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公开(公告)号：CN102800781A
公开(公告)日：2012-11-28
申请号：CN201210162730.2
申请日：2012-05-23
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L33/46 , H01L33/20 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/49107 , H01L2224/73265 , H01L2224/83385 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供了一种半导体发光装置及其制造方法和一种发光设备。该半导体发光装置包括：透光基底；发光部分；第一电极和第二电极，分别电连接到第一导电类型半导体层和第二导电类型半导体层；后反射部分，包括反射金属层以及置于透光基底和反射金属层之间的透光介电层。
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公开(公告)号：CN102800781B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201210162730.2
申请日：2012-05-23
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L33/46 , H01L33/20 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/49107 , H01L2224/73265 , H01L2224/83385 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供了一种半导体发光装置及其制造方法和一种发光设备。该半导体发光装置包括：透光基底；发光部分；第一电极和第二电极，分别电连接到第一导电类型半导体层和第二导电类型半导体层；后反射部分，包括反射金属层以及置于透光基底和反射金属层之间的透光介电层。
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公开(公告)号：CN103687900A
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201180072254.9
申请日：2011-08-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C08J5/18 , C08J7/00 , C09K11/00 , G02F1/1335
CPC classification number: C09K11/025 , B05D5/06 , C08J7/06 , C09K11/08
Abstract: 本发明提供了一种荧光体树脂膜的制造方法以及由此制造的荧光体树脂膜。更具体而言，本发明涉及制造荧光体树脂膜的方法，该方法包括如下步骤：将聚合物树脂和潜伏性固化剂混合于溶剂中以制备聚合物浆料；将所述聚合物浆料铺展开以使其呈膜状；将所施加的聚合物浆料干燥以形成半固化树脂膜；以及将荧光体粉末置于所述半固化树脂膜上。本发明还涉及一种包含聚合物树脂和潜伏性固化剂的荧光体树脂膜，本发明还涉及这样的荧光体树脂膜，其中该半固化树脂膜的一个表面被荧光体粉末均匀覆盖。
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公开(公告)号：CN103180975A
公开(公告)日：2013-06-26
申请号：CN201180051281.8
申请日：2011-09-01
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L33/46 , H01L24/32 , H01L2224/48091 , H01L2224/49107 , H01L2224/73265 , H01L2924/01322 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2924/15788 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的一个方面提供了一种半导体发光二极管芯片和一种半导体发光器件。所述半导体发光二极管芯片包括：透光衬底；以及在所述透光衬底的上表面上顺序地形成的第一导电类型半导体层、有源层和第二导电类型半导体层。所述半导体发光器件包括：后反射型叠层，其形成在透光衬底的下表面上并且具有辅助光学层和金属反射层，所述辅助光学层由具有预定折射率的材料制成，所述金属反射层形成在所述辅助光学层的下表面上；接合金属层，其设置在所述后反射型叠层的下表面上并且由共晶金属制成；以及接合叠层，其具有被形成为防止所述接合金属层与所述金属反射层之间的元素扩散的扩散屏障。
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