公开(公告)号：CN1825628A

公开(公告)日：2006-08-30

申请号：CN200610005021.8

申请日：2006-01-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 田尚勋 ,  崔圣圭 ,  金桢雨 ,  黄显相 ,  韩祯希 ,  崔相武 ,  朴星昊

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/51 ,  H01L21/336 ,  H01L21/283

CPC classification number: H01L21/02148 ,  H01L21/02156 ,  H01L21/02159 ,  H01L21/28282 ,  H01L21/31604 ,  H01L21/31641 ,  H01L21/31645 ,  H01L29/513 ,  H01L29/792

Abstract: 一种半导体存储器件，包括第一掺杂区和第二掺杂区，所述第一掺杂区和第二掺杂区设置在半导体衬底中；绝缘层，设置得与所述第一掺杂区和第二掺杂区接触，所述绝缘层包括从包括Hf、Zr、Y和Ln的组中选择的材料；和设置在所述绝缘层上的栅电极层。

公开(公告)号：CN1832204A

公开(公告)日：2006-09-13

申请号：CN200610051480.X

申请日：2006-02-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 田尚勋 ,  金桢雨 ,  黄显相 ,  崔相武

IPC: H01L29/792 ,  H01L21/336

CPC classification number: B82Y10/00 ,  H01L21/28282 ,  H01L29/42332 ,  H01L29/792

Abstract: 本发明公开了一种存储器件及其制造方法。所述存储器件包括栅极结构，所述栅极结构包括在半导体衬底上的电荷存储层中的金属氮化物材料。该栅极结构设置于形成于半导体衬底上的第一掺杂剂区和第二掺杂剂区之间。该金属氮化物材料被构造以作为俘获电荷的俘获点。

公开(公告)号：CN1828938A

公开(公告)日：2006-09-06

申请号：CN200610006120.8

申请日：2006-01-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 田尚勋 ,  金桢雨 ,  黄显相 ,  白圣权 ,  崔相武

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/12 ,  H01L21/336 ,  H01L21/24

CPC classification number: H01L29/66833 ,  H01L21/28282 ,  H01L29/0843 ,  H01L29/167 ,  H01L29/792

Abstract: 本发明公开了一种半导体存储器件，所述半导体存储期间包括半导体衬底中的第一掺杂剂区域和第二掺杂剂区域，所述第一掺杂剂区域和所述第二掺杂剂区域掺有从包括Sb、Ga和Bi的组中选择的一种。该半导体存储器件包括设置得与所述第一掺杂剂区域和第二掺杂剂区域接触的绝缘层以及设置得与所述绝缘层接触的栅电极层。

公开(公告)号：CN1761073A

公开(公告)日：2006-04-19

申请号：CN200510106838.X

申请日：2005-09-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 田尚勋 ,  金桢雨 ,  黄显相

IPC: H01L29/78 ,  H01L27/105 ,  H01L27/112 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8239 ,  H01L21/8246

CPC classification number: H01L21/28273 ,  H01L29/513 ,  H01L29/7881

Abstract: 本发明涉及一种包括多层隧道势垒层的非易失存储器件和制造其的方法。所述器件包括：半导体衬底；形成于所述半导体衬底中的源极区和漏极区；和形成于所述半导体衬底上且接触所述源极和漏极区的栅极结构。这里，栅极结构包括多层隧道势垒层，所述隧道势垒层由具有不同带隙能量的两个或更多层形成。

公开(公告)号：CN100530692C

公开(公告)日：2009-08-19

申请号：CN200610006120.8

申请日：2006-01-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 田尚勋 ,  金桢雨 ,  黄显相 ,  白圣权 ,  崔相武

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/12 ,  H01L21/336 ,  H01L21/24

CPC classification number: H01L29/66833 ,  H01L21/28282 ,  H01L29/0843 ,  H01L29/167 ,  H01L29/792

Abstract: 本发明公开了一种半导体存储器件，所述半导体存储器件包括半导体衬底中的第一掺杂剂区域和第二掺杂剂区域，所述第一掺杂剂区域和所述第二掺杂剂区域掺有从包括Sb、Ga和Bi的组中选择的一种。该半导体存储器件包括设置得与所述第一掺杂剂区域和第二掺杂剂区域接触的绝缘层以及设置得与所述绝缘层接触的栅电极层。

公开(公告)号：CN101034732B

公开(公告)日：2011-06-01

申请号：CN200610170100.4

申请日：2006-12-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李明宰 ,  朴允童 ,  黄显相 ,  李东洙

IPC: H01L45/00 ,  H01L27/24 ,  H01L27/10 ,  H01L27/115 ,  G11C13/00 ,  G11C11/56 ,  G11C16/02

CPC classification number: H01L45/12 ,  G11C11/5685 ,  G11C13/0007 ,  G11C2213/32 ,  G11C2213/56 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146

Abstract: 本发明提供了一种电阻随机存取存储器装置，其包括：下电极；第一氧化物层，形成在下电极上并使用两个电阻状态存储信息，其中所述第一氧化物层由选自包括NiOx、ZrOx、Nb2O5-x、HfO、ZnO、WO3、CoO、CuO2和TiO2的组中的一种形成；电流控制层，由位于第一氧化物层上的第二氧化物形成；和上电极，堆叠在电流控制层上。所述电流控制层降低所述电阻随机存取存储器装置的开启电流。

公开(公告)号：CN101034732A

公开(公告)日：2007-09-12

申请号：CN200610170100.4

申请日：2006-12-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李明宰 ,  朴允童 ,  黄显相 ,  李东洙

IPC: H01L45/00 ,  H01L27/24 ,  H01L27/10 ,  H01L27/115 ,  G11C13/00 ,  G11C11/56 ,  G11C16/02

CPC classification number: H01L45/12 ,  G11C11/5685 ,  G11C13/0007 ,  G11C2213/32 ,  G11C2213/56 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146

Abstract: 本发明提供了一种电阻随机存取存储器装置，其包括：下电极；第一氧化物层，形成在下电极上并使用两个电阻状态存储信息；电流控制层，由位于第一氧化物层上的第二氧化物形成；和上电极，堆叠在电流控制层上。

公开(公告)号：CN1691333A

公开(公告)日：2005-11-02

申请号：CN200510067488.0

申请日：2005-04-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 田尚勋 ,  金桢雨 ,  黄显相

IPC: H01L27/10 ,  H01L27/108 ,  H01L21/8239 ,  H01L21/8242

CPC classification number: H01L21/28202 ,  G11C16/0466 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28282 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/792

Abstract: 本发明提供一种具有介电多层结构的具有提高的运行特性和数据保持能力的存储器件及其制造方法。在该具有介电多层结构并具有半导体基板的存储器件中，第一杂质区域和第二杂质区域形成在半导体基板的两边，栅极结构形成在半导体基板上并与第一杂质区域和第二杂质区域相接触。栅极结构包括隧穿氧化层，形成在隧穿氧化层上的电荷存储层，形成在电荷存储层上并包括两个以上介电层的绝缘层，以及形成在绝缘层上的栅电极层。

公开(公告)号：CN100530691C

公开(公告)日：2009-08-19

申请号：CN200610005021.8

申请日：2006-01-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 田尚勋 ,  崔圣圭 ,  金桢雨 ,  黄显相 ,  韩祯希 ,  崔相武 ,  朴星昊

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/51 ,  H01L21/336 ,  H01L21/283

CPC classification number: H01L21/02148 ,  H01L21/02156 ,  H01L21/02159 ,  H01L21/28282 ,  H01L21/31604 ,  H01L21/31641 ,  H01L21/31645 ,  H01L29/513 ,  H01L29/792

Abstract: 一种半导体存储器件，包括第一掺杂区和第二掺杂区，所述第一掺杂区和第二掺杂区设置在半导体衬底中；绝缘层，设置得与所述第一掺杂区和第二掺杂区接触，所述绝缘层包括从包括Hf、Zr、Y和Ln的组中选择的材料；和设置在所述绝缘层上的栅电极层。

公开(公告)号：CN100477266C

公开(公告)日：2009-04-08

申请号：CN200510106838.X

申请日：2005-09-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 田尚勋 ,  金桢雨 ,  黄显相

IPC: H01L29/78 ,  H01L27/105 ,  H01L27/112 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8239 ,  H01L21/8246

CPC classification number: H01L21/28273 ,  H01L29/513 ,  H01L29/7881

Abstract: 本发明涉及一种包括多层隧道势垒层的非易失存储器件和制造其的方法。所述器件包括：半导体衬底；形成于所述半导体衬底中的源极区和漏极区；和形成于所述半导体衬底上且接触所述源极和漏极区的栅极结构。这里，栅极结构包括多层隧道势垒层，所述隧道势垒层由具有不同带隙能量的两个或更多层形成。