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公开(公告)号：CN107026221A
公开(公告)日：2017-08-08
申请号：CN201610068671.0
申请日：2016-01-29
申请人： 映瑞光电科技(上海)有限公司
CPC分类号： H01L33/14 , H01L33/0075 , H01L33/145 , H01L33/40
摘要： 本发明提供一种具有高亮度的LED芯片及其制备方法，包括以下步骤：1）提供生长衬底，在生长衬底上依次生长n型GaN层、发光层多量子阱及p型GaN层；2）形成贯穿p型GaN层及发光层多量子阱的深槽，深槽的底部位于n型GaN层内；3）在p型GaN层表面形成电流阻挡层；4）在p型GaN层及电流阻挡层表面形成石墨烯，石墨烯包覆电流阻挡层，并覆盖电流阻挡层外围的部分p型GaN层；5）在电流阻挡层上方的石墨烯表面形成P电极，并在n型GaN层表面形成N电极。使用石墨烯来替代氧化铟锡作为LED芯片制程中的欧姆接触及电流扩展层，使得所述LED芯片具有更高的光透过率、更高的散热能力及更强的耐环境性，从而有效地提升LED芯片的亮度和可靠性能。
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公开(公告)号：CN106848005B
公开(公告)日：2020-02-18
申请号：CN201510881186.0
申请日：2015-12-03
申请人： 映瑞光电科技(上海)有限公司
摘要： 本发明提供一种提升亮度的倒装LED芯片及其制备方法，包括以下步骤：1）提供生长衬底，在生长衬底上依次生长n型GaN层、发光层多量子阱及p型GaN层；2）形成贯穿p型GaN层及发光层多量子阱的第一深槽；3）在p型GaN层表面形成石墨烯；4）在石墨烯表面形成反射层；5）在反射层表面、内侧及第一深槽底部形成反射层保护层；6）采用原子层沉积法在步骤5）得到的结构表面形成氧化铝层；7）在氧化铝层内形成第一开口及第二开口；8）在第二开口内形成N电极，在第一开口内及氧化铝层表面形成P电极。采用原子层沉积制备的氧化铝层具有更好的绝缘性能和金属阻挡性能，从而保证倒装芯片在大电流使用下的可靠性能。
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公开(公告)号：CN106848027A
公开(公告)日：2017-06-13
申请号：CN201510881813.0
申请日：2015-12-03
申请人： 映瑞光电科技(上海)有限公司
摘要： 本发明提供一种高可靠性垂直倒装LED芯片的制备方法，所述高可靠性垂直倒装LED芯片的制备方法通过在形成第一深孔、第二深孔及走道之后，在第二深孔及走道的底部及侧壁形成膜层质量非常好的第一绝缘层，用于包覆刻蚀暴露出的发光层多量子阱，规避了在后续n型GaN层刻蚀时引起的残留图形化蓝宝石衬底印记和金属反溅的异常，有效地提升了倒装LED芯片在使用过程中的可靠性。
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公开(公告)号：CN106848027B
公开(公告)日：2019-08-23
申请号：CN201510881813.0
申请日：2015-12-03
申请人： 映瑞光电科技(上海)有限公司
摘要： 本发明提供一种高可靠性垂直倒装LED芯片的制备方法，所述高可靠性垂直倒装LED芯片的制备方法通过在形成第一深孔、第二深孔及走道之后，在第二深孔及走道的底部及侧壁形成膜层质量非常好的第一绝缘层，用于包覆刻蚀暴露出的发光层多量子阱，规避了在后续n型GaN层刻蚀时引起的残留图形化蓝宝石衬底印记和金属反溅的异常，有效地提升了倒装LED芯片在使用过程中的可靠性。
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公开(公告)号：CN106848006A
公开(公告)日：2017-06-13
申请号：CN201510881846.5
申请日：2015-12-03
申请人： 映瑞光电科技(上海)有限公司
CPC分类号： H01L33/0062 , H01L33/10 , H01L33/145
摘要： 本发明提供一种倒装LED芯片及其制备方法，包括以下步骤：1）提供生长衬底，在生长衬底上依次生长n型GaN层、发光层多量子阱及p型GaN层；2）形成贯穿p型GaN层及发光层多量子阱的第一深槽；3）在p型GaN层表面形成欧姆接触及电流扩展层；4）在欧姆接触及电流扩展层表面形成反射层；5）在反射层表面、内侧及第一深槽底部形成反射层保护层；6）采用原子层沉积法在步骤5）得到的结构表面形成氧化铝层；7）在氧化铝层内形成第一开口及第二开口；8）在第二开口内形成N电极，在第一开口内及氧化铝层表面形成P电极。采用原子层沉积制备的氧化铝层具有更好的绝缘性能和金属阻挡性能，从而保证倒装芯片在大电流使用下的可靠性能。
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公开(公告)号：CN106848005A
公开(公告)日：2017-06-13
申请号：CN201510881186.0
申请日：2015-12-03
申请人： 映瑞光电科技(上海)有限公司
摘要： 本发明提供一种提升亮度的倒装LED芯片及其制备方法，包括以下步骤：1）提供生长衬底，在生长衬底上依次生长n型GaN层、发光层多量子阱及p型GaN层；2）形成贯穿p型GaN层及发光层多量子阱的第一深槽；3）在p型GaN层表面形成石墨烯；4）在石墨烯表面形成反射层；5）在反射层表面、内侧及第一深槽底部形成反射层保护层；6）采用原子层沉积法在步骤5）得到的结构表面形成氧化铝层；7）在氧化铝层内形成第一开口及第二开口；8）在第二开口内形成N电极，在第一开口内及氧化铝层表面形成P电极。采用原子层沉积制备的氧化铝层具有更好的绝缘性能和金属阻挡性能，从而保证倒装芯片在大电流使用下的可靠性能。
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