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公开(公告)号:CN109935666B
公开(公告)日:2024-12-17
申请号:CN201811486617.3
申请日:2018-12-06
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种半导体发光装置包括:第一发光部分,其包括第一半导体堆叠件以及布置在第一半导体堆叠件下方和上方的第一下分散式布拉格反射器(DBR)层和第一上分散式布拉格反射器(DBR)层;第二发光部分,其包括第二半导体堆叠件以及布置在第二半导体堆叠件下方和上方的第二下分散式布拉格反射器(DBR)层和第二上分散式布拉格反射器(DBR)层;第三发光部分,其包括第三半导体堆叠件以及布置在第三半导体堆叠件下方和上方的第三下分散式布拉格反射器(DBR)层和第三上分散式布拉格反射器(DBR)层;第一粘合层,其布置在第一发光部分与第二发光部分之间;以及第粘合层,其布置在第二发光部分与第三发光部分之间。
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公开(公告)号:CN106206907B
公开(公告)日:2020-07-24
申请号:CN201610353596.2
申请日:2016-05-25
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明提供了一种半导体发光装置和一种显示装置。该半导体发光装置包括:布线板,其包括其上布置有第一布线电极和第二布线电极的安装表面;半导体发光二极管芯片,其包括其上布置有第一电极和第二电极的第一表面,第一表面面对安装表面,该半导体发光二极管芯片还包括与第一表面相对定位的第二表面以及位于第一表面与第二表面之间的侧表面,第一电极和第二电极分别连接至第一布线电极和第二布线电极;以及反射层,其布置在半导体发光二极管芯片的第二表面和侧表面中的至少一个上。
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公开(公告)号:CN109119408A
公开(公告)日:2019-01-01
申请号:CN201810935119.6
申请日:2016-08-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L25/075 , H01L33/44 , H01L33/50
Abstract: 本发明提供了一种发光二极管,其包括发光结构、发光结构上的光学波长转换层和光学波长转换层上的光学滤波器层。发光结构包括第一导电类型的半导体层、第一导电类型的半导体层上的有源层和有源层上的第二导电类型的半导体层,并且发射具有第一峰值波长的第一光。光学波长转换层吸收从发光结构发射的第一光,并且发射具有与第一峰值波长不同的第二峰值波长的第二光。光学滤波器层反射从发光结构发射的第一光,并且透射从光学波长转换层发射的第二光。
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公开(公告)号:CN108206233A
公开(公告)日:2018-06-26
申请号:CN201710984983.0
申请日:2017-10-20
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L33/58 , F21K9/232 , F21K9/237 , F21K9/275 , G02B6/0073 , G02F1/133514 , H01L33/06 , H01L33/30 , H01L33/32 , H01L33/486 , H01L33/502 , H01L33/60 , H01L33/62 , H01L2933/0041 , H01L2933/0058 , H01L2933/0066 , H01L33/52 , H01L33/005
Abstract: 提供了一种发光二极管(LED)封装件和制造LED封装件的方法。LED封装件包括:反射结构,其包括腔体、具有通孔的底部和包围腔体和底部的侧壁部分,侧壁部分具有倾斜的内侧表面;插入通孔中的电极焊盘;腔体中的底部上的LED,所述LED包括电连接至电极焊盘的发光结构和形成在发光结构上的荧光体;以及透镜结构,其填充腔体并且形成在反射结构上。
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公开(公告)号:CN107731861A
公开(公告)日:2018-02-23
申请号:CN201710684847.X
申请日:2017-08-11
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L27/156 , H01L33/50 , H01L33/60
Abstract: 本发明提供发光装置封装件和显示装置。发光装置封装件包括:具有多个发光窗口的用于生长的衬底;多个半导体发光单元,其对应于多个发光窗口,每个半导体发光单元具有与用于生长的衬底接触的第一表面和与第一表面相对的第二表面,并且每个半导体发光单元具有彼此堆叠的第一导电类型半导体层、有源层和第二导电类型半导体层;多个波长转换单元,其分别布置在多个发光窗口内,每个波长转换单元被构造为提供与对应的半导体发光单元发射的光波长不同的光;金属支承层,其布置在多个半导体发光单元中的每一个的至少一个表面上,并且具有与用于生长的衬底的侧表面共面的侧表面;和绝缘层,其布置在多个半导体发光单元中的每一个与对应的金属支承层之间。
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公开(公告)号:CN107086226A
公开(公告)日:2017-08-22
申请号:CN201710066413.3
申请日:2017-02-07
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 发光二极管模块、显示面板或其它设备的像素可以包括不同颜色的子像素,子像素之一包括诸如磷光体的波长转换材料,以便将从子像素的关联发光二极管发射的光转换为除了从子像素发射的光的主色之外的颜色。波长转换材料可以具有为调谐像素的颜色坐标而选择的量。可以响应于对其上要形成波长转换材料的子像素或类似制造的子像素的发光二极管所发射的光的光谱强度接近性测量,来确定波长转换材料的量。还公开了其制造方法。
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公开(公告)号:CN106847796A
公开(公告)日:2017-06-13
申请号:CN201611005663.8
申请日:2016-11-15
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L25/075 , H01L21/60 , G09F9/33
CPC classification number: H01L25/0753 , H01L33/20 , H01L33/38 , H01L33/505 , H01L33/62 , H01L2224/95085 , H05K1/00 , H05K1/181 , H05K1/183 , H05K3/301 , H05K3/325 , H05K2201/083 , H05K2201/0939 , H05K2201/09472 , H05K2201/10106 , H05K2201/10674 , H05K2201/209 , H05K2203/104 , H05K2203/168 , Y02P70/611 , G09F9/33 , H01L24/81 , H01L2224/81121
Abstract: 提供了LED芯片、光源模块、LED显示面板及包括其的LED显示设备。光源模块可以包括:电路板,具有多个芯片安装区,所述多个芯片安装区分别具有设置在所述多个芯片安装区中的每个芯片安装区上的至少一个连接垫和至少一个对齐组件,所述至少一个对齐组件具有凸形或凹形;多个LED芯片,分别安装在所述多个芯片安装区上,分别具有电连接到所述至少一个连接垫的至少一个电极并且分别结合到所述至少一个对齐组件。
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公开(公告)号:CN102800773A
公开(公告)日:2012-11-28
申请号:CN201210164736.3
申请日:2012-05-24
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明提供了一种半导体发光器件及其制造方法。该半导体发光器件包括:发光结构,包括第一和第二导电半导体层,有源层插置在第一和第二导电半导体层之间;第一和第二接合电极,分别连接到第一和第二导电半导体层;透明电极层,形成在第二导电半导体层上;多个纳米结构,形成在透明电极层上;以及钝化层,形成为覆盖多个纳米结构,其中透明电极层、多个纳米结构和钝化层的折射率可依次减小。
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