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公开(公告)号：CN106783528B
公开(公告)日：2019-10-25
申请号：CN201510830804.9
申请日：2015-11-25
申请人： 映瑞光电科技(上海)有限公司
IPC分类号： H01L21/02
摘要： 本发明提供一种蓝宝石衬底回收再使用的方法，包括以下步骤：提供待回收再使用的蓝宝石衬底；使用盐酸溶液去除所述蓝宝石衬底表面残留的Ga；使用王水去除所述蓝宝石衬底表面残留的金属；使用ITO刻蚀液去除所述蓝宝石衬底表面残留的ITO；使用磷酸去除所述蓝宝石衬底表面残留的GaN。通过本发明的蓝宝石衬底回收再使用的方法步骤简单，易于操作，成本较低，可以将剥离完的蓝宝石衬底处理后回收再使用，重新进行外延生长，大大降低了垂直结构GaN基LED芯片的生产成本。
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公开(公告)号：CN104900769B
公开(公告)日：2017-10-17
申请号：CN201510166452.1
申请日：2015-04-09
申请人： 映瑞光电科技(上海)有限公司
摘要： 本发明提供一种GaN基LED外延结构及其制作方法，所述外延结构包括依次层叠的成核层、未掺杂GaN层、高温N型GaN层、低温N型GaN层、多量子阱结构、AlGaN层、低温P型AlInGaN层、P型电子阻挡层及P型GaN层。采用所述低温N型GaN层取代传统LED外延结构中的超晶格结构，由于所述低温N型GaN层的生长温度较低，会使得所述低温N型GaN层内的C元素的含量较高，又所述低温N型GaN层不含In元素，这不仅可以有效地降低外延电压，还可以有效地改善LED器件的漏电和反向电压，进而提高LED芯片的品质。
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公开(公告)号：CN107026221A
公开(公告)日：2017-08-08
申请号：CN201610068671.0
申请日：2016-01-29
申请人： 映瑞光电科技(上海)有限公司
CPC分类号： H01L33/14 , H01L33/0075 , H01L33/145 , H01L33/40
摘要： 本发明提供一种具有高亮度的LED芯片及其制备方法，包括以下步骤：1）提供生长衬底，在生长衬底上依次生长n型GaN层、发光层多量子阱及p型GaN层；2）形成贯穿p型GaN层及发光层多量子阱的深槽，深槽的底部位于n型GaN层内；3）在p型GaN层表面形成电流阻挡层；4）在p型GaN层及电流阻挡层表面形成石墨烯，石墨烯包覆电流阻挡层，并覆盖电流阻挡层外围的部分p型GaN层；5）在电流阻挡层上方的石墨烯表面形成P电极，并在n型GaN层表面形成N电极。使用石墨烯来替代氧化铟锡作为LED芯片制程中的欧姆接触及电流扩展层，使得所述LED芯片具有更高的光透过率、更高的散热能力及更强的耐环境性，从而有效地提升LED芯片的亮度和可靠性能。
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公开(公告)号：CN104064653B
公开(公告)日：2016-08-31
申请号：CN201410318643.0
申请日：2014-07-04
申请人： 映瑞光电科技(上海)有限公司
发明人： 张宇
CPC分类号： H01L33/62 , H01L33/38 , H01L33/42 , H01L33/44 , H01L33/483 , H01L33/486 , H01L2224/48091 , H01L2224/49107 , H01L2933/0033 , H01L2933/005 , H01L2924/00014
摘要： 本发明提出了一种发光二极管、封装基板结构及封装方法，将发光二极管的P型电极和N型电极的连接端设置在同一端，同时在封装基板结构中设有插槽，插槽内设有连接金属，在进行封装时，将发光二极管设有连接端的一端插装至封装基板结构中的插槽中，避免了打线工艺，同时能够实现发光二极管全角度360°的发光，无需使用DBR结构，减少了工艺复杂度。
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公开(公告)号：CN105609596A
公开(公告)日：2016-05-25
申请号：CN201510575405.2
申请日：2015-09-11
申请人： 映瑞光电科技(上海)有限公司
CPC分类号： H01L33/0075 , H01L33/145
摘要： 本发明提供一种具有电流阻挡结构的LED垂直芯片及其制备方法，包括：提供生长衬底，在生长衬底上依次生长非掺杂GaN层、N型GaN层、多量子阱层及P型GaN层；在P型GaN层表面形成ITO透明导电层；在ITO透明导电层上蚀刻出第一开口及尺寸渐变的第二开口；在ITO透明导电层表面形成金属电极层；提供键合衬底，将键合衬底键合于金属电极层表面；依次去除生长衬底及非掺杂GaN层，并形成切割道；在N型GaN层表面形成N电极。本发明通过在ITO透明导电层上与N电极垂直投影位置蚀刻出第一开口，在第一开口外围蚀刻出自所述第一开口向外尺寸渐变的第二开口，形成良好的电流阻挡结构，缓解N电极下方电流的拥挤，提高电流的均匀分布，从而提高垂直结构LED的发光性能。
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公开(公告)号：CN105206714A
公开(公告)日：2015-12-30
申请号：CN201510551284.8
申请日：2015-09-01
申请人： 映瑞光电科技(上海)有限公司
CPC分类号： H01L33/0075 , H01L33/12
摘要： 本发明提供一种GaN基LED外延结构及其制备方法，包括：提供生长衬底，在生长衬底上生长成核层；于线性渐变的生长压力条件下或线性渐变与保压相结合的生长压力条件下在成核层上生长未掺杂的GaN层；在未掺杂的GaN层上生长N型GaN层；在N型GaN层上生长InGaN/GaN超晶格量子阱结构；在InGaN/GaN超晶格量子阱结构上生长InGaN/GaN多量子阱发光层结构；在InGaN/GaN多量子阱发光层结构上依次生长AlGaN层、低温P型层及P型电子阻挡层；在P型电子阻挡层上生长P型GaN层。通过调整生长压力条件可以改变生长过程中外延结构的翘曲度，调整翘曲度的幅度较大，便于找到合适的翘曲度使外延结构在生长多量子阱发光层结构时和载盘能很好的匹配，有效地改善单片外延结构的波长均匀性。
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公开(公告)号：CN104900769A
公开(公告)日：2015-09-09
申请号：CN201510166452.1
申请日：2015-04-09
申请人： 映瑞光电科技(上海)有限公司
CPC分类号： H01L33/02 , H01L33/007 , H01L33/06 , H01L33/32
摘要： 本发明提供一种GaN基LED外延结构及其制作方法，所述外延结构包括依次层叠的成核层、未掺杂GaN层、高温N型GaN层、低温N型GaN层、多量子阱结构、AlGaN层、低温P型AlInGaN层、P型电子阻挡层及P型GaN层。采用所述低温N型GaN层取代传统LED外延结构中的超晶格结构，由于所述低温N型GaN层的生长温度较低，会使得所述低温N型GaN层内的C元素的含量较高，又所述低温N型GaN层不含In元素，这不仅可以有效地降低外延电压，还可以有效地改善LED器件的漏电和反向电压，进而提高LED芯片的品质。
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公开(公告)号：CN104638082A
公开(公告)日：2015-05-20
申请号：CN201510058532.5
申请日：2015-02-04
申请人： 映瑞光电科技(上海)有限公司
CPC分类号： H01L33/0075 , H01L33/06 , H01L33/325
摘要： 本发明提供一种低电压GaN基LED外延结构的制作方法，包括：提供生长衬底，在生长衬底上由下至上依次生长成核层、未掺杂GaN层及N型GaN层；在N型GaN层上生长超晶格结构；在超晶格结构上生长多量子阱结构；其中，生长多量子阱结构的生长Ga源为含有Si掺杂的TEGa源；在多量子阱结构上依次生长AlGaN层、低温P型AlInGaN层及P型电子阻挡层；在P型电子阻挡层上生长P型GaN层。将生长多量子阱结构的生长Ga源选为含有Si掺杂的TEGa源，使得多量子阱结构中含有Si杂质，Si杂质的掺入有利于提高所述外延层的导电性能，进而降低了GaN基LED的正向电压；低电压GaN基LED外延结构的制作方法对生长设备和工艺条件无特殊要求，实现步骤简单，在机台间可复制性强。
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公开(公告)号：CN104269486A
公开(公告)日：2015-01-07
申请号：CN201410468375.0
申请日：2014-09-15
申请人： 映瑞光电科技(上海)有限公司
CPC分类号： H01L33/46 , H01L33/36 , H01L33/38 , H01L2933/0016 , H01L2933/0025
摘要： 本发明提出了一种倒装LED芯片及其制备方法，提出的倒装LED芯片的制备方法具有免打线、散热性能好、电压低、亮度高、易封装等优势；相比较于其他倒装芯片，无需制备反射层、阻挡层、N链接层，使用设有图案的隔离层兼做反射层的作用，不需要制作面积大、厚度厚的PN焊接盘，制备方法简单，成本低。
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公开(公告)号：CN104716241B
公开(公告)日：2018-10-16
申请号：CN201510114615.1
申请日：2015-03-16
申请人： 映瑞光电科技(上海)有限公司
摘要： 本发明提供一种LED结构及其制作方法，所述LED结构自下而上依次包括蓝宝石衬底、缓冲层、非掺杂GaN层、N型GaN层、多量子阱层及P型GaN层，其中：所述蓝宝石衬底与所述缓冲层之间还形成有一AlN层，所述AlN层不连续。本发明的LED结构的制作方法在蓝宝石衬底上生长缓冲层之前，先用NH3在高温下处理蓝宝石衬底，使其表面生长一AlN薄层，之后再用H2高温处理，使所述AlN薄层部分残留，在蓝宝石衬底上形成含有AlN的低密度表层，从而实现更好的晶格过渡效果，进一步降低晶格失配对GaN外延层的影响，提高GaN生长晶体的质量，且该制作方法简单可靠。本发明得到的LED结构用于制作LED芯片，可以提高芯片亮度及电性品质。
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