公开(公告)号：CN102800781A

公开(公告)日：2012-11-28

申请号：CN201210162730.2

申请日：2012-05-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金台勋 ,  蔡昇完 ,  金容一 ,  李承宰 ,  张泰盛 ,  孙宗洛 ,  金甫耕

IPC: H01L33/46 ,  H01L33/64

CPC classification number: H01L33/46 ,  H01L33/20 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/49107 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83385 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供了一种半导体发光装置及其制造方法和一种发光设备。该半导体发光装置包括：透光基底；发光部分；第一电极和第二电极，分别电连接到第一导电类型半导体层和第二导电类型半导体层；后反射部分，包括反射金属层以及置于透光基底和反射金属层之间的透光介电层。

公开(公告)号：CN103094432A

公开(公告)日：2013-05-08

申请号：CN201210435186.4

申请日：2012-11-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李完镐 ,  崔丞佑 ,  宋尚烨 ,  孙宗洛

IPC: H01L33/04

CPC classification number: H01L33/10 ,  H01L33/42 ,  H01L33/46 ,  H01L2224/14 ,  H01L2224/16245 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/49107 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本发明提供了一种半导体发光器件及其制造方法。所述半导体发光器件包括发光结构，以及形成在该发光结构上的反射结构，该发光结构包括第一导电型半导体层、有源层和第二导电型半导体层，该反射结构包括纳米杆层和形成在纳米杆层上的反射金属层，该纳米杆层包括多个纳米杆和该多个纳米杆之间的空气填充空间。

公开(公告)号：CN102800773A

公开(公告)日：2012-11-28

申请号：CN201210164736.3

申请日：2012-05-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金相沇 ,  孙宗洛 ,  金起范 ,  李守烈 ,  金容一

IPC: H01L33/36 ,  H01L33/42 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L33/42 ,  H01L33/20 ,  H01L33/38 ,  H01L33/44

Abstract: 本发明提供了一种半导体发光器件及其制造方法。该半导体发光器件包括：发光结构，包括第一和第二导电半导体层，有源层插置在第一和第二导电半导体层之间；第一和第二接合电极，分别连接到第一和第二导电半导体层；透明电极层，形成在第二导电半导体层上；多个纳米结构，形成在透明电极层上；以及钝化层，形成为覆盖多个纳米结构，其中透明电极层、多个纳米结构和钝化层的折射率可依次减小。

公开(公告)号：CN102800781B

公开(公告)日：2017-04-12

申请号：CN201210162730.2

申请日：2012-05-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金台勋 ,  蔡昇完 ,  金容一 ,  李承宰 ,  张泰盛 ,  孙宗洛 ,  金甫耕

IPC: H01L33/46 ,  H01L33/64

CPC classification number: H01L33/46 ,  H01L33/20 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/49107 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83385 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供了一种半导体发光装置及其制造方法和一种发光设备。该半导体发光装置包括：透光基底；发光部分；第一电极和第二电极，分别电连接到第一导电类型半导体层和第二导电类型半导体层；后反射部分，包括反射金属层以及置于透光基底和反射金属层之间的透光介电层。

公开(公告)号：CN103687900A

公开(公告)日：2014-03-26

申请号：CN201180072254.9

申请日：2011-08-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李承宰 ,  朴娜娜 ,  朴庆善 ,  金甫耕 ,  孙宗洛 ,  郭昌勋

IPC: C08J5/18 ,  C08J7/00 ,  C09K11/00 ,  G02F1/1335

CPC classification number: C09K11/025 ,  B05D5/06 ,  C08J7/06 ,  C09K11/08

Abstract: 本发明提供了一种荧光体树脂膜的制造方法以及由此制造的荧光体树脂膜。更具体而言，本发明涉及制造荧光体树脂膜的方法，该方法包括如下步骤：将聚合物树脂和潜伏性固化剂混合于溶剂中以制备聚合物浆料；将所述聚合物浆料铺展开以使其呈膜状；将所施加的聚合物浆料干燥以形成半固化树脂膜；以及将荧光体粉末置于所述半固化树脂膜上。本发明还涉及一种包含聚合物树脂和潜伏性固化剂的荧光体树脂膜，本发明还涉及这样的荧光体树脂膜，其中该半固化树脂膜的一个表面被荧光体粉末均匀覆盖。