公开(公告)号：CN104347407B

公开(公告)日：2017-10-31

申请号：CN201310327029.6

申请日：2013-07-31

申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

发明人： 肖德元

IPC分类号： H01L21/335 ,  H01L29/78 ,  H01L29/06

CPC分类号： H01L29/778 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/122 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66431 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/775 ,  H01L29/7782 ,  H01L29/7783 ,  H01L29/7789

摘要： 本发明公开了一种制造半导体装置的方法及其半导体装置。其中在制造半导体装置的方法中，提供衬底结构，所述衬底结构包括衬底、以及形成在衬底表面上的鳍片式势垒层，在所述鳍片式势垒层的表面上形成量子阱材料层，以及在量子阱材料层上形成势垒材料层，其中所述量子阱材料层适于在其中形成电子气。从而能够实现在改进短沟道效应的同时，保证了半导体装置的高迁移率。

公开(公告)号：CN105118859A

公开(公告)日：2015-12-02

申请号：CN201510456020.4

申请日：2015-07-29

申请人： 电子科技大学

发明人： 罗小蓉 ,  熊佳云 ,  杨超 ,  魏杰 ,  吴俊峰 ,  彭富 ,  张波

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L29/06 ,  H01L29/423 ,  H01L29/45 ,  H01L29/47

CPC分类号： H01L29/7782 ,  H01L29/0684 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/452 ,  H01L29/475

摘要： 本发明属于半导体技术领域，具体的说涉及一种隧穿增强型HEMT器件。本发明主要通过在源漏之间的势垒层上表面生长一层反向极化层，源漏之间的反向极化层/势垒层/缓冲层形成双异质结，并在其界面分别产生二维空穴气(2DHG)与二维电子气(2DEG),从而形成极化超结，阻断状态时极化超结辅助耗尽漂移区，优化器件的横向电场分布，提高器件耐压；且源极金属与势垒层接触形成肖特基势垒，同时源极与反向极化层接触形成欧姆接触，源极金属与势垒层之间的肖特基势垒阻断电子从源极到2DEG的纵向导电沟道，栅极上加电压时调制源极与势垒层之间的肖特基势垒，形成电子的隧穿电流，从而实现增强型。

公开(公告)号：CN103237754A

公开(公告)日：2013-08-07

申请号：CN201180039925.1

申请日：2011-08-11

申请人： 宾夕法尼亚大学理事会

发明人： 埃兰·T·约翰逊 ,  罗正堂

IPC分类号： C01B31/00

CPC分类号： C01B32/186 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/194 ,  C01B2204/02 ,  C01B2204/20 ,  C01B2204/32 ,  H01L21/02425 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02527 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02658 ,  H01L21/28506 ,  H01L29/1606 ,  H01L29/7782

摘要： 本发明提供了在大气压下使用化学气相沉积（CVD）在平坦化的基材上生长大尺寸的均匀的石墨烯层的方法；按照这些方法生产的石墨烯可以具有超过95%的单层含量。通过本发明方法制造的场效应晶体管所具有的室温空穴迁移率比生长在可商购的铜箔基材上的样品所测得的室温空穴迁移率高2-5倍。

公开(公告)号：CN101473454B

公开(公告)日：2011-09-07

申请号：CN200780021185.2

申请日：2007-06-08

申请人： 罗姆股份有限公司

发明人： 中原健 ,  汤地洋行 ,  田村谦太郎 ,  赤坂俊辅 ,  川崎雅司 ,  塚崎敦 ,  大友明

IPC分类号： H01L33/00 ,  H01L21/363

CPC分类号： C30B23/02 ,  C30B29/16 ,  H01L21/02403 ,  H01L21/02414 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02554 ,  H01L29/045 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/22 ,  H01L29/267 ,  H01L29/7782 ,  H01L29/7787 ,  H01L33/0083 ,  H01L33/16 ,  H01S5/0211 ,  H01S5/3202 ,  H01S5/327

摘要： 本发明涉及一种ZnO系半导体元件，可以使平坦的ZnO系半导体层在层叠侧的主面朝向c轴方向的MgZnO基板上生长。使ZnO系半导体层(2～6)在以+C(0001)面至少向m轴方向倾斜的面为主面的MgxZn1-xO(0≤x

公开(公告)号：CN101512777A

公开(公告)日：2009-08-19

申请号：CN200780032221.5

申请日：2007-08-14

申请人： 飞兆半导体公司

发明人： 朴赞毫 ,  王琦

IPC分类号： H01L29/80

CPC分类号： H01L29/7813 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/165 ,  H01L29/49 ,  H01L29/4933 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7782 ,  Y02P70/605

摘要： 改善对瞬态电压的抗干扰性并减小寄生阻抗的装置、方法和处理。改善了对非钳制电感性切换事件的抗干扰性。例如，提供具有SiGe源极的沟槽栅功率MOSFET装置，其中，SiGe源极通过减小体或阱区域中的空穴电流来减小寄生npn晶体管增益，从而降低闭锁状态的可能性。还提供具有SiGe体或阱区域的沟槽栅功率MOSFET装置。当体二极管开启时，SiGe体减小空穴电流，从而减小反向恢复功率损失。还改善了装置的其他特性。例如，通过使用多晶SiGe栅可以减小寄生栅极阻抗。而且，通过在装置的栅极附近使用SiGe层可以减小沟道电阻，并且可以在沟道栅极之下形成厚氧化物区域以减小栅极至漏极电容。

公开(公告)号：CN101305467A

公开(公告)日：2008-11-12

申请号：CN200680042099.5

申请日：2006-12-05

申请人： 国际商业机器公司

发明人： 片山泰尚 ,  D·纽恩斯 ,  崔章琪

IPC分类号： H01L29/15

CPC分类号： H01L29/152 ,  B82Y10/00 ,  G11C11/14 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/66431 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7782 ,  H01L29/7783 ,  Y10S977/937

摘要： 一种器件结构包含两个或更多个导电层(32，34)、两个外围绝缘层(30)、一个或多个中间绝缘层(36)以及两个或更多个导电接触件。所述两个或更多个导电层被夹在所述两个外围绝缘层之间，且它们通过所述中间绝缘层而彼此间隔开以形成两个或更多个量子阱。所述导电接触件中的每一个都与所述导电层中的一个直接且选择性连接，使得单独的量子阱可以通过所述导电接触件而被选择性访问。这种器件结构优选地包含耦合量子阱器件，该耦合量子阱器件具有两个或更多个量子阱，该量子阱可以在简并能级通过阱间隧道效应而耦合在一起。更优选地，该器件结构包含存储单元，该存储单元具有三个量子阱，该三个量子阱被设置和构造成限定两种不同的存储状态。

公开(公告)号：CN100418198C

公开(公告)日：2008-09-10

申请号：CN200410049294.3

申请日：2004-06-10

申请人： 国际商业机器公司

发明人： 欧阳齐庆 ,  赵泽安

IPC分类号： H01L21/335 ,  H01L21/8238 ,  H03K19/00

CPC分类号： H01L29/778 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823885 ,  H01L29/045 ,  H01L29/161 ,  H01L29/165 ,  H01L29/7781 ,  H01L29/7782 ,  H01L29/7789 ,  H01L29/7828

摘要： 本发明描述了场效应晶体管的垂直沟道的结构及形成方法，场效应晶体管以及CMOS电路，在垂直单晶半导体结构的侧壁上组合了漏、主体和源区域，其中在晶体管源和主体之间形成异质结，其中源区域和沟道独立地相对于主体区域晶格应变，并且其中漏区域含有放置掺杂剂(例如B和P)扩散进主体的掺碳区域。本发明减小了短沟效应问题，例如：漏所引入的势垒降低以及通过异质结从源到漏区域的泄漏电流，同时通过选择半导体材料，独立地允许了沟道区域中的晶格应变，以提高迁移率。通过源和主体区域之间的异质结克服了栅长小于100nm的缩放问题。

公开(公告)号：CN100345254C

公开(公告)日：2007-10-24

申请号：CN02827309.5

申请日：2002-09-05

申请人： 埃斯苏黎世公司

发明人： H·冯卡内尔

IPC分类号： H01L21/205 ,  H01L29/778

CPC分类号： H01L29/7782 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/0251 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262

摘要： 半导体的制造方法的步骤包括：采用一种高密度低能量等离子体增强化学气相沉积(LEPECVD)方法：生长速度为2nm/秒以上，基片温度为400℃至850℃和在气体入口处的活性气体总流量为5sccm至200sccm，以分级Si1-xGex层与一非分级Si1-xGex层在一硅基片上形成一虚拟基片；采用一低密度低能量等离子体增强化学气相沉积(LEPECVD)方法：使氢(H2)注入生长室，基片温度保持在400℃与500℃之间和以脉冲方式使一掺杂气体注入生长室，以提供调制掺杂层，在一包含Ge沟与至少一调制掺杂层的虚拟基片上形成一激活区。

公开(公告)号：CN1331240C

公开(公告)日：2007-08-08

申请号：CN00804951.3

申请日：2000-03-11

申请人： 国际商业机器公司

发明人： J·O·楚

IPC分类号： H01L29/778

CPC分类号： H01L29/7782

摘要： 描述了一种用来制作高迁移率Ge沟道场效应晶体管的方法和层状异质结构，它在半导体衬底上组合有多个半导体层，且由压应变的外延Ge层组成的沟道结构具有更高的势垒即更深的限制量子阱，并具有极高的互补MODFET和MOSFET的空穴迁移率。本发明克服了仅仅具有单个压应变SiGe沟道层的p沟道器件的合金散射造成的空穴迁移率有限的问题。本发明除了具有从室温(425K)以上到可获得甚至更高器件性能的低温(0.4K)的宽广工作温度范围之外，还改善了深亚微米现有技术硅pMOSFET的迁移率和跨导。

公开(公告)号：CN1153300C

公开(公告)日：2004-06-09

申请号：CN98123113.6

申请日：1998-12-03

申请人： 松下电器产业株式会社

发明人： 高木刚

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/778

CPC分类号： H01L29/7786 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/161 ,  H01L29/7782 ,  H01L29/802

摘要： 一种具有场效应晶体管的半导体装置，在硅衬底10上依次沉积第1硅层12(Si层)、含碳的第2硅层13(Si1-yCy层)和不含碳的第3硅层14。由于Si1-yCy层的晶格常数比Si层的小，第2硅层13的导带和价带受到拉伸应变而被分离。被施加给栅极电极16的电场激发了的有效质量小的电子被关在第2硅层13中，在沟道方向上移动。这样，能得到移动速度极高的n-MOSFET。如果由Si1-x-yGexCy构成第2硅层13，就成为适应于高性能CMOS器件的结构。