倒装LED芯片制备方法
    2.
    发明授权

    公开(公告)号:CN105226140B

    公开(公告)日:2018-06-01

    申请号:CN201410276020.1

    申请日:2014-06-19

    CPC classification number: H01L2224/14 H01L2224/16225

    Abstract: 本发明提出了一种倒装LED芯片制备方法,采用一层隔离层进行隔离,然后刻蚀后再分别形成键合P电极、键合N电极,在简化工艺的前体下,形成具有电流分布均匀、电压低、亮度高等优点的倒装LED芯片,同时,由于形成的键合P电极和键合N电极位于同一平面,因此在将其封装至散热基板上时,无需在散热基板上形成金属凸点,可以直接封装在平面的散热基板表面。进一步的,N电极可以为插指或者环状广泛分布,在保证电流分布均匀的前提下,很大限度的减少了刻蚀面积,保留了更大的发光面积;倒装LED芯片共晶焊面积远大于现有技术中通过金属凸点封装的倒装LED芯片,增大了导热面积,从而更有利于倒装LED芯片热量的传导。

    发光装置的制造方法
    3.
    发明授权

    公开(公告)号:CN103179801B

    公开(公告)日:2017-11-21

    申请号:CN201210599336.5

    申请日:2012-12-26

    Inventor: 铃木亮

    Abstract: 本发明的目的在于提供一种发光装置的制造方法,该方法可有效地利用接合部件在加热熔融时的自对准效果,实现可将多个发光元件无限接近于点光源的高精度的发光元件的安装。一种发光装置的制造方法,该方法包括下述步骤:将3个以上的发光元件(9)安装于设置在支持基板上的一组导电部件上,就一组导电部件肉眼,安装发光元件(9)中的一个的安装部被设置成2个以上的列和2个以上的行,发光元件(9)在从一组导电部件的基本中间处沿辐射方向延伸的假想线上,自安装部移开,经由接合部件而安装于一组导电部件上,对接合部件进行加热熔融,利用加热熔融的自对准效果,将发光元件(9)安装于安装部上。

    利用半导体发光器件的显示装置

    公开(公告)号:CN105493625B

    公开(公告)日:2017-09-29

    申请号:CN201480046422.0

    申请日:2014-03-26

    Inventor: 李炳俊

    Abstract: 根据本公开一实施方式的显示装置可以包括:下基板,该下基板在其上部设置有线电极;多个半导体发光器件,所述多个半导体发光器件电连接至所述线电极以生成光并且被设置成彼此分离;以及粘合部分,该粘合部分包括被设置成将所述下基板的位置固定至所述半导体发光器件的位置的基体,和分散在所述基体内以将所述下基板电连接至所述半导体发光器件的导体,其中,所述多个半导体发光器件形成具有分别发射红光、绿光以及蓝光的红色半导体发光器件、绿色半导体发光器件以及蓝色半导体发光器件的一个像素区(P),并且包含从无机半导体材料中选择的材料,并且所述粘合部分阻挡从所述多个半导体发光器件生成的光。

    基板结构
    7.
    发明公开

    公开(公告)号:CN106206512A

    公开(公告)日:2016-12-07

    申请号:CN201510235625.0

    申请日:2015-05-11

    CPC classification number: H01L2224/11 H01L2224/14

    Abstract: 一种基板结构,包括:具有多个电性接触垫的基板本体、设于该电性接触垫上的第一导电凸块以及第二导电凸块,该第一导电凸块包含第一预焊锡层,且该第二导电凸块包含第二预焊锡层,而该第二导电凸块的宽度小于该第一导电凸块的宽度,藉由该第二导电凸块的高度大于该第一导电凸块的高度,以于回焊后,利用此高度差补偿第一与第二预焊锡层的高度差,而得到高度一致的第一与第二导电凸块。

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