公开(公告)号：CN108352408A

公开(公告)日：2018-07-31

申请号：CN201780003978.5

申请日：2017-01-13

Applicant: 索尼公司

Inventor： 竹内克彦 ,  兼松成 ,  柳田将志

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/778 ,  H01L29/423 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/42356 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/1075 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/41758 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/66666 ,  H01L29/7788 ,  H01L29/7789 ,  H01L29/7827 ,  H01L29/802

Abstract: 本发明的半导体装置包括基板和在所述基板上的第一接触层。所述半导体装置包括在所述第一接触层上的沟道层和在所述沟道层上的势垒层。所述半导体装置包括在所述势垒层的至少一个侧面上的栅极电极和在所述沟道层上的第二接触层。所述半导体装置包括在所述第一接触层上的第一电极和在所述第二接触层上的第二电极。

公开(公告)号：CN105428228A

公开(公告)日：2016-03-23

申请号：CN201510756005.1

申请日：2009-12-23

Applicant: 英特尔公司

Inventor： M·胡代特 ,  R·皮拉里塞泰 ,  M·拉多萨夫列维奇 ,  G·德维 ,  T·拉克希特 ,  J·卡瓦列罗斯 ,  W·蔡 ,  P·马吉

IPC: H01L21/285 ,  H01L21/768 ,  H01L29/417 ,  H01L29/66 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78 ,  H01L29/80 ,  H01L29/165 ,  H01L29/51

CPC classification number: H01L29/66431 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76805 ,  H01L21/76897 ,  H01L29/152 ,  H01L29/165 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7783 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/802

Abstract: 本发明涉及具有由金属源极/漏极和共形再生长源极/漏极导致的单轴应变的量子阱MOSFET沟道。描述的实施例包括具有金属源极/漏极的应变晶体管量子阱(QW)沟道区以及共形再生长源极/漏极，以在MOS沟道区中赋予单轴应变。可以利用晶格间距与沟道材料的晶格间距不同的结材料填充沟道层的被去除部分，以除了双轴应变之外，在沟道中导致单轴应变，双轴应变是由量子阱的顶部势垒层和底部缓冲层在沟道层中导致的。

公开(公告)号：CN104916665A

公开(公告)日：2015-09-16

申请号：CN201410449207.7

申请日：2014-09-04

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 小林仁

IPC: H01L29/40 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/404 ,  H01L21/32133 ,  H01L21/823437 ,  H01L21/823475 ,  H01L27/088 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/402 ,  H01L29/41758 ,  H01L29/4916 ,  H01L29/7787 ,  H01L29/802

Abstract: 根据一个实施方式，半导体装置具备：半导体层；设置于所述半导体层上的栅极电极；绝缘膜；源极电极；漏极电极。所述源极电极以及所述漏极电极设置在所述绝缘膜中的与所述栅极电极分离的位置，且一端与所述半导体层接触，另一端在所述第二面侧露出。还具备设置在所述栅极电极上以及所述绝缘膜上的第一场板电极、设置在所述绝缘膜上并位于所述第一场板电极与所述漏极电极之间的第二场板电极。并且，所述第一场板电极与所述半导体层之间的所述绝缘膜的厚度，比所述第二场板电极与所述半导体层之间的所述绝缘膜的厚度薄。

公开(公告)号：CN101238560B

公开(公告)日：2011-08-31

申请号：CN200680029172.5

申请日：2006-06-12

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 宫本广信 ,  安藤裕二 ,  冈本康宏 ,  中山达峰 ,  井上隆 ,  大田一树 ,  分岛彰男 ,  笠原健资 ,  村濑康裕 ,  松永高治 ,  山之口胜己 ,  岛胁秀德

IPC: H01L21/338 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/404 ,  H01L29/7783 ,  H01L29/7787 ,  H01L29/802 ,  H01L29/812

Abstract: 本发明提供了一种在高压操作以及高频特性上显示出良好性能的场效应晶体管。在本发明中，场效应晶体管包括设置在由GaAs或InP制成的半导体衬底(110)上的由化合物半导体(111)制成的层结构，作为工作层，并采用第一场极板电极(116)和第二场极板电极(118)；第二场极板电极(118)包括屏蔽部分(119)，其位于第一场极板电极(116)和漏电极(114)之间的区域中，并用于将第一场极板电极(116)与漏电极(114)屏蔽开。具体地，在栅长方向上的截面图中，当将第二场极板电极(118)与由第一场极板电极(116)和栅电极(113)组成的结构的上部交叠的交叠区域的在栅长方向上的长度指定为Lol，和将栅长指定为Lg时，满足0≤Lol/Lg≤1的关系。

公开(公告)号：CN101930999A

公开(公告)日：2010-12-29

申请号：CN201010207290.9

申请日：2010-06-17

Applicant: 英飞凌科技奥地利有限公司

Inventor： G·施米特

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/06 ,  H01L29/10 ,  H01L29/47

CPC classification number: H01L29/7802 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/405 ,  H01L29/408 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/432 ,  H01L29/49 ,  H01L29/4916 ,  H01L29/4925 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/7816 ,  H01L29/7824 ,  H01L29/7825 ,  H01L29/7835 ,  H01L29/802 ,  H01L29/861 ,  H01L29/8611 ,  H01L29/8613 ,  H01L29/872

Abstract: 本发明涉及具有非晶沟道控制层的半导体部件。公开一种半导体部件，该半导体部件包括：漂移区，其被布置在第一和第二连接区之间；非晶半绝缘材料的沟道控制层，其被布置成邻近漂移区。

公开(公告)号：CN1282233C

公开(公告)日：2006-10-25

申请号：CN200310121550.0

申请日：2003-12-18

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： O·H·多库马奇 ,  B·B·多里斯 ,  S·G·赫格德 ,  M·莱昂 ,  E·C·琼斯

IPC: H01L21/335 ,  H01L29/772

CPC classification number: H01L29/66916 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/66772 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78648 ,  H01L29/802

Abstract: 本发明提供了一种具有与前栅极对准的背栅极的平面双栅极场效应晶体管器件的制造方法。通过在部分背栅极中产生载流子耗尽区，本发明的方法实现了这种对准。载流子耗尽区降低了源/漏区和背栅极之间的电容，由此提供了高性能的自对准的平面双栅极场效应晶体管。本发明也提供了具有与前栅极对准的后栅极的平面双栅极场效应晶体管器件。通过在部分背栅极中提供载流子耗尽区实现了前栅极与背栅极的对准。

公开(公告)号：CN1477718A

公开(公告)日：2004-02-25

申请号：CN03106345.4

申请日：2003-02-25

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 相原一洋

IPC: H01L29/78 ,  H01L27/108

CPC classification number: H01L29/802 ,  H01L21/28255 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/165

Abstract: 在SiGe结晶膜衬底上形成具有作为沟道区功能的Si结晶膜。还有，在Si结晶膜上形成具有作为沟道区功能的SiGe结晶膜。还有，在SiGe结晶膜及Si结晶膜的两侧形成具有作为源/漏区功能的Si结晶膜。还有，在SiGe结晶膜上，通过栅绝缘膜形成栅电极。按照上述结构，SiGe结晶膜抑制了Si结晶膜的自然氧化。其结果是，得到消除因Si结晶膜表面的自然氧化引起的在Si结晶膜中的导电性降低而产生的问题的半导体器件。

公开(公告)号：CN108054084A

公开(公告)日：2018-05-18

申请号：CN201810011903.8

申请日：2013-06-24

Applicant: 英特尔公司

Inventor： H·W·田 ,  S·达斯古普塔 ,  M·拉多萨夫列维奇 ,  B·舒金 ,  S·K·加德纳 ,  S·H·宋 ,  R·S·周

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/283 ,  H01L21/285 ,  H01L21/84 ,  H01L27/12 ,  H01L29/06 ,  H01L29/20 ,  H01L29/201 ,  H01L29/423 ,  H01L29/66 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78 ,  H01L29/80

CPC classification number: H01L29/2003 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/283 ,  H01L21/28575 ,  H01L21/84 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/201 ,  H01L29/42356 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7787 ,  H01L29/78 ,  H01L29/785 ,  H01L29/7851 ,  H01L29/802

Abstract: 本发明描述了纳米尺度模板结构上的Ⅲ族‑N晶体管。Ⅲ‑N半导体沟道形成在Ⅲ‑N过渡层上，Ⅲ‑N过渡层形成在诸如鳍状物侧壁的硅模板结构的(111)或(110)表面上。在实施例中，硅鳍状物具有可与Ⅲ‑N外延膜厚度相比拟的宽度，以实现更兼容的晶种层，允许较低的缺陷密度和/或减小的外延膜厚度。在实施例中，过渡层为GaN并且半导体沟道包括铟(In)，以增大半导体沟道的导带与硅鳍状物的导带的偏离。在其它实施例中，鳍状物是牺牲性的并且在晶体管制造期间被去除或氧化，或者通过其它方式被转换成电介质结构。在采用牺牲鳍状物的某些实施例中，Ⅲ‑N过渡层和半导体沟道大体上是纯GaN，允许击穿电压高于存在硅鳍状物的情况下可维持的击穿电压。

公开(公告)号：CN101931006B

公开(公告)日：2013-03-13

申请号：CN201010207331.4

申请日：2010-06-17

Applicant: 英飞凌科技奥地利有限公司

Inventor： G·施米特

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/10 ,  H01L29/165

CPC classification number: H01L29/802 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/408 ,  H01L29/432 ,  H01L29/66431 ,  H01L29/739

Abstract: 本发明涉及具有非晶半绝缘沟道控制层的晶体管部件。公开一种具有控制结构的晶体管部件，该控制结构具有在电流流动方向上沿沟道区延伸的非晶半绝缘材料沟道控制层。

公开(公告)号：CN102903737A

公开(公告)日：2013-01-30

申请号：CN201210252482.0

申请日：2012-07-20

Applicant: 索尼公司

Inventor： 竹内克彦 ,  谷口理

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/778 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/7784 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/205 ,  H01L29/207 ,  H01L29/517 ,  H01L29/7785 ,  H01L29/802

Abstract: 本公开提供一种半导体器件及其制造方法，该半导体器件包括：沟道层，由化合物半导体制成；势垒层，设置在沟道层上方且由这样的化合物半导体制成，在与沟道层的结中该化合物半导体在载流子行进侧的能带比沟道层中在载流子行进侧的能带远离沟道层中的本征费米能级；低电阻区域，设置在势垒层的表面层中，且通过包含杂质而具有比周围部分低的电阻；源极电极和漏极电极，在夹置低电阻区域的位置处连接到势垒层；栅极绝缘层，设置在低电阻区域上；以及栅极电极，隔着栅极绝缘层设置在低电阻区域上方。