-
公开(公告)号:CN118693020A
公开(公告)日:2024-09-24
申请号:CN202410065661.6
申请日:2024-01-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/473 , H01L23/367
Abstract: 一种半导体器件包括:半导体芯片;冷却通道,被配置成允许冷却剂以液相流动并且吸收在操作期间由半导体芯片生成的热;以及芯吸结构,被配置成产生用于使液相冷却剂沿着冷却通道的壁表面移动的毛细管力。芯吸结构包括悬式芯吸结构,该悬式芯吸结构设置为与壁表面分开毛细管距离。
-
公开(公告)号:CN110825276B
公开(公告)日:2024-09-17
申请号:CN201910738767.7
申请日:2019-08-09
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种触摸指纹复合传感器,用于使用包括触摸区域和指纹识别区域的触摸板来检测用户的触摸和指纹。该触摸指纹复合传感器包括:多个第一电极,设置在基板上并且沿第一方向平行地布置;多个第二电极,设置在基板上并且沿第二方向平行地布置,第二方向与第一方向交叉;以及绝缘层,设置在多个第一电极和多个第二电极之间。多个第一电极与多个第二电极在排除了指纹识别区域的触摸区域中的交叉点处多个第一电极与多个第二电极之间的截面距离大于所述多个第一电极和所述多个第二电极在指纹识别区域中的交叉点处多个第一电极与多个第二电极之间的截面距离。
-
-
公开(公告)号:CN116344429A
公开(公告)日:2023-06-27
申请号:CN202211522373.6
申请日:2022-11-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/683 , H01L21/68 , H01L33/48
Abstract: 一种微型半导体芯片转移装置,包括:湿芯片供应模块,被配置为将多个微型半导体芯片和液体供应到转移基板上;芯片对准模块,包括吸收器,该吸收器被配置为在吸收液体的同时沿着转移基板的表面移动;以及芯片提取模块,被配置为从吸收器提取保留在吸收器中的微型半导体芯片。
-
公开(公告)号:CN116137245A
公开(公告)日:2023-05-19
申请号:CN202211432888.7
申请日:2022-11-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/677 , B01D29/00 , H01L33/00
Abstract: 本公开提供了芯片传送装置和芯片过滤装置。该芯片传送装置包括:芯片存储模块,在其中存储包括多个微型半导体芯片和杂质的悬浮液;芯片过滤模块,从悬浮液分离包括多个微型半导体芯片的第一悬浮液和包括杂质的第二悬浮液;以及芯片供应模块,配置为将第一悬浮液供应到传送基板上,使得第一悬浮液从芯片过滤模块引入,并且多个微型半导体芯片在传送基板上是可流动的。
-
-
公开(公告)号:CN104415902B
公开(公告)日:2019-05-31
申请号:CN201410379432.8
申请日:2014-08-04
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: B81C1/00888 , B06B1/0292 , B81B2201/0271 , H04R19/005
Abstract: 本发明提供了一种电容式微机械加工的超声换能器(CMUT)及其分割方法。分割CMUT可以包括:在器件晶片的限定多个超声换能器结构的区域中形成第一沟槽,器件晶片包括多个超声换能器结构;通过接合供应电到多个超声换能器的电极垫晶片和器件晶片来形成具有多个超声换能器的超声换能器晶片;以及通过切割在第一沟槽上的多个超声换能器结构和在第一沟槽下面的电极垫晶片,将超声换能器晶片切割成块以形成多个超声换能器。
-
公开(公告)号:CN108073892A
公开(公告)日:2018-05-25
申请号:CN201711111063.4
申请日:2017-11-10
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G06K9/00053 , G06F3/044 , G06K9/0002 , H05K9/002
Abstract: 提出了一种指纹传感器及其制造方法。所述指纹传感器包括:有源区域,包括驱动电极和与所述驱动电极相交的感测电极;示踪区域,分别连接至所述驱动电极和所述感测电极;以及屏蔽层,分别设置在所述示踪区域上。
-
公开(公告)号:CN117199207A
公开(公告)日:2023-12-08
申请号:CN202310252105.5
申请日:2023-03-14
Abstract: 提供一种微型芯片,包括具有第一表面和面对第一表面的第二表面的芯片主体、以及在第二表面上的电极层,其中第一表面的表面粗糙度小于电极层的上表面的表面粗糙度,使得第一表面和外部接触表面之间的范德华力大于电极层和外部接触表面之间的范德华力。
-
公开(公告)号:CN116110815A
公开(公告)日:2023-05-12
申请号:CN202210898505.9
申请日:2022-07-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/67 , H01L25/075 , H01L33/38 , H01L33/50
Abstract: 本发明提供一种器件转移基板以及包括该器件转移基板的器件转移结构和显示装置。该器件转移基板包括多个凹槽,其中所述多个凹槽中的每个包括具有第一图形的形状的第一区域和具有第二图形的形状的第二区域,其中第一区域的一部分与第二区域的一部分部分地重叠以形成重叠区域,其中重叠区域在与穿过第一图形的中心和第二图形的中心的直线交叉的方向上的最大宽度小于第一图形的直径或对角线长度并且小于第二图形的直径或对角线长度。
-
-
-
-
-
-
-
-
-