一种白光LED及其制备方法

    公开(公告)号:CN102832328A

    公开(公告)日:2012-12-19

    申请号:CN201210252329.8

    申请日:2012-07-19

    IPC分类号: H01L33/50 C09K11/77

    CPC分类号: Y02B20/181

    摘要: 本发明提供一种白光LED及其制备方法。采用LED芯片发光激发荧光陶瓷,产生白光,所述的荧光陶瓷为多晶Re:YAG陶瓷,其中稀土元素Re选自Ce、Eu、Er、Nd、Tb、Sm、Dy、Tm或Yb,掺杂量为0.005到10wt.%。本发明利用Re:YAG荧光陶瓷的具有高热导率、高化学稳定性与结晶度的优越性能,利用Re:YAG荧光陶瓷代替传统白光LED光源中的荧光粉和胶体混合的封装外壳,有效避免白光LED光源由于高温造成的色温漂移,提高了白光LED光源的稳定性,并提高了白光LED光源的光效。

    一种可见光全光谱高反射率LED封装结构

    公开(公告)号:CN102544336A

    公开(公告)日:2012-07-04

    申请号:CN201110241295.8

    申请日:2011-08-20

    IPC分类号: H01L33/60 H01L33/48 H01L33/00

    摘要: 本发明涉及一种利用可见光全光谱高反射的非金属或金属化合物或有机物材料提高白光LED光效与显色指数同时降低光衰的LED封装基座与封装结构。其中可见光全光谱的波长范围为400nm至760nm,高反射率材料在可见光光谱的反射率均大于85%。LED封装基座(10),其特征在于,其用于固晶的一面(101)镀有由非金属或金属化合物或有机物材料制成的可见光全光谱高反射率薄膜或涂层(102),或者基座(10)本身由高反射率的非金属或金属化合物或有机物材料制成且其上表面(101)具有可见光全光谱高反射率。LED封装(20),其特征在于,在所述高反射率面(102)或(101)上采用固晶安装LED芯片,芯片与基底电极(501)与(502)相连。