公开(公告)号：CN103730491A

公开(公告)日：2014-04-16

申请号：CN201310168042.1

申请日：2013-05-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 全佑彻 ,  金钟燮 ,  朴基烈 ,  朴永焕 ,  吴在浚 ,  河种奉 ,  申在光

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/7781 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/66431 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/778 ,  H01L29/7782 ,  H01L29/7786 ,  H03K3/012

Abstract: 一种高电子迁移率晶体管（HEMT）和驱动该HEMT的方法。HEMT包括：用于在沟道层内部感应出二维电子气（2DEG）的沟道提供层；在沟道提供层上形成的耗尽形成层；在耗尽形成层上并且在源极电极和漏极电极之间形成的第一栅极电极；以及在耗尽形成层上并且在源极电极和漏极电极之间形成的至少一个第二栅极电极。

公开(公告)号：CN102522473B

公开(公告)日：2014-09-03

申请号：CN201110456822.7

申请日：2009-02-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔繁在 ,  李镇贤 ,  朴基烈 ,  赵明洙

IPC: H01L33/36 ,  H01L33/00

Abstract: 本发明提供了一种半导体发光器件、制造该半导体发光器件的方法以及一种利用该半导体发光器件的半导体发光器件封装件。所述半导体发光器件具有顺序层叠的第一传导类型的半导体层、有源层、第二传导类型的半导体层、第二电极层、绝缘层、第一电极层和传导基底，其中，第二电极层在第二电极层和第二传导类型的半导体层之间的界面处具有暴露区域，第一电极层包括至少一个接触孔，所述至少一个接触孔电连接到第一传导类型的半导体层，与第二传导类型的半导体层和有源层电绝缘，并从第一电极层的一个表面延伸到第一传导类型的半导体层的至少部分。

公开(公告)号：CN103715240A

公开(公告)日：2014-04-09

申请号：CN201310128726.9

申请日：2013-04-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 全佑彻 ,  朴永焕 ,  吴在浚 ,  金景妍 ,  金俊溶 ,  朴基烈 ,  申在光 ,  黄瑄珪

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/778 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/402 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/7786

Abstract: 本发明提供了一种常闭型高电子迁移率晶体管（HEMT）。该常闭型HEMT包括：沟道层，具有第一氮化物半导体；沟道供应层，包括在沟道层上的第二氮化物半导体以将二维电子气（2DEG）诱导到沟道层；源电极和漏电极，布置在沟道供应层的两侧；耗尽形成层，在沟道供应层上以在2DEG的至少局部区域中形成耗尽区并且具有至少两个厚度；栅绝缘层，在所述耗尽形成层上；以及栅电极，在所述栅绝缘层上以接触所述耗尽形成层。