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公开(公告)号：CN102544252B
公开(公告)日：2015-10-07
申请号：CN201110199939.1
申请日：2011-07-05
申请人： 中国科学院福建物质结构研究所
发明人： 曹永革
摘要： 本发明目的在于提供一种高漫反射(200～760nm波段反射率R≥80％)光学设计基板并进行LED芯片封装从而获得高光效、低光衰、高光色均匀性的LED封装方法，适用于各种LED芯片尤其白光LED芯片的封装。LED用基板10，其特征在于：对基板10进行表面处理实现表面101上的高漫反射层102；LED封装，其特征在于，在基板10上形成两电极501与502；LED芯片20，芯片采用固晶方式固定于封装基板的高漫反射层102之上；以及密封物40，密封物覆盖所述LED芯片20与所述高漫反射层102。其要点在于通过基板表面高漫反射实现将从芯片底部出来的光的反射柱面充分均匀扩张成大角度扇面(弧度接近170度KLMNOJ)，以充分激发荧光粉从而获得比传统镀银镜面反光膜更高的光效，并保证良好光色一致性。
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公开(公告)号：CN101985399B
公开(公告)日：2014-12-17
申请号：CN200910112280.4
申请日：2009-07-29
申请人： 中国科学院福建物质结构研究所
IPC分类号： C04B35/622 , C04B35/505
摘要： 本发明涉及注浆成型反应烧结制备稀土掺杂Re:YAG透明陶瓷的方法。本发明采用市售的高纯Y2O3、Al2O3、Nd2O3和MgO、TEOS为原料，MgO、CaO和TEOS作为烧结助剂，采用注浆成型工艺，反应烧结制备高透明多晶陶瓷。将上述氧化物混合添加到液体介质并中添加一定量的分散剂、粘结剂、增塑剂、除泡剂球磨混合0.5～100小时，真空除泡后浆料，浇注到石膏磨具中成型，成型生坯低温烘干，将脱脂后生坯放入真空炉中在1500～1900℃烧结，烧结时间为5～120小时，制备出透明多晶Nd:YAG透明陶瓷在1064nm波长直线透过率为83.6％。
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公开(公告)号：CN103205254A
公开(公告)日：2013-07-17
申请号：CN201310123891.5
申请日：2013-04-10
申请人： 中国科学院福建物质结构研究所
CPC分类号： H01L2224/14 , H01L2224/16225 , H01L2224/48091 , H01L2924/16195 , Y02B20/181 , H01L2924/00014
摘要： 本发明提供一种透明荧光体，尤其是透明陶瓷荧光体、透明玻璃荧光体、和透明复合荧光体，以及应用这三种透明荧光体的白光LED。本发明利用所述透明荧光材料代替传统白光LED光源中的荧光粉，实现白光LED。由于透明荧光体具有高热导、高稳定性与高结晶度的优势，避免白光LED光源由于高温造成的色温漂移，提高了白光LED光源的稳定性，并提高了白光LED光源的光效。
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公开(公告)号：CN101985735A
公开(公告)日：2011-03-16
申请号：CN200910112272.X
申请日：2009-07-29
申请人： 中国科学院福建物质结构研究所
摘要： 本发明涉及一种氧化铝靶材和该靶材制备的透明导电薄膜。采用冷等静压成型、真空高温烧结制备出高质量的氧化铝陶瓷靶，该靶纯度高于99.9％，相对密度大于99％。使用该氧化铝陶瓷靶和氧化锌靶或锌靶采用多靶共溅射技术，在多种衬底上制备AZO透明导电膜。该工艺制备的AZO透明导电膜透过率高而且铝含量和电阻率连续可调；在400～1000nm范围平均透过率大于80％，电阻率可低至3.38×10-4Ω·cm。该AZO透明导电膜可替代ITO广泛应用于太阳能电池和平板显示等领域。
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公开(公告)号：CN101834068A
公开(公告)日：2010-09-15
申请号：CN200910111244.6
申请日：2009-03-13
申请人： 中国科学院福建物质结构研究所
CPC分类号： Y02E10/542
摘要： 本发明公开了一种用于染料敏化太阳能电池的核壳结构阳电极及其制备方法。该方法其采用射频磁控溅射在ZnO纳米棒阵列膜上沉积TiO2层，制备了ZnO/TiO2核壳结构电极。本发明解决了染料敏化太阳能电池中染料对ZnO的化学腐蚀问题，提高了ZnO基太阳能电池的稳定性；ZnO/TiO2核壳结构抑制了染料敏化太阳能电池中阳电极/染料/电解质界面的电荷复合，有利于提高电池的光电转换效率。该方法制备的阳电极可以减小电池的暗电流，同时提高电池的短路电流，开路电压和填充因子。
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公开(公告)号：CN104609862A
公开(公告)日：2015-05-13
申请号：CN201410767373.1
申请日：2014-12-12
申请人： 中国科学院福建物质结构研究所
IPC分类号： C04B35/565 , C04B35/582 , C04B35/622 , B28B7/18 , B28B7/26
摘要： 本申请公开了一种热压模具，包括上压头、外模、下压头和导柱；外模具备中空结构，外模上/下部分别具备与上/下压头配合的上/下开口；上/下压头与外模配合的一面具备孔；导柱设置于外模的中空结构内并上/下压头的孔。本申请还公开了一种采用上述热压模具制备多孔结构陶瓷的方法，包括步骤：下压头与外模装配在一起，导柱插入下压头的孔中，将下垫片放入热压模具内的下压头上表面，将含有烧结助剂的陶瓷粉料装入热压模具中，分别将上垫片和上压头装入外模中；组装完成的热压模具在压强10～40Mpa、温度1800～2000℃、非活性气氛下烧结1～3小时；烧结完成的热压模具冷却到室温，脱模，除去导柱，得到所述多孔结构陶瓷。
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公开(公告)号：CN103382111A
公开(公告)日：2013-11-06
申请号：CN201310290599.2
申请日：2013-07-11
申请人： 中国科学院福建物质结构研究所
IPC分类号： C04B35/462 , C04B35/622
摘要： 本发明一种钛酸铌铜钠基巨介电陶瓷材料及其制备方法。该材料用下述通式表示的材料组成：NaxCu3NbyTi3O12，式中x表示Na原子的摩尔数，y表示Nb原子的摩尔数，0.02≤ x ≤1.55,0.45≤y≤1.79。经过实验测试表明，x的取值为1.00,y的取值为1.00时制备的陶瓷材料结构致密，晶粒尺寸为≤6μm；室温中在10KHz下介电常数为4655，介电损耗为0.108，且介电常数在很宽的频率范围内变化很小，同时介电损耗在很宽的频率范围下≤0.50。
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公开(公告)号：CN101834009B
公开(公告)日：2013-05-01
申请号：CN200910111243.1
申请日：2009-03-13
申请人： 中国科学院福建物质结构研究所
摘要： 本发明涉及一种用铟掺杂氧化锌透明导电膜材料及其制备方法。该方法采用多靶共溅磁控溅射技术，采用氧化锌陶瓷靶和铟金属靶共溅的方法，在普通碱玻璃及石英玻璃衬底上制备出具有多晶结构的ZnO:In透明导电膜。工艺条件为：氩气和氧气混合工作气体压强为0.2～2.0Pa，氧气与氩气体积比为0～0.2，氧化锌靶及铟靶溅射功率分别为50～200W和5～40W，衬底温度为室温～500℃，偏压为0～-200V。制得的透明导电膜中铟原子数含量低至2％，具有很好的导电性能，在400～1100nm透过率大于90％，可替代ITO广泛应用于太阳能电池和平板显示等领域。
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公开(公告)号：CN103058633A
公开(公告)日：2013-04-24
申请号：CN201110320371.4
申请日：2011-10-18
申请人： 中国科学院福建物质结构研究所
IPC分类号： C04B35/10 , C04B35/622
摘要： 本发明提供一种YAG复合透明激光陶瓷的方法，采用高纯商业粉Y2O3、Al2O3、Re2O3为原料，其中Re为三价稀土元素，如Yb3+、Nd3+、Cr3+、Er3+、Ce3+、Sm3+、Eu3+、Tm3+等其中一种或几种；烧结助剂采用TEOS、MgO、CaO或者SiO2中一种或几种；同时添加一定量分散剂、粘结剂、塑性剂、均化剂等进行两次球磨。将混匀的浆料分别经过真空除泡、流延成型、复合等静压成型工艺获得素坯，之后将成型的素坯在气氛条件下充分脱脂，最后进行高温烧结、退火处理以及机械抛光获得复合激光透明陶瓷，其透过率达到80％，并实现了激光功率输出。
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公开(公告)号：CN102832328A
公开(公告)日：2012-12-19
申请号：CN201210252329.8
申请日：2012-07-19
申请人： 中国科学院福建物质结构研究所
CPC分类号： Y02B20/181
摘要： 本发明提供一种白光LED及其制备方法。采用LED芯片发光激发荧光陶瓷，产生白光，所述的荧光陶瓷为多晶Re:YAG陶瓷，其中稀土元素Re选自Ce、Eu、Er、Nd、Tb、Sm、Dy、Tm或Yb，掺杂量为0.005到10wt.%。本发明利用Re:YAG荧光陶瓷的具有高热导率、高化学稳定性与结晶度的优越性能，利用Re:YAG荧光陶瓷代替传统白光LED光源中的荧光粉和胶体混合的封装外壳，有效避免白光LED光源由于高温造成的色温漂移，提高了白光LED光源的稳定性，并提高了白光LED光源的光效。
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