公开(公告)号：CN111788582B

公开(公告)日：2024-08-16

申请号：CN201880089689.6

申请日：2018-11-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金庆勳 ,  朴永焕 ,  李桐洙 ,  金大铉 ,  赵韩秀 ,  金铉中

IPC: G06N3/063 ,  G06N20/00 ,  G06N3/044 ,  G06N3/045

Abstract: 提供了一种电子设备。所述电子设备包括：第一存储器，被配置为存储包括多个第一元素的第一人工智能(AI)模型；以及处理器，包括第二存储器。第二存储器被配置为存储包括多个第二元素的第二AI模型。所述处理器被配置为基于第二AI模型从输入数据获取输出数据。第一AI模型通过AI算法被训练。所述多个第二元素中的每一个第二元素包括在所述多个第一元素中的各个第一元素中包括的多个位中的至少一个较高位。

公开(公告)号：CN110494867B

公开(公告)日：2024-06-07

申请号：CN201880019678.0

申请日：2018-03-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金庆勋 ,  朴永焕 ,  权起奭 ,  金硕镇 ,  林采石 ,  赵韩秀 ,  韩相福 ,  李承远 ,  尹江镇

IPC: G06N3/063 ,  G06N3/0464 ,  G06N3/044

Abstract: 提供了一种用于执行机器学习的电子装置、一种机器学习方法、以及一种非暂时性计算机可读记录介质。该电子装置包括：运算模块，被配置为包括以预定模式排列的多个处理元素，并且在彼此相邻的多个处理元素之间共享数据以执行运算；以及处理器，被配置为控制运算模块通过对输入数据应用滤波器来执行卷积运算，其中，处理器控制运算模块通过以预定次序将配置二维滤波器的多个元素中的每一个输入到多个处理元素并将多个元素顺序地应用于输入数据来执行卷积运算。

公开(公告)号：CN111295675B

公开(公告)日：2024-03-05

申请号：CN201880070720.1

申请日：2018-10-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金庆勋 ,  朴永焕 ,  徐东宽 ,  K.普拉萨德 ,  金大铉 ,  金硕镇 ,  赵韩秀 ,  金铉中

IPC: G06N3/063 ,  G06N3/04

Abstract: 提供用于在神经网络中处理卷积运算的方法和装置。该装置可以包括：存储器，以及处理器，其被配置为：从存储器中读取存储在存储器中的输入数据的划分的块之一；通过利用内核对划分的块之一执行卷积运算来生成输出块；通过使用输出块来生成特征图；以及将特征图写入到存储器。

公开(公告)号：CN111295675A

公开(公告)日：2020-06-16

申请号：CN201880070720.1

申请日：2018-10-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金庆勋 ,  朴永焕 ,  徐东宽 ,  K.普拉萨德 ,  金大铉 ,  金硕镇 ,  赵韩秀 ,  金铉中

IPC: G06N3/063 ,  G06N3/04

Abstract: 提供用于在神经网络中处理卷积运算的方法和装置。该装置可以包括：存储器，以及处理器，其被配置为：从存储器中读取存储在存储器中的输入数据的划分的块之一；通过利用内核对划分的块之一执行卷积运算来生成输出块；通过使用输出块来生成特征图；以及将特征图写入到存储器。

公开(公告)号：CN111133457A

公开(公告)日：2020-05-08

申请号：CN201880062220.3

申请日：2018-05-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金庆勋 ,  朴永焕 ,  徐东宽 ,  K.P.纳加拉贾 ,  金大铉 ,  金硕镇 ,  赵韩秀 ,  金铉中

IPC: G06N3/08 ,  G06N3/04 ,  G06N20/00

Abstract: 公开了一种电子设备。电子设备包括存储装置和处理器，该处理器基于步幅信息对目标数据和内核数据执行卷积处理，该步幅信息指示内核数据被应用于存储在存储装置中的目标数据的间隔，其中，该处理器基于第一步幅信息将目标数据划分为多条子数据，基于不同于第一步幅信息的第二步幅信息对多条子数据和分别与多条子数据相对应的多条子内核数据执行卷积处理，并且组合多个处理结果。通过基于第一步幅信息划分内核数据来获得多条子内核数据，并且，第二步幅信息可以指示内核数据被应用于目标数据的间隔是1。

公开(公告)号：CN104657210B

公开(公告)日：2020-02-28

申请号：CN201410678024.2

申请日：2014-11-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李莲福 ,  梁镐 ,  朴永焕 ,  凯沙瓦·普拉萨德

IPC: G06F9/48

Abstract: 一种针对具有多个功能单元的处理器调度循环的方法。提供一种循环调度方法，所述方法包括：使用执行单元调度第一循环；使用作为调度第一循环的结果而可用的执行单元来调度第二循环。与第(n‑1)循环类似，可使用调度第(n‑1)循环的结果来调度第n循环(n＞2)。第一循环可以是高于第二循环的较高优先级循环。

公开(公告)号：CN106206863B

公开(公告)日：2018-12-14

申请号：CN201610364734.7

申请日：2016-05-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴永焕 ,  姜三默 ,  金峻渊 ,  金美贤 ,  金柱成 ,  卓泳助

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/22 ,  H01L33/12 ,  H01L33/32

Abstract: 提供了制造半导体衬底的方法以及用于半导体生长的衬底。所述制造半导体衬底的方法可以包括：在生长衬底上形成缓冲层；在所述缓冲层中形成多个开口，所述多个开口穿过所述缓冲层并且彼此分隔开；在所述生长衬底上形成多个腔，所述多个腔排列为分别对应于所述多个开口；在所述缓冲层上生长半导体层，生长所述半导体层包括用所述半导体层填充所述多个开口；以及将所述缓冲层和所述半导体层从所述生长衬底分离，其中所述生长衬底与所述缓冲层之间的分界处的所述多个开口中的每一个的直径小于所述分界处的所述多个腔中的每一个的直径。

公开(公告)号：CN107665365A

公开(公告)日：2018-02-06

申请号：CN201710625400.5

申请日：2017-07-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴永焕 ,  金庆勋 ,  李承远 ,  赵韩秀 ,  金硕镇

IPC: G06N3/08 ,  G06N3/063

CPC classification number: G06N3/063 ,  G06N3/04 ,  G06N3/0454 ,  G06N3/084

Abstract: 本公开涉及用于利用物联网(IoT)技术来融合第五代(5G)通信系统以支持超第四代(4G)系统的更高数据速率的通信方法和系统。本公开可以应用于基于5G通信技术和IoT相关技术的智能服务，诸如智能家居、智能建筑、智能城市、智能汽车、连接汽车、医疗保健、数字教育、智能零售、安保服务。提供了一种在卷积神经网络中的加速器中实现的处理元件(PE)，其包括：第一缓冲器，被配置为将输入数据传送到另一个PE；第二缓冲器，被配置为发送基于所述输入数据被处理的外部输出数据；以及操作单元，被配置为生成输出数据。

公开(公告)号：CN104657210A

公开(公告)日：2015-05-27

申请号：CN201410678024.2

申请日：2014-11-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李莲福 ,  梁镐 ,  朴永焕 ,  凯沙瓦·普拉萨德

IPC: G06F9/48

Abstract: 一种针对具有多个功能单元的处理器调度循环的方法。提供一种循环调度方法，所述方法包括：使用执行单元调度第一循环；使用作为调度第一循环的结果而可用的执行单元来调度第二循环。与第(n-1)循环类似，可使用调度第(n-1)循环的结果来调度第n循环(n＞2)。第一循环可以是高于第二循环的较高优先级循环。

公开(公告)号：CN103715240A

公开(公告)日：2014-04-09

申请号：CN201310128726.9

申请日：2013-04-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 全佑彻 ,  朴永焕 ,  吴在浚 ,  金景妍 ,  金俊溶 ,  朴基烈 ,  申在光 ,  黄瑄珪

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/778 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/402 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/7786

Abstract: 本发明提供了一种常闭型高电子迁移率晶体管（HEMT）。该常闭型HEMT包括：沟道层，具有第一氮化物半导体；沟道供应层，包括在沟道层上的第二氮化物半导体以将二维电子气（2DEG）诱导到沟道层；源电极和漏电极，布置在沟道供应层的两侧；耗尽形成层，在沟道供应层上以在2DEG的至少局部区域中形成耗尽区并且具有至少两个厚度；栅绝缘层，在所述耗尽形成层上；以及栅电极，在所述栅绝缘层上以接触所述耗尽形成层。