及布置在基础空闲屏幕周围四个或八个方向上的多个不同的延伸空闲屏幕。在显示单元上显示基础空闲屏幕和延伸空闲屏幕中的第一空闲屏幕。响应于屏幕切换事件的输入，显示基础空闲屏幕和延伸空闲屏幕中与第一空闲屏幕不同的第二空闲屏幕来代替第一空闲屏幕。例如，当指针被移动到显示单元上的屏幕切换区域时，将第一空闲屏幕切换到第二空闲屏幕。基础和延伸空闲屏幕可以具有指向特定功能的快捷方式，而且以循环或非循环方式在彼此间切换。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112563283A
公开(公告)日：2021-03-26
申请号：CN202010939717.8
申请日：2020-09-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11563 , H01L27/11568 , H01L27/11578 , H01L27/11582
Abstract: 公开了一种三维半导体存储器件，其包括：交替地堆叠在基板上的栅极间电介质层和电极层；穿透栅极间电介质层和电极层并且延伸到基板中的垂直半导体图案；在垂直半导体图案与电极层之间的阻挡电介质图案；隧道电介质层，在阻挡电介质图案与垂直半导体图案之间并且与栅极间电介质层接触；以及在阻挡电介质图案与隧道电介质层之间的第一电荷存储图案。第一电荷存储图案中的一个与阻挡电介质图案中的一个的顶表面和底表面接触。
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公开(公告)号：CN109585634A
公开(公告)日：2019-04-05
申请号：CN201810834091.7
申请日：2018-07-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L33/62
CPC classification number: H01L33/38 , H01L21/78 , H01L21/7806 , H01L21/782 , H01L21/784 , H01L23/544 , H01L27/156 , H01L33/0095 , H01L33/22 , H01L33/382 , H01L33/385 , H01L33/44 , H01L2223/5442 , H01L2223/54426 , H01L2223/5446 , H01L33/62
Abstract: 一种半导体发光装置包括：发光结构，其包括沿着第一方向在衬底上按次序堆叠的第一导电类型的半导体层、有源层和第二导电类型的半导体层，并且包括暴露出第一导电类型的半导体层的暴露区。第一接触电极在暴露区中，第二接触电极在第二导电类型的半导体层上，并且绝缘层覆盖发光结构。分离的电极焊盘穿过绝缘层以电连接至第一接触电极和第二接触电极。第一电极焊盘和第二电极焊盘中的至少一个的侧表面可延伸以沿着第一方向与衬底的侧表面共面。
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公开(公告)号：CN107961024A
公开(公告)日：2018-04-27
申请号：CN201710984038.0
申请日：2017-10-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: A61B6/00
CPC classification number: A61B6/4405 , A61B6/4429 , A61B6/467 , B60B33/045
Abstract: 本发明公开了一种移动X射线成像装置，该移动X射线成像装置包括：主体，包括X射线源；活动轮，提供在主体的下端并能够移动主体；以及支撑部分。该支撑部分包括：轮支撑板，支撑活动轮并能够旋转；框架，连接到主体，该框架支撑轮支撑板并且能够移动。支撑部分还包括弹性构件，该弹性构件设置在框架与轮支撑板之间，弹性构件在活动轮面向地面的方向上向轮支撑板施加弹力，其中弹性构件的弹力小于由主体施加到活动轮的最小负载。止动件限制轮支撑板的移动。
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公开(公告)号：CN103490000A
公开(公告)日：2014-01-01
申请号：CN201310233356.5
申请日：2013-06-13
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L33/382 , H01L33/38 , H01L33/405 , H01L33/44 , H01L33/62 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及半导体发光元件和发光装置，所述半导体发光元件包括发光结构，所述发光结构包括第一导电类型半导体层、有源层和第二导电类型半导体层。第一电极结构包括与所述第一导电类型半导体层连接的导电通路。第二电极结构与第二导电类型半导体层连接。具有开口区域的绝缘部件在覆盖第一电极结构和第二电极结构的同时以该开口区域暴露出第一电极结构和第二电极结构的一部分。第一焊盘电极和第二焊盘电极分别形成在通过开口区域暴露出来的第一电极结构和第二电极结构的部分上并且分别与第一电极结构和第二电极结构连接。
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公开(公告)号：CN107072622B
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN201680003681.4
申请日：2016-09-07
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: X射线成像装置及其控制方法涉及一种移动X射线成像装置，其允许用户识别X射线成像装置是否处于距离受检者一段适当的成像距离。X射线成像装置包括：X射线源；输入单元，其接收X射线源和X射线检测器之间的距离信息；参照光发射器，其从X射线源沿其中放置X射线检测器的方向照射光；至少一个辅助光发射器，其照射与来自参照光发射器的光相重叠的光；以及控制器，其确定至少一个辅助光发射器中与所述距离信息相对应的辅助光发射器；以及控制参照光发射器和所确定的辅助光发射器，以便参照光发射器和所确定的辅助光发射器照射光。
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