公开(公告)号：CN119698141A

公开(公告)日：2025-03-25

申请号：CN202410681083.9

申请日：2024-05-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 韩周宪 ,  崔浚熙 ,  金洛铉 ,  金柱成 ,  金泰坤

IPC: H10H20/813 ,  H10H20/812 ,  H01L25/16

Abstract: 本发明公开了一种发光器件和包括其的显示装置，该发光器件包括：半导体发光结构，该半导体发光结构包括包含多个孔的第一半导体层、提供在第一半导体层上的发光层和提供在发光层上的第二半导体层；提供在所述多个孔中的多个量子点；以及至少部分地围绕半导体发光结构的侧壁的外部钝化层，其中所述多个量子点提供在所述多个孔和外部钝化层之间。

公开(公告)号：CN115513348A

公开(公告)日：2022-12-23

申请号：CN202210115723.0

申请日：2022-02-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔濬熙 ,  金洛铉 ,  金柱成 ,  李银圣 ,  韩周宪 ,  孔基毫 ,  朴正勋

IPC: H01L33/24 ,  H01L33/44 ,  H01L33/00 ,  H01L27/15 ,  B82Y40/00 ,  B82Y20/00 ,  B82Y10/00

Abstract: 提供了一种基板结构，其包括：基板；设置在基板上的缓冲层；设置在缓冲层上的多孔半导体层，该多孔半导体层具有多个空隙；设置在多孔半导体层上的多个半导体发光结构，所述多个半导体发光结构具有垂直延伸的纳米棒形状；以及设置在所述多个半导体发光结构中的每个的侧壁上的钝化膜，该钝化膜具有绝缘性质。

公开(公告)号：CN110896122B

公开(公告)日：2024-09-13

申请号：CN201910863951.4

申请日：2019-09-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 黄京旭 ,  安浩荣 ,  崔濬熙 ,  孔基毫 ,  韩周宪

IPC: H01L33/46 ,  H01L33/50 ,  H01L33/40 ,  H01L33/44 ,  H01L33/58 ,  H01L33/60 ,  H01L27/15

Abstract: 一种显示装置包括：基板；发光层；共用发光层的多个颜色转换层；以及绝缘层，提供在发光层和所述多个颜色转换层之间并具有比发光层小的折射率。

公开(公告)号：CN115528152A

公开(公告)日：2022-12-27

申请号：CN202210738705.8

申请日：2022-06-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金柱成 ,  朴永焕 ,  申东澈 ,  崔濬熙 ,  金洛铉 ,  朴正勋 ,  李银圣 ,  韩周宪

IPC: H01L33/12 ,  H01L33/32 ,  H01L33/00 ,  H01L27/15

Abstract: 本发明提供一种氮化镓发光器件、包括该氮化镓发光器件的显示装置以及该氮化镓发光器件的制造方法。该氮化镓发光器件可以是条型发光器件并且包括n‑GaN半导体层、与n‑GaN半导体层间隔开的p‑GaN半导体层、布置在n‑GaN半导体层和p‑GaN半导体层之间的有源层、以及包括铟簇和空隙的应变松弛层。

公开(公告)号：CN110896122A

公开(公告)日：2020-03-20

申请号：CN201910863951.4

申请日：2019-09-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 黄京旭 ,  安浩荣 ,  崔濬熙 ,  孔基毫 ,  韩周宪

IPC: H01L33/46 ,  H01L33/50 ,  H01L33/40 ,  H01L33/44 ,  H01L33/58 ,  H01L33/60 ,  H01L27/15

Abstract: 一种显示装置包括：基板；发光层；共用发光层的多个颜色转换层；以及绝缘层，提供在发光层和所述多个颜色转换层之间并具有比发光层小的折射率。

公开(公告)号：CN103765087A

公开(公告)日：2014-04-30

申请号：CN201180073211.2

申请日：2011-07-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 韩周宪 ,  朴济明 ,  朴炫道 ,  池龙根 ,  李道铉 ,  李起彦 ,  金珍泰 ,  李喆浩 ,  有吉哲夫 ,  朴忠乾

IPC: F21V5/04 ,  F21V3/04 ,  F21Y101/02

CPC classification number: F21V13/04 ,  F21K9/00 ,  F21K9/60 ,  F21V3/04 ,  F21V5/04 ,  F21V7/0091 ,  F21V29/70 ,  F21Y2103/10 ,  F21Y2113/00 ,  F21Y2115/10 ,  G02B5/0242 ,  G02B19/0028 ,  G02B19/0061 ,  G02B19/0066

Abstract: 本发明提供了用于双侧照明的LED透镜，其具有在其内部散布的光扩散材料，所述LED透镜包括：光入射其中的入射部分；第一提取部分，其对应于所述入射部分并具有上部，通过所述上部提取一部分光；从所述第一提取部分延伸并用于反射一部分光的反射部分；以及第二提取部分，其与所述第一提取部分相对并具有下部，通过所述下部提取从所述反射部分反射的光。

公开(公告)号：CN119744047A

公开(公告)日：2025-04-01

申请号：CN202411055214.9

申请日：2024-08-02

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金洛铉 ,  崔浚熙 ,  韩周宪

IPC: H10H20/819 ,  H10H20/821 ,  H10H20/812 ,  H10H20/01 ,  H10H29/30 ,  G09F9/33 ,  B82Y40/00 ,  B82Y20/00 ,  B82Y30/00

Abstract: 本公开提供了纳米棒发光器件、其制造方法以及显示装置。一种纳米棒发光器件包括n型半导体层、在n型半导体层上的有源层以及在有源层上的p型半导体层，n型半导体层包括芯棒、从芯棒在向外的方向上敞开的多个纳米孔以及分散在所述多个纳米孔中的多个量子点。

公开(公告)号：CN115513351A

公开(公告)日：2022-12-23

申请号：CN202210222589.4

申请日：2022-03-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔濬熙 ,  韩周宪 ,  金洛铉 ,  金柱成

IPC: H01L33/44 ,  H01L33/00 ,  H01L27/15

Abstract: 本公开提供了纳米棒发光器件、其制造方法及包括其的显示装置，该纳米棒发光器件包括半导体发光纳米棒和围绕该半导体发光纳米棒的侧壁并具有绝缘特性的钝化膜，其中钝化膜包括具有与半导体发光纳米棒的晶体结构相同的晶体结构的绝缘晶体材料。

公开(公告)号：CN114447166A

公开(公告)日：2022-05-06

申请号：CN202110817560.6

申请日：2021-07-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 韩周宪 ,  崔浚熙 ,  金洛铉 ,  金东湖 ,  朴珍珠

IPC: H01L33/06 ,  H01L33/08 ,  H01L33/14 ,  H01L27/15

Abstract: 提供了纳米棒发光器件、制造其的方法和包括该纳米棒发光器件的显示装置。该纳米棒发光器件包括被掺杂为具有第一导电类型的第一半导体层、设置在第一半导体层上的发光层、以及设置在发光层上并被掺杂为具有与第一导电类型电相反的第二导电类型的第二半导体层，其中在第一半导体层的下表面和第二半导体层的上表面之间的距离在约2μm至约10μm的范围内，其中第二半导体层的上表面的直径和第一半导体层的下表面的直径之差是第二半导体层的上表面的直径的10％或更小。

公开(公告)号：CN113241396A

公开(公告)日：2021-08-10

申请号：CN202110080705.9

申请日：2021-01-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔濬熙 ,  金洛铉 ,  朴珍珠 ,  韩周宪

IPC: H01L33/08 ,  H01L33/20 ,  H01L33/24 ,  H01L33/00

Abstract: 提供了发光二极管(LED)以及包括该发光二极管的显示装置。LED包括：第一半导体层；多个有源元件，在第一半导体层上彼此间隔开并且每个具有比第一半导体层的宽度小的宽度；以及设置在所述多个有源元件上的第二半导体层。