半导体装置
    1.
    发明公开
    半导体装置 审中-公开

    公开(公告)号:CN119993936A

    公开(公告)日:2025-05-13

    申请号:CN202411441525.9

    申请日:2024-10-16

    Abstract: 一种半导体装置包括具有半导体集成电路的半导体芯片。冷却通道的至少一部分形成在半导体芯片中。第一毛细芯结构可以布置在冷却通道的底部上,该底部在横向方向上平行于半导体芯片的上表面。第一毛细芯结构可以通过毛细作用使液体冷却剂沿着冷却通道的底部在横向方向上移动。第二毛细芯结构可以沿着蒸汽室的内表面布置并可以通过毛细作用使液体冷却剂沿着蒸汽室的内表面移动。

    具有两相冷却结构的半导体器件
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN118693020A

    公开(公告)日:2024-09-24

    申请号:CN202410065661.6

    申请日:2024-01-16

    Abstract: 一种半导体器件包括:半导体芯片;冷却通道,被配置成允许冷却剂以液相流动并且吸收在操作期间由半导体芯片生成的热;以及芯吸结构,被配置成产生用于使液相冷却剂沿着冷却通道的壁表面移动的毛细管力。芯吸结构包括悬式芯吸结构,该悬式芯吸结构设置为与壁表面分开毛细管距离。

    用于使用声信号测量距离的系统及方法

    公开(公告)号:CN114252882A

    公开(公告)日:2022-03-29

    申请号:CN202110242569.9

    申请日:2021-03-04

    Abstract: 提供了一种距离测量系统,包括:至少一个声源,被配置为生成声信号;声传感器,包括被布置为具有彼此不同的方向性的多个定向声传感器;以及至少一个处理器,被配置为:基于所述多个定向声传感器的输出信号之和或所述多个定向声传感器的输出信号之间的差中的至少一项,获得所述声信号在特定方向上的方向性,所述和或所述差中的至少一项基于对所述输出信号中的至少一项应用权重;以及基于在所述声信号被生成然后由反射表面反射之后沿所述特定方向到达所述声传感器的时间,确定所述声传感器与所述反射表面之间的距离。

    具有两相冷却结构的半导体装置
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN118213339A

    公开(公告)日:2024-06-18

    申请号:CN202311314989.9

    申请日:2023-10-11

    Abstract: 一种半导体装置,包括:半导体芯片,包括半导体集成电路;以及冷却通道,冷却通道包括:在半导体芯片内部的至少第一部分;壁表面,包括配置为产生导致液态冷却剂在冷却通道中流动的毛细力的精细图案;液体通道区域,在冷却通道的其中形成精细图案的第一区域中并被配置为使液态冷却剂通过;以及气体通道区域,在冷却通道的其中没有形成精细图案的第二区域中并被配置为使气态冷却剂通过。

    声传感器组件和使用声传感器组件感测声音的方法

    公开(公告)号:CN114720939A

    公开(公告)日:2022-07-08

    申请号:CN202110798119.8

    申请日:2021-07-14

    Abstract: 一种声传感器组件,包括:非定向声传感器,具有第一方向图;多个定向声传感器,围绕所述非定向声传感器并且包括具有彼此不同的谐振频率的多个谐振器,所述多个定向声传感器中的每一个具有第二方向图;以及处理器,被配置为从所述非定向声传感器和所述多个定向声传感器获得输出信号。所述处理器还被配置为:通过选择所获得的输出信号的任意一个或任意组合或选择性地组合所获得的输出信号来计算具有方向性的声信号;以及使用计算出的声信号来获得所述声传感器组件周围的声音。

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