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公开(公告)号：CN108352408A
公开(公告)日：2018-07-31
申请号：CN201780003978.5
申请日：2017-01-13
Applicant: 索尼公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/778 , H01L29/423 , H01L29/06 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/42356 , H01L29/0649 , H01L29/0657 , H01L29/1075 , H01L29/2003 , H01L29/41758 , H01L29/66462 , H01L29/66666 , H01L29/7788 , H01L29/7789 , H01L29/7827 , H01L29/802
Abstract: 本发明的半导体装置包括基板和在所述基板上的第一接触层。所述半导体装置包括在所述第一接触层上的沟道层和在所述沟道层上的势垒层。所述半导体装置包括在所述势垒层的至少一个侧面上的栅极电极和在所述沟道层上的第二接触层。所述半导体装置包括在所述第一接触层上的第一电极和在所述第二接触层上的第二电极。
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公开(公告)号：CN104037211B
公开(公告)日：2017-09-22
申请号：CN201410069182.8
申请日：2014-02-27
Applicant: 索尼公司
IPC: H01L29/778
CPC classification number: H01L29/778 , H01L29/2003 , H01L29/401 , H01L29/42316 , H01L29/4234 , H01L29/42376 , H01L29/4238 , H01L29/66462 , H01L29/7787 , H01L29/78
Abstract: 本发明涉及半导体器件和包括该半导体器件的电子装置。所述半导体器件包括：器件区域，其具有包括沟道部的半导体层；器件周边区域，其邻接所述器件区域；栅极电极，其设置在所述器件区域内，且具有跨越所述器件区域和所述器件周边区域的边界部；导电层，其设置在所述栅极电极与所述半导体层之间；和绝缘层，其设置在所述半导体层与位于所述边界部处的所述栅极电极之间。根据本发明，能够减小将会在绝缘层内生成的寄生成分的影响从而提高性能。
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公开(公告)号：CN102097305B
公开(公告)日：2013-07-17
申请号：CN201010566844.4
申请日：2010-11-19
Applicant: 索尼公司
Inventor： 柳田将志
IPC: H01L21/265 , H01L21/336 , H01L29/78 , H01L27/146 , H04N5/374
CPC classification number: H01L31/0352 , H01L27/14603 , H01L27/14612 , H01L27/1463 , H01L27/14689 , H01L29/105 , H01L29/7833 , H01L31/03529 , H01L31/103 , Y02E10/50
Abstract: 本发明提供了一种制造半导体器件及其制造方法、固体摄像器件和固体摄像装置，其中所述半导体器件的制造方法包括以下步骤：在半导体基板的表面上的绝缘层上形成晶体管的栅极；通过将第一导电类型的杂质离子注入半导体基板中而形成隔离区；在晶体管的栅极的上层上形成包括比栅极的宽度窄的开口部的掩模图案之后，通过使用该掩模图案作为掩模，在半导体基板的表面附近进行第二导电类型的杂质的离子注入，形成轻掺杂漏极区；以及在形成晶体管的栅极之后，通过将第二导电类型的杂质的离子注入至半导体基板中，形成晶体管的源极区和漏极区。本发明可避免形成漏电流路径，并且可避免晶体管短路以及晶体管的阈值电压下降。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103681879B
公开(公告)日：2017-07-14
申请号：CN201310367436.X
申请日：2013-08-21
Applicant: 索尼公司
IPC: H01L29/861 , H01L29/06 , H01L29/08 , H01L21/329
CPC classification number: H01L29/872 , H01L21/02104 , H01L29/2003 , H01L29/66204 , H01L29/66212 , H01L29/861
Abstract: 本发明涉及二极管及其制造方法。所述二极管包括：第一半导体层，由包含第一导电型杂质的化合物半导体构成；高位错密度区域；第二半导体层，层叠于所述第一半导体层上，并在与所述第一半导体层的界面侧区域中具有低于所述第一半导体层的杂质浓度，所述第二半导体层具有开口，所述开口中对应于所述高位错密度区域的部分被移除；绝缘膜图案，被设置成覆盖所述开口的内壁；电极，被设置成覆盖所述绝缘膜图案并接触所述第二半导体层；以及对向电极，被设置成使得所述第一半导体层、所述第二半导体层及所述绝缘膜图案被夹持在所述电极与所述对向电极之间。根据本发明，能够安全地防止由化合物半导体构成的半导体层中的经由穿透位错区域出现的漏电流。
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公开(公告)号：CN103681879A
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201310367436.X
申请日：2013-08-21
Applicant: 索尼公司
IPC: H01L29/861 , H01L29/06 , H01L29/08 , H01L21/329
CPC classification number: H01L29/872 , H01L21/02104 , H01L29/2003 , H01L29/66204 , H01L29/66212 , H01L29/861
Abstract: 本发明涉及二极管及其制造方法。所述二极管包括：第一半导体层，由包含第一导电型杂质的化合物半导体构成；高位错密度区域；第二半导体层，层叠于所述第一半导体层上，并在与所述第一半导体层的界面侧区域中具有低于所述第一半导体层的杂质浓度，所述第二半导体层具有开口，所述开口中对应于所述高位错密度区域的部分被移除；绝缘膜图案，被设置成覆盖所述开口的内壁；电极，被设置成覆盖所述绝缘膜图案并接触所述第二半导体层；以及对向电极，被设置成使得所述第一半导体层、所述第二半导体层及所述绝缘膜图案被夹持在所述电极与所述对向电极之间。根据本发明，能够安全地防止由化合物半导体构成的半导体层中的经由穿透位错区域出现的漏电流。
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公开(公告)号：CN102097305A
公开(公告)日：2011-06-15
申请号：CN201010566844.4
申请日：2010-11-19
Applicant: 索尼公司
Inventor： 柳田将志
IPC: H01L21/265 , H01L21/336 , H01L29/78 , H01L27/146 , H04N5/374
CPC classification number: H01L31/0352 , H01L27/14603 , H01L27/14612 , H01L27/1463 , H01L27/14689 , H01L29/105 , H01L29/7833 , H01L31/03529 , H01L31/103 , Y02E10/50
Abstract: 本发明提供了一种半导体器件及其制造方法、固体摄像器件和固体摄像装置，其中所述半导体器件的制造方法包括以下步骤：在半导体基板的表面上的绝缘层上形成晶体管的栅极；通过将第一导电类型的杂质离子注入半导体基板中而形成隔离区；在晶体管的栅极的上层上形成包括比栅极的宽度窄的开口部的掩模图案之后，通过使用该掩模图案作为掩模，在半导体基板的表面附近进行第二导电类型的杂质的离子注入，形成轻掺杂漏极区；以及在形成晶体管的栅极之后，通过将第二导电类型的杂质的离子注入至半导体基板中，形成晶体管的源极区和漏极区。本发明可避免形成漏电流路径，并且可避免晶体管短路以及晶体管的阈值电压下降。
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公开(公告)号：CN108352408B
公开(公告)日：2021-09-17
申请号：CN201780003978.5
申请日：2017-01-13
Applicant: 索尼公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/778 , H01L29/423 , H01L29/06 , H01L21/336
Abstract: 本发明的半导体装置包括基板和在所述基板上的第一接触层。所述半导体装置包括在所述第一接触层上的沟道层和在所述沟道层上的势垒层。所述半导体装置包括在所述势垒层的至少一个侧面上的栅极电极和在所述沟道层上的第二接触层。所述半导体装置包括在所述第一接触层上的第一电极和在所述第二接触层上的第二电极。
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公开(公告)号：CN104037211A
公开(公告)日：2014-09-10
申请号：CN201410069182.8
申请日：2014-02-27
Applicant: 索尼公司
IPC: H01L29/778
CPC classification number: H01L29/778 , H01L29/2003 , H01L29/401 , H01L29/42316 , H01L29/4234 , H01L29/42376 , H01L29/4238 , H01L29/66462 , H01L29/7787 , H01L29/78
Abstract: 本发明涉及半导体器件和包括该半导体器件的电子装置。所述半导体器件包括：器件区域，其具有包括沟道部的半导体层；器件周边区域，其邻接所述器件区域；栅极电极，其设置在所述器件区域内，且具有跨越所述器件区域和所述器件周边区域的边界部；导电层，其设置在所述栅极电极与所述半导体层之间；和绝缘层，其设置在所述半导体层与位于所述边界部处的所述栅极电极之间。根据本发明，能够减小将会在绝缘层内生成的寄生成分的影响从而提高性能。
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