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公开(公告)号：CN103490000A
公开(公告)日：2014-01-01
申请号：CN201310233356.5
申请日：2013-06-13
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L33/382 , H01L33/38 , H01L33/405 , H01L33/44 , H01L33/62 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及半导体发光元件和发光装置，所述半导体发光元件包括发光结构，所述发光结构包括第一导电类型半导体层、有源层和第二导电类型半导体层。第一电极结构包括与所述第一导电类型半导体层连接的导电通路。第二电极结构与第二导电类型半导体层连接。具有开口区域的绝缘部件在覆盖第一电极结构和第二电极结构的同时以该开口区域暴露出第一电极结构和第二电极结构的一部分。第一焊盘电极和第二焊盘电极分别形成在通过开口区域暴露出来的第一电极结构和第二电极结构的部分上并且分别与第一电极结构和第二电极结构连接。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109728135A
公开(公告)日：2019-05-07
申请号：CN201811214372.9
申请日：2013-06-13
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明涉及半导体发光元件和发光装置，所述半导体发光元件包括发光结构，所述发光结构包括第一导电类型半导体层、有源层和第二导电类型半导体层。第一电极结构包括与所述第一导电类型半导体层连接的导电通路。第二电极结构与第二导电类型半导体层连接。具有开口区域的绝缘部件在覆盖第一电极结构和第二电极结构的同时以该开口区域暴露出第一电极结构和第二电极结构的一部分。第一焊盘电极和第二焊盘电极分别形成在通过开口区域暴露出来的第一电极结构和第二电极结构的部分上并且分别与第一电极结构和第二电极结构连接。
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公开(公告)号：CN109728135B
公开(公告)日：2022-03-04
申请号：CN201811214372.9
申请日：2013-06-13
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明涉及半导体发光元件和发光装置，所述半导体发光元件包括发光结构，所述发光结构包括第一导电类型半导体层、有源层和第二导电类型半导体层。第一电极结构包括与所述第一导电类型半导体层连接的导电通路。第二电极结构与第二导电类型半导体层连接。具有开口区域的绝缘部件在覆盖第一电极结构和第二电极结构的同时以该开口区域暴露出第一电极结构和第二电极结构的一部分。第一焊盘电极和第二焊盘电极分别形成在通过开口区域暴露出来的第一电极结构和第二电极结构的部分上并且分别与第一电极结构和第二电极结构连接。
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公开(公告)号：CN103490000B
公开(公告)日：2019-06-07
申请号：CN201310233356.5
申请日：2013-06-13
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L33/382 , H01L33/38 , H01L33/405 , H01L33/44 , H01L33/62 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及半导体发光元件和发光装置，所述半导体发光元件包括发光结构，所述发光结构包括第一导电类型半导体层、有源层和第二导电类型半导体层。第一电极结构包括与所述第一导电类型半导体层连接的导电通路。第二电极结构与第二导电类型半导体层连接。具有开口区域的绝缘部件在覆盖第一电极结构和第二电极结构的同时以该开口区域暴露出第一电极结构和第二电极结构的一部分。第一焊盘电极和第二焊盘电极分别形成在通过开口区域暴露出来的第一电极结构和第二电极结构的部分上并且分别与第一电极结构和第二电极结构连接。
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公开(公告)号：CN103594584B
公开(公告)日：2018-04-24
申请号：CN201310354117.5
申请日：2013-08-14
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L33/0075 , H01L27/156 , H01L33/20 , H01L33/38 , H01L33/382 , H01L33/44 , H01L33/62 , H01L2224/16 , H01L2933/0016
Abstract: 本发明公开了一种半导体发光器件和发光设备以及半导体发光器件的制造方法。该半导体发光器件包括第一导电半导体层、有源层、第二导电半导体层、第一内部电极、第二内部电极、绝缘部件以及第一焊盘电极和第二焊盘电极。有源层布置在第一导电半导体层的第一部分上，并且有源层上面布置有第二导电层。第一内部电极布置在第一导电半导体层的与第一部分分开的第二部分上。第二内部电极布置在第二导电半导体层上。绝缘部件分别布置在第二部分的一部分、第一内部电极以及第二内部电极上，而第一焊盘电极和第二焊盘电极布置在绝缘部件上并且分别与第一内部电极和第二内部电极中的相应一个电极连接。
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公开(公告)号：CN103594584A
公开(公告)日：2014-02-19
申请号：CN201310354117.5
申请日：2013-08-14
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L33/0075 , H01L27/156 , H01L33/20 , H01L33/38 , H01L33/382 , H01L33/44 , H01L33/62 , H01L2224/16 , H01L2933/0016
Abstract: 本发明公开了一种半导体发光器件和发光设备以及半导体发光器件的制造方法。该半导体发光器件包括第一导电半导体层、有源层、第二导电半导体层、第一内部电极、第二内部电极、绝缘部件以及第一焊盘电极和第二焊盘电极。有源层布置在第一导电半导体层的第一部分上，并且有源层上面布置有第二导电层。第一内部电极布置在第一导电半导体层的与第一部分分开的第二部分上。第二内部电极布置在第二导电半导体层上。绝缘部件分别布置在第二部分的一部分、第一内部电极以及第二内部电极上，而第一焊盘电极和第二焊盘电极布置在绝缘部件上并且分别与第一内部电极和第二内部电极中的相应一个电极连接。
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