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公开(公告)号：CN112768485A
公开(公告)日：2021-05-07
申请号：CN202110191729.1
申请日：2017-02-27
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明公开了一种发光二极管装置和发光设备。所述发光二极管装置构造为提供多颜色显示，该发光二极管装置包括至少部分地被划分层限定的多个发光单元。该发光二极管装置可构造为减小发光单元之间的光学干扰。该发光二极管装置包括：彼此间隔开的多个发光结构；位于发光结构各自的第一表面上的多个电极层；构造为将发光结构彼此电绝缘的分隔层；位于发光结构各自的第二表面上并且与不同颜色相关联的荧光体层；以及位于荧光体层之间以将荧光体层彼此分离的划分层。每个发光单元可包括单独的发光结构、单独一组一个或多个电极以及单独的荧光体层。
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公开(公告)号：CN106410004A
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201610630167.5
申请日：2016-08-03
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明提供了一种半导体发光器件和制造半导体发光器件的方法。所述方法包括步骤：在衬底上形成下部半导体层的第一区；使用在形成所述第一区时使用的至少一种气体，在已执行形成所述第一区的处理的腔室中原位地对所述第一区的上表面进行刻蚀；在所述第一区上形成下部半导体层的第二区；在下部半导体层上形成有源层；以及在有源层上形成上部半导体层。
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公开(公告)号：CN107134469B
公开(公告)日：2021-07-06
申请号：CN201710126385.X
申请日：2017-02-27
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明公开了一种发光二极管装置和发光设备。所述发光二极管装置构造为提供多颜色显示，该发光二极管装置包括至少部分地被划分层限定的多个发光单元。该发光二极管装置可构造为减小发光单元之间的光学干扰。该发光二极管装置包括：彼此间隔开的多个发光结构；位于发光结构各自的第一表面上的多个电极层；构造为将发光结构彼此电绝缘的分隔层；位于发光结构各自的第二表面上并且与不同颜色相关联的荧光体层；以及位于荧光体层之间以将荧光体层彼此分离的划分层。每个发光单元可包括单独的发光结构、单独一组一个或多个电极以及单独的荧光体层。
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公开(公告)号：CN107086226A
公开(公告)日：2017-08-22
申请号：CN201710066413.3
申请日：2017-02-07
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 发光二极管模块、显示面板或其它设备的像素可以包括不同颜色的子像素，子像素之一包括诸如磷光体的波长转换材料，以便将从子像素的关联发光二极管发射的光转换为除了从子像素发射的光的主色之外的颜色。波长转换材料可以具有为调谐像素的颜色坐标而选择的量。可以响应于对其上要形成波长转换材料的子像素或类似制造的子像素的发光二极管所发射的光的光谱强度接近性测量，来确定波长转换材料的量。还公开了其制造方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105765741A
公开(公告)日：2016-07-13
申请号：CN201480065440.3
申请日：2014-10-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L33/20
CPC classification number: H01L33/08 , H01L33/0079 , H01L33/24
Abstract: 本发明的一个实施例提供了一种纳米结构半导体发光器件，其包括：基础层，其由第一导电类型的半导体构成；绝缘层，其形成在基础层上并且具有暴露出基础层的部分区域的多个开口；纳米核，其形成在基础层的暴露的区域中的每一个上，由第一导电类型的半导体构成，并且具有晶面与其侧表面的晶面不同的上端部分；在纳米核的表面上接连形成的有源层和第二导电类型的半导体层；以及电流阻挡中间层，其形成在纳米核的上端部分上，以位于有源层与纳米核之间。
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公开(公告)号：CN103247730A
公开(公告)日：2013-08-14
申请号：CN201310034044.1
申请日：2013-01-29
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L33/04 , B82Y10/00 , B82Y20/00 , B82Y99/00 , H01L33/14 , H01L33/20 , H01L33/32 , H01L33/40 , H01L33/42 , H01L2933/0016 , Y10S977/734
Abstract: 本发明公开了一种紫外发光二极管及其制造方法，所述紫外发光二极管包括：n型半导体层；布置在所述n型半导体层上的有源层；布置在所述有源层上并且由p型AlGaN形成的p型半导体层；以及布置在所述p型半导体层上并且由掺杂了p型掺杂剂的石墨烯形成的p型石墨烯层。所述紫外发光二极管通过降低与p型半导体层的接触电阻并使得紫外线透射率最大化而具有提高的发光效率。
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公开(公告)号：CN107123723B
公开(公告)日：2020-08-18
申请号：CN201710102671.2
申请日：2017-02-24
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种发光器件封装件包括：设置为在水平方向上彼此间隔开的多个发光结构；位于所述多个发光结构上的中间层；以及位于中间层上的波长转换层，所述波长转换层与所述多个发光结构中的各自单独的发光结构垂直地重叠。中间层可包括多个层，所述多个层分别与不同的折射率相关联。中间层可包括多组孔，每组孔可包括分离的多个孔，并且每个波长转换层可与中间层上的单独一组孔垂直地重叠。
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公开(公告)号：CN106410004B
公开(公告)日：2019-12-03
申请号：CN201610630167.5
申请日：2016-08-03
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明提供了一种半导体发光器件和制造半导体发光器件的方法。所述方法包括步骤：在衬底上形成下部半导体层的第一区；使用在形成所述第一区时使用的至少一种气体，在已执行形成所述第一区的处理的腔室中原位地对所述第一区的上表面进行刻蚀；在所述第一区上形成下部半导体层的第二区；在下部半导体层上形成有源层；以及在有源层上形成上部半导体层。
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公开(公告)号：CN107123723A
公开(公告)日：2017-09-01
申请号：CN201710102671.2
申请日：2017-02-24
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种发光器件封装件包括：设置为在水平方向上彼此间隔开的多个发光结构；位于所述多个发光结构上的中间层；以及位于中间层上的波长转换层，所述波长转换层与所述多个发光结构中的各自单独的发光结构垂直地重叠。中间层可包括多个层，所述多个层分别与不同的折射率相关联。中间层可包括多组孔，每组孔可包括分离的多个孔，并且每个波长转换层可与中间层上的单独一组孔垂直地重叠。
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