公开(公告)号：CN110896122B

公开(公告)日：2024-09-13

申请号：CN201910863951.4

申请日：2019-09-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 黄京旭 ,  安浩荣 ,  崔濬熙 ,  孔基毫 ,  韩周宪

IPC: H01L33/46 ,  H01L33/50 ,  H01L33/40 ,  H01L33/44 ,  H01L33/58 ,  H01L33/60 ,  H01L27/15

Abstract: 一种显示装置包括：基板；发光层；共用发光层的多个颜色转换层；以及绝缘层，提供在发光层和所述多个颜色转换层之间并具有比发光层小的折射率。

公开(公告)号：CN117410303A

公开(公告)日：2024-01-16

申请号：CN202310864826.1

申请日：2023-07-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 延智慧 ,  成汉圭 ,  赵秀玄 ,  姜三默 ,  金美贤 ,  黄京旭 ,  黄俊式

IPC: H01L27/15 ,  H01L33/62 ,  H01L33/38 ,  H01L33/50

Abstract: 一种显示设备，包括：电路衬底，其包括驱动器电路和第一接合电极；以及像素阵列，其在电路衬底上并且包括各自包括第一子像素至第三子像素的多个像素和接合至第一接合电极的第二接合电极，像素阵列还包括：多个第一LED单元，其分别对应于第一子像素和第三子像素，并且各自包括第一导电类型半导体层、第一有源层和第二导电类型半导体层；多个第二LED单元，其分别对应于第二子像素，并且各自包括第一导电类型半导体层、第二有源层和第二导电类型半导体层；第一电极，其延伸以覆盖多个第一LED单元和多个第二LED单元的上表面并且共同连接至第一导电类型半导体层。

公开(公告)号：CN115207188A

公开(公告)日：2022-10-18

申请号：CN202210350284.1

申请日：2022-04-02

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 黄京旭 ,  朴俊勇 ,  金东湖 ,  金铉埈 ,  洪硕佑 ,  黄俊式

IPC: H01L33/50 ,  H01L27/15 ,  H01L27/32

Abstract: 公开了颜色转换结构、显示装置以及制造该显示装置的方法。颜色转换结构具有可转移膜结构，其包括基底层和提供在基底层上的量子点层。

公开(公告)号：CN114864617A

公开(公告)日：2022-08-05

申请号：CN202210110536.3

申请日：2022-01-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 黄京旭 ,  洪硕佑 ,  黄俊式 ,  金东湖 ,  金铉埈 ,  朴俊勇

IPC: H01L27/15 ,  H01L33/38 ,  H01L33/44

Abstract: 提供了一种发光器件和包括其的显示装置，该发光器件包括：多个发光单元，所述多个发光单元中的每个被配置为独立地发光；公共半导体层，提供在所述多个发光单元上；第一电极，提供在公共半导体层上；以及多个第二电极，与第一电极间隔开提供并分别提供在所述多个发光单元上。

公开(公告)号：CN114156384A

公开(公告)日：2022-03-08

申请号：CN202110263457.1

申请日：2021-03-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 黄京旭 ,  黄俊式 ,  洪硕佑

IPC: H01L33/14 ,  H01L27/15

Abstract: 提供了一种微发光器件和具有该微发光器件的显示装置。微发光器件包括设置在衬底上的第一类型半导体层、设置在第一类型半导体层上的超晶格层、设置在超晶格层的侧部上的电流阻挡层、设置在超晶格层和电流阻挡层上的有源层以及设置在有源层上的第二类型半导体层。

公开(公告)号：CN110896122A

公开(公告)日：2020-03-20

申请号：CN201910863951.4

申请日：2019-09-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 黄京旭 ,  安浩荣 ,  崔濬熙 ,  孔基毫 ,  韩周宪

IPC: H01L33/46 ,  H01L33/50 ,  H01L33/40 ,  H01L33/44 ,  H01L33/58 ,  H01L33/60 ,  H01L27/15

Abstract: 一种显示装置包括：基板；发光层；共用发光层的多个颜色转换层；以及绝缘层，提供在发光层和所述多个颜色转换层之间并具有比发光层小的折射率。

公开(公告)号：CN109256447B

公开(公告)日：2023-11-24

申请号：CN201810762765.7

申请日：2018-07-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 黄京旭 ,  申东明

IPC: H01L33/40 ,  H01L33/44

Abstract: 提供了一种发光器件和一种发光器件封装件。所述发光器件包括：衬底；形成在衬底上的发光结构；在发光结构上的第一透射导电层；形成在所述第一透射导电层上的第一电介质图案层，所述第一电介质图案层包括多个开口；第二透射导电层，其共形地形成在通过所述多个开口暴露的第一透射导电层上和所述第一电介质图案层上；填充所述多个开口的第二电介质图案层；以及形成在所述第二透射导电层和所述第二电介质图案层上的反射电极层。

公开(公告)号：CN116344711A

公开(公告)日：2023-06-27

申请号：CN202211627492.8

申请日：2022-12-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 黄京旭 ,  金铉埈 ,  朴俊勇 ,  洪硕佑 ,  黄俊式

IPC: H01L33/50 ,  H01L33/48 ,  H01L33/60 ,  H01L25/16

Abstract: 提供了颜色转换结构、显示装置以及制造它们的方法。颜色转换结构包括：堤结构，包括凹槽；颜色转换层，容纳在凹槽中；以及覆盖层，提供在颜色转换层上。

公开(公告)号：CN109119408B

公开(公告)日：2022-10-04

申请号：CN201810935119.6

申请日：2016-08-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： H·柳 ,  金容一 ,  车南煹 ,  林完泰 ,  黄京旭 ,  沈成铉 ,  卢慧锡

IPC: H01L25/075 ,  H01L33/44 ,  H01L33/50

Abstract: 本发明提供了一种发光二极管，其包括发光结构、发光结构上的光学波长转换层和光学波长转换层上的光学滤波器层。发光结构包括第一导电类型的半导体层、第一导电类型的半导体层上的有源层和有源层上的第二导电类型的半导体层，并且发射具有第一峰值波长的第一光。光学波长转换层吸收从发光结构发射的第一光，并且发射具有与第一峰值波长不同的第二峰值波长的第二光。光学滤波器层反射从发光结构发射的第一光，并且透射从光学波长转换层发射的第二光。

公开(公告)号：CN115036339A

公开(公告)日：2022-09-09

申请号：CN202210197693.2

申请日：2022-03-02

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 洪硕佑 ,  黄京旭 ,  金铉埈 ,  黄俊式

IPC: H01L27/15 ,  H01L33/00 ,  H01L33/46 ,  H01L33/54

Abstract: 提供一种显示装置，该显示装置包括驱动基板、设置在驱动基板的上表面上并包括多个凹陷的阻隔层、设置在所述多个凹陷中的每个中的微型半导体发光器件、以及设置在阻隔层中并邻近所述多个凹陷中的每个的侧壁提供的侧反射结构。