公开(公告)号：CN107180900A

公开(公告)日：2017-09-19

申请号：CN201710139648.0

申请日：2017-03-09

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 梁钟隣 ,  朱铜爀 ,  金镇夏 ,  全埈佑 ,  郭重熙

IPC分类号： H01L33/14 ,  H01L33/46

CPC分类号： H01L33/145 ,  H01L33/06 ,  H01L33/32 ,  H01L33/38 ,  H01L33/42 ,  H01L33/44 ,  H01L33/46 ,  H01L33/52 ,  H01L33/62

摘要： 发光器件包括：发射结构；设于发射结构上的电流阻挡层；设于电流阻挡层上的反射层；覆盖反射层的保护层；以及设于保护层上的电极层。

公开(公告)号：CN102891160A

公开(公告)日：2013-01-23

申请号：CN201210256528.6

申请日：2012-07-23

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 梁钟隣 ,  金泰亨 ,  申永澈 ,  李泰泫 ,  宋尚烨 ,  金台勋

IPC分类号： H01L27/15 ,  H01L33/48 ,  H01L33/64

CPC分类号： H01L27/15 ,  H01L33/382 ,  H01L2224/16245

摘要： 提供了一种半导体发光装置和一种发光设备。半导体发光装置包括：发光二极管(LED)部，设置在透光基底的一个区域上，并且包括第一导电类型半导体层、活性层和第二导电类型半导体层；齐纳二极管部，设置在透光基底的另一区域上，并且包括第一导电类型半导体层、活性层和第二导电类型半导体层。

公开(公告)号：CN109728135A

公开(公告)日：2019-05-07

申请号：CN201811214372.9

申请日：2013-06-13

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 梁钟隣 ,  金泰亨 ,  宋光珉 ,  李承桓 ,  林完泰 ,  韩世俊 ,  洪玄权 ,  皇甫秀珉

IPC分类号： H01L33/00 ,  H01L33/36 ,  H01L33/62 ,  H01L33/64

摘要： 本发明涉及半导体发光元件和发光装置，所述半导体发光元件包括发光结构，所述发光结构包括第一导电类型半导体层、有源层和第二导电类型半导体层。第一电极结构包括与所述第一导电类型半导体层连接的导电通路。第二电极结构与第二导电类型半导体层连接。具有开口区域的绝缘部件在覆盖第一电极结构和第二电极结构的同时以该开口区域暴露出第一电极结构和第二电极结构的一部分。第一焊盘电极和第二焊盘电极分别形成在通过开口区域暴露出来的第一电极结构和第二电极结构的部分上并且分别与第一电极结构和第二电极结构连接。

公开(公告)号：CN107180900B

公开(公告)日：2021-04-06

申请号：CN201710139648.0

申请日：2017-03-09

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 梁钟隣 ,  朱铜爀 ,  金镇夏 ,  全埈佑 ,  郭重熙

IPC分类号： H01L33/14 ,  H01L33/46

摘要： 发光器件包括：发射结构；设于发射结构上的电流阻挡层；设于电流阻挡层上的反射层；覆盖反射层的保护层；以及设于保护层上的电极层。

公开(公告)号：CN103490000A

公开(公告)日：2014-01-01

申请号：CN201310233356.5

申请日：2013-06-13

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 梁钟隣 ,  金泰亨 ,  宋光珉 ,  李承桓 ,  林完泰 ,  韩世俊 ,  洪玄权 ,  皇甫秀珉

IPC分类号： H01L33/62 ,  H01L33/64 ,  H01L33/58 ,  H01L33/00

CPC分类号： H01L33/382 ,  H01L33/38 ,  H01L33/405 ,  H01L33/44 ,  H01L33/62 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明涉及半导体发光元件和发光装置，所述半导体发光元件包括发光结构，所述发光结构包括第一导电类型半导体层、有源层和第二导电类型半导体层。第一电极结构包括与所述第一导电类型半导体层连接的导电通路。第二电极结构与第二导电类型半导体层连接。具有开口区域的绝缘部件在覆盖第一电极结构和第二电极结构的同时以该开口区域暴露出第一电极结构和第二电极结构的一部分。第一焊盘电极和第二焊盘电极分别形成在通过开口区域暴露出来的第一电极结构和第二电极结构的部分上并且分别与第一电极结构和第二电极结构连接。

公开(公告)号：CN109728135B

公开(公告)日：2022-03-04

申请号：CN201811214372.9

申请日：2013-06-13

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 梁钟隣 ,  金泰亨 ,  宋光珉 ,  李承桓 ,  林完泰 ,  韩世俊 ,  洪玄权 ,  皇甫秀珉

IPC分类号： H01L33/00 ,  H01L33/36 ,  H01L33/62 ,  H01L33/64

摘要： 本发明涉及半导体发光元件和发光装置，所述半导体发光元件包括发光结构，所述发光结构包括第一导电类型半导体层、有源层和第二导电类型半导体层。第一电极结构包括与所述第一导电类型半导体层连接的导电通路。第二电极结构与第二导电类型半导体层连接。具有开口区域的绝缘部件在覆盖第一电极结构和第二电极结构的同时以该开口区域暴露出第一电极结构和第二电极结构的一部分。第一焊盘电极和第二焊盘电极分别形成在通过开口区域暴露出来的第一电极结构和第二电极结构的部分上并且分别与第一电极结构和第二电极结构连接。

公开(公告)号：CN103490000B

公开(公告)日：2019-06-07

申请号：CN201310233356.5

申请日：2013-06-13

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 梁钟隣 ,  金泰亨 ,  宋光珉 ,  李承桓 ,  林完泰 ,  韩世俊 ,  洪玄权 ,  皇甫秀珉

IPC分类号： H01L33/62 ,  H01L33/64 ,  H01L33/58 ,  H01L33/00

CPC分类号： H01L33/382 ,  H01L33/38 ,  H01L33/405 ,  H01L33/44 ,  H01L33/62 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明涉及半导体发光元件和发光装置，所述半导体发光元件包括发光结构，所述发光结构包括第一导电类型半导体层、有源层和第二导电类型半导体层。第一电极结构包括与所述第一导电类型半导体层连接的导电通路。第二电极结构与第二导电类型半导体层连接。具有开口区域的绝缘部件在覆盖第一电极结构和第二电极结构的同时以该开口区域暴露出第一电极结构和第二电极结构的一部分。第一焊盘电极和第二焊盘电极分别形成在通过开口区域暴露出来的第一电极结构和第二电极结构的部分上并且分别与第一电极结构和第二电极结构连接。

公开(公告)号：CN102315352B

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201110196557.3

申请日：2011-07-08

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 梁钟隣 ,  金泰亨 ,  李时赫 ,  宋尚烨 ,  孙哲守 ,  金学焕 ,  李镇贤

IPC分类号： H01L33/38 ,  H01L33/00

CPC分类号： H01L33/62 ,  H01L33/0025 ,  H01L33/005 ,  H01L33/007 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/20 ,  H01L33/32 ,  H01L33/382 ,  H01L33/387 ,  H01L33/405 ,  H01L33/44 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2933/0016 ,  H01L2933/0066 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明公开了一种半导体发光器件及其制造方法。所述半导体发光器件包括：第一电极层、绝缘层、第二电极层、第二半导体层、活性层和第一半导体层，顺序地堆叠在基底上；第一接触件和第二接触件，第一接触件穿过基底以电连接到第一电极层，第二接触件穿过基底、第一电极层和绝缘层以与第二电极层连通。第一电极层通过填充穿过第二电极层、第二半导体层和活性层的接触孔来电连接到第一半导体层，绝缘层围绕接触孔的内圆周表面以使第一电极层与第二电极层绝缘。