公开(公告)号：CN103882406B

公开(公告)日：2017-03-22

申请号：CN201310711879.6

申请日：2013-12-20

申请人： 东京毅力科创株式会社

发明人： 池川宽晃 ,  上西雅彦 ,  高桥宏辅 ,  小堆正人 ,  小川淳

IPC分类号： C23C16/40 ,  C23C16/455

CPC分类号： H01L21/0228 ,  C23C16/45551 ,  C23C16/4584 ,  H01L21/02148 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02189 ,  H01L21/02194 ,  H01L21/022 ,  H01L21/68764 ,  H01L21/68771

摘要： 本发明提供一种使用成膜装置的成膜方法。该成膜装置包括第1气体供给部、以及第2气体供给部以及能够载置多个基板的旋转台，其中，该成膜方法包括：第1工序，自第1气体供给部和第2气体供给部供给氧化气体并使旋转台旋转；第2工序，自第1气体供给部供给含有第1元素的第1反应气体并自第2气体供给部供给氧化气体，使旋转台旋转，从而在基板上形成含有第1元素的第1氧化膜；第3工序，自第1气体供给部和第2气体供给部供给氧化气体并使旋转台旋转；以及第4工序，自第1气体供给部供给含有第2元素的第2反应气体、自第2气体供给部供给氧化气体并使旋转台旋转，从而在基板上形成含有第2元素的第2氧化膜。

公开(公告)号：CN103882408A

公开(公告)日：2014-06-25

申请号：CN201310712445.8

申请日：2013-12-20

申请人： 东京毅力科创株式会社

发明人： 立花光博 ,  池川宽晃 ,  和村有 ,  尾谷宗之 ,  小川淳 ,  高桥宏辅

IPC分类号： C23C16/455 ,  C23C16/40 ,  H01L21/316

CPC分类号： H01L21/0228 ,  C23C16/308 ,  C23C16/401 ,  C23C16/405 ,  C23C16/45529 ,  C23C16/45531 ,  C23C16/45551 ,  H01L21/02148 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/022 ,  H01L21/68764 ,  H01L21/68771

摘要： 本发明提供一种成膜方法。该成膜方法利用成膜装置在上述多个基板上形成含有第1元素及第2元素的掺杂氧化膜，该成膜方法包括以下工序：成膜工序，从上述第1气体供给部供给含有上述第1元素的第1反应气体，从上述第2气体供给部供给氧化气体，在上述基板上形成含有上述第1元素的氧化膜；以及掺杂工序，从上述第1气体供给部和上述第2气体供给部中的一者供给含有上述第2元素的第2反应气体，从上述第1气体供给部和上述第2气体供给部中的另一者供给非活性气体，在上述氧化膜上掺杂上述第2元素。

公开(公告)号：CN101517717B

公开(公告)日：2013-04-03

申请号：CN200780034552.2

申请日：2007-09-18

申请人： 英特尔公司

发明人： P·拉纳德

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L21/0217 ,  H01L21/02148 ,  H01L21/02159 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/02183 ,  H01L21/02189 ,  H01L21/02192 ,  H01L21/02197 ,  H01L21/02236 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02543 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/02549 ,  H01L21/28167 ,  H01L21/28255 ,  H01L21/28264 ,  H01L21/31055 ,  H01L21/31604 ,  H01L21/47 ,  H01L27/0886 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/16 ,  H01L29/165 ,  H01L29/20 ,  H01L29/205 ,  H01L29/267 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/41783 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/512 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66492 ,  H01L29/66522 ,  H01L29/6653 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66553 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/66651 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7833 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/785 ,  H01L29/7851 ,  H01L29/78654

摘要： 描述一种用于形成具有有源区域和相容的电介质层的半导体结构的方法。在一个实施例中，半导体结构具有由第一半导体材料的氧化物组成的电介质层，其中在电介质层与第一半导体材料之间形成有第二(且成分不同的)半导体材料。在另一个实施例中，用第三半导体材料取代第二半导体材料的一部分，以便赋予第二半导体材料的晶格结构单轴应变。

公开(公告)号：CN102575344A

公开(公告)日：2012-07-11

申请号：CN201080040678.2

申请日：2010-08-31

申请人： 东京毅力科创株式会社

发明人： 考利·瓦吉达

IPC分类号： C23C16/455

CPC分类号： H01L21/02148 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/31645

摘要： 本发明提供一种用于通过脉冲化学气相沉积在衬底上形成含金属-硅膜的方法。所述方法包括：在处理室中提供所述衬底；将所述衬底保持在适于在所述衬底上通过含金属气体和含硅气体的热分解化学气相沉积所述含金属-硅膜的温度下；将所述衬底暴露于所述含金属气体的连续流；以及在所述连续流期间，将所述衬底暴露于所述含硅气体的顺序脉冲。

公开(公告)号：CN101517717A

公开(公告)日：2009-08-26

申请号：CN200780034552.2

申请日：2007-09-18

申请人： 英特尔公司

发明人： P·拉纳德

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L21/0217 ,  H01L21/02148 ,  H01L21/02159 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/02183 ,  H01L21/02189 ,  H01L21/02192 ,  H01L21/02197 ,  H01L21/02236 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02543 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/02549 ,  H01L21/28167 ,  H01L21/28255 ,  H01L21/28264 ,  H01L21/31055 ,  H01L21/31604 ,  H01L21/47 ,  H01L27/0886 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/16 ,  H01L29/165 ,  H01L29/20 ,  H01L29/205 ,  H01L29/267 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/41783 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/512 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66492 ,  H01L29/66522 ,  H01L29/6653 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66553 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/66651 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7833 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/785 ,  H01L29/7851 ,  H01L29/78654

摘要： 描述一种用于形成具有有源区域和相容的电介质层的半导体结构的方法。在一个实施例中，半导体结构具有由第一半导体材料的氧化物组成的电介质层，其中在电介质层与第一半导体材料之间形成有第二(且成分不同的)半导体材料。在另一个实施例中，用第三半导体材料取代第二半导体材料的一部分，以便赋予第二半导体材料的晶格结构单轴应变。

公开(公告)号：CN101460657A

公开(公告)日：2009-06-17

申请号：CN200680054835.9

申请日：2006-06-02

申请人： 乔治洛德方法研究和开发液化空气有限公司

发明人： N·布拉斯科 ,  C·杜萨拉

IPC分类号： C23C16/18

CPC分类号： H01L21/02205 ,  C07F7/00 ,  C07F7/003 ,  C07F17/00 ,  C23C16/18 ,  C23C16/308 ,  C23C16/34 ,  C23C16/40 ,  C23C16/403 ,  C23C16/405 ,  C23C16/407 ,  C23C16/45553 ,  H01L21/02148 ,  H01L21/02159 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/02189 ,  H01L21/02192 ,  H01L21/02194 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/31641 ,  H01L21/31645

摘要： 使用带有戊二烯基配体和/或环戊二烯基配体的前体在至少一个载体上形成含至少一种金属的介电膜的方法，该膜具有式(M11－aM2a)ObNc，其中：0≤a＜1，0＜b≤3，优选地1.5≤b≤2.5，0≤c≤1，优选地0≤c≤0.5，M1和M2是金属Hf、Zr或Ti。

公开(公告)号：CN1825628A

公开(公告)日：2006-08-30

申请号：CN200610005021.8

申请日：2006-01-18

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 田尚勋 ,  崔圣圭 ,  金桢雨 ,  黄显相 ,  韩祯希 ,  崔相武 ,  朴星昊

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/51 ,  H01L21/336 ,  H01L21/283

CPC分类号： H01L21/02148 ,  H01L21/02156 ,  H01L21/02159 ,  H01L21/28282 ,  H01L21/31604 ,  H01L21/31641 ,  H01L21/31645 ,  H01L29/513 ,  H01L29/792

摘要： 一种半导体存储器件，包括第一掺杂区和第二掺杂区，所述第一掺杂区和第二掺杂区设置在半导体衬底中；绝缘层，设置得与所述第一掺杂区和第二掺杂区接触，所述绝缘层包括从包括Hf、Zr、Y和Ln的组中选择的材料；和设置在所述绝缘层上的栅电极层。

公开(公告)号：CN103907177B

公开(公告)日：2016-08-31

申请号：CN201180074601.1

申请日：2011-11-03

申请人： 英特尔公司

发明人： R·A·布雷恩

IPC分类号： H01L21/31 ,  H01L21/768 ,  H01L21/28 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/108

CPC分类号： H01L28/60 ,  G06F1/184 ,  H01L21/02148 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02175 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/02186 ,  H01L21/02189 ,  H01L21/02192 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76877 ,  H01L23/5223 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/5283 ,  H01L23/53228 ,  H01L23/5329 ,  H01L27/10805 ,  H01L27/10814 ,  H01L27/1085 ,  H01L27/10852 ,  H01L27/10885 ,  H01L28/40 ,  H01L28/90 ,  H01L28/91 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 提供了集成电路设备的电容器结构。电容器包括紧邻的致密或高度致密蚀刻停止层。致密或高度致密蚀刻停止层是例如高k材料。电容器是例如金属-绝缘体-金属(MIM)电容器，且在DRAM(动态随机存取存储器)和eDRAM(嵌入式动态随机存取存储器)结构中是有用的。

公开(公告)号：CN102741981A

公开(公告)日：2012-10-17

申请号：CN201180007356.2

申请日：2011-01-20

申请人： 株式会社日立国际电气

发明人： 山崎裕久

IPC分类号： H01L21/205 ,  H01L21/31 ,  H01L21/316

CPC分类号： H01L21/0228 ,  C23C16/40 ,  C23C16/401 ,  C23C16/45531 ,  H01L21/02148

摘要： 本发明提供一种半导体器件的制造方法、基板处理装置以及半导体器件。实现具有高介电常数且在高温状态下稳定的电容绝缘膜的形成。所述半导体器件的制造方法通过进行以下工序来形成规定的膜，该工序包括：向收容基板的处理室供给包含第一元素的第一原料，使第一原料吸附于在基板的表面上；在使第一原料进行吸附之后，向处理室供给包含第二元素的第二原料，使第二原料吸附在基板的表面上；向处理室供给包含第三元素的第三原料，来对基板的表面进行改性；以及去除处理室内的环境气体，其中，相对于吸附在基板的表面上的第一原料的饱和吸附量，调整第一原料的吸附量和第二原料的吸附量，由此控制膜中的第二元素的含有量。

公开(公告)号：CN101529599A

公开(公告)日：2009-09-09

申请号：CN200780040191.2

申请日：2007-11-20

申请人： 应用材料股份有限公司

发明人： 蔡泰正 ,  克里斯托弗·肖恩·奥尔森 ,  科里·恰尼克 ,  朱斯皮纳·康蒂

IPC分类号： H01L31/00 ,  H01L21/00

CPC分类号： H01L21/0217 ,  H01L21/02148 ,  H01L21/02161 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/28185 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/31645 ,  H01L21/3185 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518

摘要： 本发明提供了一种形成包括硅和氧的栅极电介质的方法。栅极电介质还可包括氮或另一种高k材料。在一个方面，形成栅极电介质包括在氧化气氛中退火衬底以形成氧化硅层，通过气相沉积在氧化硅层上沉积氮化硅层或高k层，氧化氮化硅层或高k层的上表面，之后退火衬底。可在集成处理系统中形成栅极电介质。