公开(公告)号：CN103382111A

公开(公告)日：2013-11-06

申请号：CN201310290599.2

申请日：2013-07-11

申请人： 中国科学院福建物质结构研究所

发明人： 曹永革 ,  刘洋 ,  王文超 ,  黄秋凤 ,  王充 ,  陈剑 ,  陈东川 ,  费斌杰

IPC分类号： C04B35/462 ,  C04B35/622

摘要： 本发明一种钛酸铌铜钠基巨介电陶瓷材料及其制备方法。该材料用下述通式表示的材料组成：NaxCu3NbyTi3O12，式中x表示Na原子的摩尔数，y表示Nb原子的摩尔数，0.02≤ x ≤1.55,0.45≤y≤1.79。经过实验测试表明，x的取值为1.00,y的取值为1.00时制备的陶瓷材料结构致密，晶粒尺寸为≤6μm；室温中在10KHz下介电常数为4655，介电损耗为0.108，且介电常数在很宽的频率范围内变化很小，同时介电损耗在很宽的频率范围下≤0.50。

公开(公告)号：CN103058633A

公开(公告)日：2013-04-24

申请号：CN201110320371.4

申请日：2011-10-18

申请人： 中国科学院福建物质结构研究所

发明人： 曹永革 ,  唐飞 ,  黄秋凤 ,  郭旺 ,  王文超 ,  费斌杰

IPC分类号： C04B35/10 ,  C04B35/622

摘要： 本发明提供一种YAG复合透明激光陶瓷的方法，采用高纯商业粉Y2O3、Al2O3、Re2O3为原料，其中Re为三价稀土元素，如Yb3+、Nd3+、Cr3+、Er3+、Ce3+、Sm3+、Eu3+、Tm3+等其中一种或几种；烧结助剂采用TEOS、MgO、CaO或者SiO2中一种或几种；同时添加一定量分散剂、粘结剂、塑性剂、均化剂等进行两次球磨。将混匀的浆料分别经过真空除泡、流延成型、复合等静压成型工艺获得素坯，之后将成型的素坯在气氛条件下充分脱脂，最后进行高温烧结、退火处理以及机械抛光获得复合激光透明陶瓷，其透过率达到80％，并实现了激光功率输出。

公开(公告)号：CN103043720B

公开(公告)日：2014-08-20

申请号：CN201110306099.4

申请日：2011-10-11

申请人： 中国科学院福建物质结构研究所

发明人： 曹永革 ,  费斌杰 ,  郭旺 ,  黄秋凤 ,  王文超 ,  唐飞

IPC分类号： C01G31/00 ,  B82Y40/00

摘要： 本发明提供了亚纳米级钒酸钇粉体的制备方法。配制含钇无机酸盐溶液，加入偏钒酸铵及一定量高纯水，充分搅拌；用碱液调节PH值成为橙黄色胶状悬浮液后转移至水浴锅中预加热；收集、水洗、醇洗、离心分离出前驱体；干燥后分别在300-600℃和800-1150℃煅烧，得到两种微观形貌的钒酸钇粉体。采用本发明可制备微观形貌为米粒状和方块状的两种亚纳米级钒酸钇粉体：米粒状粉体分散性好，粒径200-300nm；方块状粉体粒径均一，粒径100-150nm。两种微观形貌的粉体均可用于制备钒酸钇单晶以及多晶；在该方法基础上掺入Ce3+、In3+等离子可制备微观形貌为米粒状或方块状的钒酸钇荧光粉。

公开(公告)号：CN103626487A

公开(公告)日：2014-03-12

申请号：CN201310610479.6

申请日：2013-11-26

申请人： 中国科学院福建物质结构研究所

发明人： 郭旺 ,  曹永革 ,  黄秋凤 ,  费斌杰 ,  陈剑 ,  张大财

IPC分类号： C04B35/44 ,  C04B35/622

摘要： 本发明提供一种复合结构钇铝石榴石透明陶瓷的制备方法，使用Re:YAG粉体和高纯Y2O3、Al2O3、Re2O3为原料。添加一定量的分散剂、粘结剂、增塑剂、除泡剂球磨混合浆料，通过真空压力注浆成型方式制备不同掺杂包边复合结构陶瓷素坯，如Sm：YAG/Nd：YAG、Cr：YAG/Yb：YAG和YAG/Nd：YAG；多段式不同掺杂Re：YAG陶瓷素坯，如YAG/Cr：YAG/Nd：YAG/YAG；芯壳结构复合陶瓷素坯；层状复合结构透明陶瓷素坯。通过素坯脱脂、真空烧结、热等静压烧结、退火等工艺步骤，得到不同复合结构Re：YAG透明陶瓷，双面抛光后在可见近红外区域的直线透过率达到80%以上。

公开(公告)号：CN102584238A

公开(公告)日：2012-07-18

申请号：CN201210032481.5

申请日：2012-02-14

申请人： 中国科学院福建物质结构研究所

发明人： 曹永革 ,  费斌杰 ,  郭旺 ,  黄秋凤

IPC分类号： C04B35/505 ,  C04B35/495 ,  C04B35/622

摘要： 本发明涉及一种半透明钒酸钇陶瓷的制备方法，属于功能陶瓷和无机材料制备的技术领域。采用钒酸钇多晶粉体为原料，将多晶粉体、溶剂、分散剂、除泡剂按一定质量比混合，球磨12-24h；所得浆料中加入增塑剂、粘结剂，再次球磨8-16h；固定刀口高度300-1000μm，调节流延速度和温度，把真空除泡后浆料，置于流延机料斗中，流延成型；取出成型后的流延薄片，收集样品；600-900℃气氛下脱脂后，在氧环境保护下，1500-1650℃烧结，得到半透明钒酸钇陶瓷。采用本发明制备钒酸钇晶体具有所需温度低，设备简单，操作方便，成本低等优点。

公开(公告)号：CN104332539B

公开(公告)日：2017-10-24

申请号：CN201410299430.8

申请日：2014-06-27

申请人： 中国科学院福建物质结构研究所

发明人： 曹永革 ,  刘著光 ,  邓种华 ,  陈剑 ,  李军廷 ,  费斌杰 ,  郭旺 ,  唐飞 ,  黄秋凤 ,  袁轩一

IPC分类号： H01L33/08 ,  H01L33/00

CPC分类号： H01L33/06 ,  H01L33/0025 ,  H01L33/007 ,  H01L33/02 ,  H01L33/32 ,  H01L33/502

摘要： 本发明提出了一种GaN基LED外延结构及其制造方法。所述GaN基LED外延结构包括：衬底；在所述衬底上外延生长的GaN基LED外延结构，其中所述衬底是含光致发光荧光材料的衬底。通过使用稀土元素掺杂Re3Al5O12衬底，使得LED外延结构的光电效率提高、并且降低了器件的发热量；由于LED外延层结构是以荧光材料为衬底，由该外延结构制备的LED芯片可实现直接的白光发射，从而简化了白光LED光源的制备工序，降低了生产成本；通过先外延、然后图形化衬底、再进行侧向生长GaN基外延结构降低了外延结构的缺陷密度。

公开(公告)号：CN102584238B

公开(公告)日：2014-08-20

申请号：CN201210032481.5

申请日：2012-02-14

申请人： 中国科学院福建物质结构研究所

发明人： 曹永革 ,  费斌杰 ,  郭旺 ,  黄秋凤

IPC分类号： C04B35/505 ,  C04B35/495 ,  C04B35/622

摘要： 本发明涉及一种半透明钒酸钇陶瓷的制备方法，属于功能陶瓷和无机材料制备的技术领域。采用钒酸钇多晶粉体为原料，将多晶粉体、溶剂、分散剂、除泡剂按一定质量比混合，球磨12-24h；所得浆料中加入增塑剂、粘结剂，再次球磨8-16h；固定刀口高度300-1000μm，调节流延速度和温度，把真空除泡后浆料，置于流延机料斗中，流延成型；取出成型后的流延薄片，收集样品；600-900℃气氛下脱脂后，在氧环境保护下，1500-1650℃烧结，得到半透明钒酸钇陶瓷。采用本发明制备钒酸钇晶体具有所需温度低，设备简单，操作方便，成本低等优点。

公开(公告)号：CN102898137A

公开(公告)日：2013-01-30

申请号：CN201210388494.6

申请日：2012-10-12

申请人： 中国科学院福建物质结构研究所

发明人： 曹永革 ,  费斌杰 ,  郭旺 ,  黄秋凤 ,  陈剑 ,  王文超 ,  唐飞

IPC分类号： C04B35/505

摘要： 本发明涉及铥钬双掺杂钇铝石榴石透明陶瓷及其用途。该透明陶瓷组成为TmaHobY（3-a-b）Al5O12，其中0.03≤a≤0.3，0.0075≤b≤0.06。制备的透明陶瓷2mm以上厚度的直线透过率大于80%，与相应组成的晶体相当。该透明陶瓷用于产生2.1μm激光输出，该波段在人眼安全、遥感、光通信、医疗方面有着广阔应用。

公开(公告)号：CN104332539A

公开(公告)日：2015-02-04

申请号：CN201410299430.8

申请日：2014-06-27

申请人： 中国科学院福建物质结构研究所

发明人： 曹永革 ,  刘著光 ,  邓种华 ,  陈剑 ,  李军廷 ,  费斌杰 ,  郭旺 ,  唐飞 ,  黄秋凤 ,  袁轩一

IPC分类号： H01L33/08 ,  H01L33/00

CPC分类号： H01L33/06 ,  H01L33/0025 ,  H01L33/007 ,  H01L33/02 ,  H01L33/32 ,  H01L33/502 ,  H01L33/08 ,  H01L33/00 ,  H01L33/025

摘要： 本发明提出了一种GaN基LED外延结构及其制造方法。所述GaN基LED外延结构包括：衬底；在所述衬底上外延生长的GaN基LED外延结构，其中所述衬底是含光致发光荧光材料的衬底。通过使用稀土元素掺杂Re3Al5O12衬底，使得LED外延结构的光电效率提高、并且降低了器件的发热量；由于LED外延层结构是以荧光材料为衬底，由该外延结构制备的LED芯片可实现直接的白光发射，从而简化了白光LED光源的制备工序，降低了生产成本；通过先外延、然后图形化衬底、再进行侧向生长GaN基外延结构降低了外延结构的缺陷密度。

公开(公告)号：CN103102156A

公开(公告)日：2013-05-15

申请号：CN201110353652.X

申请日：2011-11-10

申请人： 中国科学院福建物质结构研究所

发明人： 曹永革 ,  郭旺 ,  黄秋凤 ,  唐飞 ,  费斌杰 ,  陈剑

IPC分类号： C04B35/505 ,  C04B35/622

CPC分类号： C04B35/44 ,  C04B35/6261 ,  C04B35/6264 ,  C04B35/632 ,  C04B35/634 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3222 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/6023 ,  C04B2235/606 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/6565 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/6581 ,  C04B2235/6585 ,  C04B2235/6586 ,  C04B2235/81 ,  C04B2235/9653

摘要： 本发明提供一种凝胶注模成型技术制备Re:YAG多晶透明陶瓷的方法，属特种光学陶瓷制造工艺技术领域。真空除泡后浇注到模具中在50～100℃引发单体聚合反应；生坯成型后，从室温到200℃分阶段干燥生坯，氧气气氛下排胶，排胶后生坯放入真空炉中烧结，烧结温度1500～1900℃，烧结时间为5～120小时，得到的透明多晶Nd:YAG陶瓷样品在1500℃氧气气氛下退火10小时，双面抛光至2mm厚，通过紫外可见近红外分光光度计测得在400nm波长处透过率为80.6％，在1064nm波长的透过率达到83.6％。