公开(公告)号：CN108122754A

公开(公告)日：2018-06-05

申请号：CN201711204403.8

申请日：2017-11-27

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司 ,  刘致为

Inventor： 吕芳谅 ,  翁翊轩 ,  林诗雅 ,  刘致为 ,  潘正圣

IPC: H01L21/324 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7848 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02535 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/02664 ,  H01L21/268 ,  H01L21/28255 ,  H01L21/324 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/1033 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/161 ,  H01L29/165 ,  H01L29/665 ,  H01L29/66651 ,  H01L29/66795 ,  H01L21/3245

Abstract: 制造半导体元件的方法包含形成具有第一元素及第二元素于半导体基材上的合金半导体材料层；形成遮罩于合金半导体材料层上，以提供合金半导体材料层的屏蔽部分及未屏蔽部分；以来自辐射源的辐射照射未被遮罩覆盖的合金半导体材料层的未屏蔽部分，以转化合金半导体材料层，致使合金半导体材料层的未屏蔽部分的表面区域具有比合金半导体材料层的未屏蔽部分的内部区域高的第二元素的浓度，其中表面区域覆着内部区域。

公开(公告)号：CN105706218A

公开(公告)日：2016-06-22

申请号：CN201480059398.4

申请日：2014-10-10

Applicant: 国立研究开发法人科学技术振兴机构

Inventor： 鸟海明 ,  李忠贤 ,  西村知纪

IPC: H01L21/324 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/36 ,  H01L21/28255 ,  H01L21/322 ,  H01L21/324 ,  H01L21/3247 ,  H01L29/16 ,  H01L29/517 ,  H01L29/78

Abstract: 一种半导体基板的制造方法，其包括在还原性气体气氛中，在700℃以上对具有1×1016cm-3以上的氧浓度的锗层(30)进行热处理的工序。或者一种半导体基板的制造方法，其包括在还原性气体气氛中，对具有1×1016cm-3以上的氧浓度的锗层(30)进行热处理以使所述氧浓度减小的工序。

公开(公告)号：CN104810293A

公开(公告)日：2015-07-29

申请号：CN201510141415.5

申请日：2015-03-27

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 刘莉 ,  杨银堂

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L29/66068 ,  H01L21/28255 ,  H01L29/401 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/7816

Abstract: 本发明公开了一种分区复合栅结构SiC DMISFET器件的制作方法，其步骤依次为对N-/N+型SiC外延片表面清洗；刻出P-base区并高温Al离子注入；刻出N+掺杂源区并高温N离子注入；刻出P型掺杂接触区域并P型掺杂高温Al离子注入；在N-/N+型SiC外延片表面形成碳保护膜；1600℃高温离子注入退火；表面碳膜去除；酸清洗；Al2O3/Nitrided-SiO2复合栅介质层的生长；底部漏电极生长；涂剥离胶、光刻胶、刻出源接触孔，进行源金属淀积，并剥离形成源图形；对进行了源漏电极退火的SiC外延片进行栅电极的形成；栅、源互连电极形成，最后得到器件成品。本发明使用本制作方法，可以有效减小栅泄漏电流，提高栅介质层的质量。

公开(公告)号：CN104465765A

公开(公告)日：2015-03-25

申请号：CN201410385595.7

申请日：2014-08-07

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 饭岛良介 ,  中林幸雄 ,  清水达雄

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/66477 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/049 ,  H01L21/28229 ,  H01L21/28255 ,  H01L21/302 ,  H01L21/32105 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/165 ,  H01L29/36 ,  H01L29/66053 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/66613 ,  H01L29/66621 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/7802 ,  H01L29/7813

Abstract: 实施方式的半导体装置具备：第1导电型的SiC的第1区域；第1导电型的杂质浓度比第1区域低的第1导电型的SiC的第2区域；被第1区域与第2区域夹持的第2导电型的第3区域；设置在第1、第2以及第3区域表面且第3区域上的膜厚比第2区域上的膜厚厚的Si层；设置在Si层上的栅极绝缘膜；以及设置在栅极绝缘膜上的栅极电极。

公开(公告)号：CN101517717B

公开(公告)日：2013-04-03

申请号：CN200780034552.2

申请日：2007-09-18

Applicant: 英特尔公司

Inventor： P·拉纳德

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/0217 ,  H01L21/02148 ,  H01L21/02159 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/02183 ,  H01L21/02189 ,  H01L21/02192 ,  H01L21/02197 ,  H01L21/02236 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02543 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/02549 ,  H01L21/28167 ,  H01L21/28255 ,  H01L21/28264 ,  H01L21/31055 ,  H01L21/31604 ,  H01L21/47 ,  H01L27/0886 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/16 ,  H01L29/165 ,  H01L29/20 ,  H01L29/205 ,  H01L29/267 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/41783 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/512 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66492 ,  H01L29/66522 ,  H01L29/6653 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66553 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/66651 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7833 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/785 ,  H01L29/7851 ,  H01L29/78654

Abstract: 描述一种用于形成具有有源区域和相容的电介质层的半导体结构的方法。在一个实施例中，半导体结构具有由第一半导体材料的氧化物组成的电介质层，其中在电介质层与第一半导体材料之间形成有第二(且成分不同的)半导体材料。在另一个实施例中，用第三半导体材料取代第二半导体材料的一部分，以便赋予第二半导体材料的晶格结构单轴应变。

公开(公告)号：CN102381718A

公开(公告)日：2012-03-21

申请号：CN201010269030.4

申请日：2010-09-01

Applicant: 北京大学

Inventor： 郭岳 ,  安霞 ,  王润声 ,  黄如 ,  张兴

IPC: C01C1/16 ,  H01L21/18

CPC classification number: C23C22/34 ,  C23C22/73 ,  H01L21/02052 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/28255 ,  H01L21/28512 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/306 ,  H01L23/291 ,  H01L23/3171 ,  H01L29/16 ,  H01L29/45 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供了一种用氟化铵溶液作为钝化剂对锗基器件进行表面预处理的方法，属于超大规模集成电路(ULSI)工艺制造技术领域。本发明使用氟化铵水溶液对锗基器件进行表面预处理，可以减小界面态并且能够有效抑制自然氧化层的再次生成和锗基衬底材料的外扩散现象，还可以提高金属锗化物的热稳定性。本发明简单有效地改善了锗基器件的界面特性，有利于提升锗基晶体管的性能，在不增加工艺复杂性的情况下对锗基器件进行表面钝化预处理，非常有利于工艺的集成。

公开(公告)号：CN102201343A

公开(公告)日：2011-09-28

申请号：CN201110106317.X

申请日：2011-04-26

Applicant: 复旦大学

Inventor： 吴东平 ,  胡成 ,  朱伦 ,  朱志炜 ,  张世理 ,  张卫

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L29/78 ,  B82Y40/00

CPC classification number: H01L21/28518 ,  H01L21/28097 ,  H01L21/2815 ,  H01L21/28255 ,  H01L21/28264 ,  H01L21/32053 ,  H01L29/04 ,  H01L29/413 ,  H01L29/41758 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/4975 ,  H01L29/66477 ,  H01L29/66575 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明公开了一种纳米MOS器件的制备方法，其制备的栅极为金属栅，因而可避免多晶栅极的耗尽效应，提高MOS器件的性能；并且该方法是通过在多晶半导体层两侧的侧壁表面沉积金属薄膜，所述金属薄膜中的金属向所述多晶半导体层的侧壁表面扩散，经过退火后，在所述多晶半导体层的侧壁表面形成金属半导体化合物纳米线(即金属栅)，而不需要利用高分辨率的光刻技术来形成金属半导体化合物纳米线，因而大大节约了成本；同时，还公开了一种纳米MOS器件，其栅极为金属栅，因而可避免多晶栅极的耗尽效应，提高MOS器件的性能。

公开(公告)号：CN102005390A

公开(公告)日：2011-04-06

申请号：CN201010511472.5

申请日：2010-10-19

Applicant: 复旦大学

Inventor： 谭葛明 ,  王鹏飞 ,  孙清清 ,  张卫

IPC: H01L21/465

CPC classification number: H01L21/28255

Abstract: 本发明属于半导体制造技术领域，具体公开了一种锗的表面钝化方法。采用硫代乙酰胺（CH3CSNH2）溶液钝化锗（Ge）片，可以清除Ge片表面的自然氧化物，并且能够生成均匀致密的GeSx钝化层，防止Ge片表面的再次氧化，消除费米能级钉扎。在钝化后的Ge片上，采用原子层淀积方法淀积一层高质量的Al2O3薄膜来防止Ge片表面的再次氧化，可以获得优良的Al2O3/Ge界面。

公开(公告)号：CN101517717A

公开(公告)日：2009-08-26

申请号：CN200780034552.2

申请日：2007-09-18

Applicant: 英特尔公司

Inventor： P·拉纳德

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/0217 ,  H01L21/02148 ,  H01L21/02159 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/02183 ,  H01L21/02189 ,  H01L21/02192 ,  H01L21/02197 ,  H01L21/02236 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02543 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/02549 ,  H01L21/28167 ,  H01L21/28255 ,  H01L21/28264 ,  H01L21/31055 ,  H01L21/31604 ,  H01L21/47 ,  H01L27/0886 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/16 ,  H01L29/165 ,  H01L29/20 ,  H01L29/205 ,  H01L29/267 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/41783 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/512 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66492 ,  H01L29/66522 ,  H01L29/6653 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66553 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/66651 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7833 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/785 ,  H01L29/7851 ,  H01L29/78654

Abstract: 描述一种用于形成具有有源区域和相容的电介质层的半导体结构的方法。在一个实施例中，半导体结构具有由第一半导体材料的氧化物组成的电介质层，其中在电介质层与第一半导体材料之间形成有第二(且成分不同的)半导体材料。在另一个实施例中，用第三半导体材料取代第二半导体材料的一部分，以便赋予第二半导体材料的晶格结构单轴应变。

公开(公告)号：CN108292687A

公开(公告)日：2018-07-17

申请号：CN201580084789.6

申请日：2015-12-24

Applicant: 英特尔公司

Inventor： W·拉赫马迪 ,  M·V·梅茨 ,  B·舒-金 ,  V·H·勒 ,  G·杜威 ,  A·阿格拉瓦尔 ,  J·T·卡瓦列罗斯

IPC: H01L29/872

CPC classification number: H01L29/47 ,  H01L21/28255 ,  H01L29/45 ,  H01L29/66477 ,  H01L29/78

Abstract: 一种装置，包括衬底；衬底上的晶体管器件，所述晶体管器件包括沟道和设置在沟道之间的源极和漏极；耦合到源极的源极触点和耦合到漏极的漏极触点；并且源极和漏极各自包括合成物，合成物包括在与沟道的接合界面处的大于在与源极触点的结处的锗浓度的锗浓度。一种方法，包括在衬底上限定用于晶体管器件的区域；形成源极和漏极，各自包括与沟道的接合界面；以及形成到源极和漏极中的一个的触点，其中，源极和漏极中的每一个的合成物包括在与沟道的接合界面处的大于在与触点的结处的浓度的锗浓度。