公开(公告)号：CN1293644C

公开(公告)日：2007-01-03

申请号：CN03106345.4

申请日：2003-02-25

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 相原一洋

IPC: H01L29/78 ,  H01L27/108

CPC classification number: H01L29/802 ,  H01L21/28255 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/165

Abstract: 本发明提供一种包括半导体衬底的半导体器件，其特征在于：所述半导体衬底具有：导电部；通过与该导电部的下表面相接，使得在构成该导电部的半导体中产生晶格畸变，使流过该导电部的电子的迁移率提高的迁移率提高部；以及氧化抑制部，构成上述半导体衬底的一个表面，并覆盖上述导电部的上表面，具有抑制上述导电部被自然氧化的功能；其中所述氧化抑制部配置在一个栅绝缘膜之下，该栅绝缘膜包括Al2O3膜或者HfO2膜；以及所述氧化抑制部和下面的导电部用作晶体管的沟道区。按照上述结构，SiGe结晶膜抑制了Si结晶膜的自然氧化。其结果是，得到消除因Si结晶膜表面的自然氧化引起的在Si结晶膜中的导电性降低而产生的问题的半导体器件。

公开(公告)号：CN1477718A

公开(公告)日：2004-02-25

申请号：CN03106345.4

申请日：2003-02-25

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 相原一洋

IPC: H01L29/78 ,  H01L27/108

CPC classification number: H01L29/802 ,  H01L21/28255 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/165

Abstract: 在SiGe结晶膜衬底上形成具有作为沟道区功能的Si结晶膜。还有，在Si结晶膜上形成具有作为沟道区功能的SiGe结晶膜。还有，在SiGe结晶膜及Si结晶膜的两侧形成具有作为源/漏区功能的Si结晶膜。还有，在SiGe结晶膜上，通过栅绝缘膜形成栅电极。按照上述结构，SiGe结晶膜抑制了Si结晶膜的自然氧化。其结果是，得到消除因Si结晶膜表面的自然氧化引起的在Si结晶膜中的导电性降低而产生的问题的半导体器件。