发光器件、包括其的显示装置以及制造其的方法

发明公开

CN115528152A 发光器件、包括其的显示装置以及制造其的方法审中-实审

摘要：

本发明提供一种氮化镓发光器件、包括该氮化镓发光器件的显示装置以及该氮化镓发光器件的制造方法。该氮化镓发光器件可以是条型发光器件并且包括n‑GaN半导体层、与n‑GaN半导体层间隔开的p‑GaN半导体层、布置在n‑GaN半导体层和p‑GaN半导体层之间的有源层、以及包括铟簇和空隙的应变松弛层。

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IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L33/00	至少有一个电位跃变势垒或表面势垒的专门适用于光发射的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备；这些半导体器件的零部件（H01L51/00优先；由在一个公共衬底中或其上形成有多个半导体组件并包括具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，专门适用于光发射的器件入H01L27/15；半导体激光器入H01S5/00）
H01L33/02	.以半导体为特征的
H01L33/12	..具有一个应力弛豫结构，例如缓冲层